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公开(公告)号：CN108885412B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201780020558.8
申请日：2017-03-16
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G03F7/32 , H01L21/304
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够减少含有金属原子的颗粒的产生且能够形成良好的图案的半导体制造用处理液及图案形成方法。本发明的实施方式所涉及的半导体制造用处理液包含：由通式(N)所表示的季铵化合物；选自包括阴离子表面活性剂、非离子表面活性剂、阳离子表面活性剂及螯合剂的组中的至少一种添加剂；及水。上述半导体制造用处理液包含选自包括Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni及Zn的组中的一种或两种以上的金属原子，且相对于所述添加剂的总质量与上述金属原子的总质量的合计，上述金属原子的总质量为1质量ppt～1质量ppm。
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公开(公告)号：CN113423651A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080014463.7
申请日：2020-01-29
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 上村哲也
Abstract: 本发明提供一种作为预湿液使用时缺陷抑制性优异的药液。本发明还提供抗蚀剂图案的形成方法、半导体芯片的制造方法、药液收容体及药液的制造方法。本发明的药液含有环己酮及选自包括通式(1)所表示的化合物、通式(2)所表示的化合物及通式(3)所表示的化合物的组中的1种以上的第1化合物，所述药液中，环己酮的含量相对于药液总质量为98.000～99.999质量％，第1化合物合计含量相对于所述药液总质量为0.001～100质量ppm，所述药液可作为预湿液使用。
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公开(公告)号：CN112449658A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201980045368.0
申请日：2019-07-05
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种与药液接触时所得到的药液的残渣缺陷抑制性及桥接缺陷抑制性优异的部件。并且，提供一种容器、药液收容体、反应槽、蒸馏塔、过滤器单元、存储罐、管路及药液的制造方法。本发明的部件为与药液接触的部件，上述部件的表面由含有铬原子及铁原子的不锈钢构成，从上述部件的表面沿着深度方向至10nm，测量上述铬原子相对于上述铁原子的原子比时，在从上述部件的表面沿深度方向3nm以内显示上述原子比的最大值，上述最大值为0.5～3.0，上述部件的表面的表面平均粗糙度为10nm以下。
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公开(公告)号：CN112400139A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201980046121.0
申请日：2019-07-08
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种缺陷抑制性优异的药液。并且，提供一种含有上述药液的药液收容体。本发明的药液含有选自由除了烷烃及烯烃以外的化合物、以及癸烷及十一烷组成的组中的1种以上的有机溶剂，该药液还含有选自由碳原子数12～50的烷烃及碳原子数12～50的烯烃组成的组中的1种以上的有机成分，相对于药液的总质量，有机成分的含量为0.10～1,000,000质量ppt。
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公开(公告)号：CN111051263A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880056623.7
申请日：2018-08-30
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C03C23/00 , B65D23/02 , C03C17/245
Abstract: 本发明的课题为提供一种药液收容体。该药液收容体在保管一定期间之后，将所收纳的药液应用于包含光刻的布线形成工序中时，在所形成的布线基板中不易发生短路，且不易产生缺陷。本发明的药液收容体具有容器及收容于容器中的药液，该药液收容体中，药液含有选自包含Fe、Al、Cr及Ni的组中的至少1种特定金属成分，相对于药液的总质量，药液中的特定金属成分的含量为100质量ppt以下，容器的接液部的至少一部分由含有钠原子的玻璃制成，在接液部的至少一部分中，表面区域中的钠原子相对于表面区域的总质量的含量A与主体区域中的钠原子相对于主体区域的总质量的含量B之含有质量比A/B超过0.10且小于1.0。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111032197A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880054238.9
申请日：2018-08-29
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: B01D61/58 , B01D61/14 , B01D61/22 , B01D65/02 , B01D69/02 , B01D71/10 , B01D71/32 , B01D71/48 , B01D71/56 , B01D71/64 , G03F7/004 , G03F7/26
Abstract: 本发明的课题在于提供一种可获得具有优异的缺陷抑制性能的药液的药液的纯化方法。本发明的药液的纯化方法使用孔径不同的两种以上过滤器对含有有机溶剂的被纯化物进行过滤而获得药液，所述药液的纯化方法中，相对于两种以上过滤器中具有最大的孔径X1的过滤器Fmax的被纯化物的供给压力P1与相对于两种以上过滤器中具有最小的孔径X2的过滤器Fmin的被纯化物的供给压力P2满足如下关系：P1＞P2。
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公开(公告)号：CN110325614A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201880012596.3
申请日：2018-02-26
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 上村哲也
IPC: C09K3/14 , B24B37/00 , C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明的课题在于提供一种适用于包含含钴层的被研磨体的CMP时，在被研磨面难以产生凹陷及缺陷的研磨液。并且，本发明的另一课题在于提供一种研磨液的制造方法、研磨液原液、研磨液原液收容体及化学机械研磨方法。本发明的研磨液为化学机械研磨用研磨液，所述研磨液含有：缔合度1～3的胶体二氧化硅；有机酸；唑系化合物；及过氧化氢，使上述研磨液与钴基板接触24小时时，在上述钴基板上形成含有钴原子且厚度0.5～20nm的反应层。
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公开(公告)号：CN109312211A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780033060.5
申请日：2017-06-01
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 上村哲也
IPC: C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明的课题是提供一种可赋予面内均匀性优异的被研磨体的研磨液。并且，提供一种使用上述研磨液的化学机械研磨方法。本发明的研磨液是使用于化学机械研磨中的研磨液，其含有研磨粒、有机酸及水溶性高分子，且同时满足下述式(1)～式(3)。式(1)：1.5≤η100rpm/η1000rpm≤20；式(2)：1.2≤η100rpm/η500rpm≤10；式(3)：η100rpm/η1000rpm＞η100rpm/η500rpm，在式(1)～式(3)中，η100rpm是在40％RH、23℃下通过旋转粘度计以转速100rpm测定的上述研磨液的粘度，η500rpm是在40％RH、23℃下通过旋转粘度计以转速500rpm测定的上述研磨液的粘度，η1000rpm是在40％RH、23℃下通过旋转粘度计以转速1000rpm测定的上述研磨液的粘度。
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公开(公告)号：CN109075052A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780025662.6
申请日：2017-04-26
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 上村哲也
IPC: H01L21/304 , C01B15/023 , C11D7/02 , C11D7/08 , C11D7/18 , C11D7/26
Abstract: 本发明的课题是提供一种能够用于制造半导体器件且含有过氧化氢的组合物，并且保存稳定性优异且对半导体基板的缺陷影响小的组合物。并且，本发明的另一课题是提供一种含有上述过氧化氢的组合物的制造方法及保管有上述组合物的组合物收容体。本发明的组合物含有过氧化氢、酸及Fe成分，上述Fe成分的含量相对于上述酸的含量，以质量比计为10-5～102。
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公开(公告)号：CN109075035A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780025775.6
申请日：2017-04-26
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/32 , H01L21/304
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够抑制半导体器件的缺陷的产生且抗腐蚀性及润湿性优异的处理液。本发明的处理液为半导体器件用处理液，其含有：选自包括醚类、酮类及内酯类的组中的至少一种有机溶剂；水；及包含选自包括Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、Ti及Zn的组中的至少一种金属元素的金属成分，处理液中的水的含量为100质量ppb～100质量ppm，处理液中的金属成分的含量为10质量ppq～10质量ppb。
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