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公开(公告)号：CN111051488B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201880052684.6
申请日：2018-08-29
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C11D7/50 , B01D61/14 , C07B63/00 , C07B63/04 , C07C7/00 , C07C7/20 , C07C45/86 , C07C49/04 , C07C49/395 , C07C49/403 , C07C67/48 , C07C67/62 , C07C69/14 , C07C69/68 , C07C69/708 , C07D307/33 , G03F7/004 , H01L21/304 , C07C29/74 , C07C29/94 , C07C31/10 , C07C9/14 , C07C41/34 , C07C41/46 , C07C43/04 , C07C43/13 , C07C45/78
Abstract: 本发明的课题在于提供一种可获得具有优异的缺陷抑制性能的药液的药液的纯化方法。本发明的课题还在于提供一种药液。本发明的药液的纯化方法将含有有机溶剂的被纯化物进行纯化而获得药液，所述药液的纯化方法中，被纯化物中的稳定剂的含量相对于被纯化物的总质量为0.1质量ppm以上且小于100质量ppm。
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公开(公告)号：CN104797982A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201480003097.X
申请日：2014-04-24
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G03F7/38 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/325 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/20 , G03F7/2041
Abstract: 本发明提供一种图案形成方法，其包含：在基板上涂布溶剂(S)的步骤；在涂布有溶剂(S)的所述基板上涂布感光化射线性或感放射线性树脂组合物而形成感光化射线性或感放射线性膜的步骤；对所述感光化射线性或感放射线性膜进行曝光的步骤；及利用包含有机溶剂的显影液对进行了曝光的所述感光化射线性或感放射线性膜进行显影而形成负型图案的步骤。
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公开(公告)号：CN111051263A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880056623.7
申请日：2018-08-30
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C03C23/00 , B65D23/02 , C03C17/245
Abstract: 本发明的课题为提供一种药液收容体。该药液收容体在保管一定期间之后，将所收纳的药液应用于包含光刻的布线形成工序中时，在所形成的布线基板中不易发生短路，且不易产生缺陷。本发明的药液收容体具有容器及收容于容器中的药液，该药液收容体中，药液含有选自包含Fe、Al、Cr及Ni的组中的至少1种特定金属成分，相对于药液的总质量，药液中的特定金属成分的含量为100质量ppt以下，容器的接液部的至少一部分由含有钠原子的玻璃制成，在接液部的至少一部分中，表面区域中的钠原子相对于表面区域的总质量的含量A与主体区域中的钠原子相对于主体区域的总质量的含量B之含有质量比A/B超过0.10且小于1.0。
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公开(公告)号：CN111032197A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880054238.9
申请日：2018-08-29
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: B01D61/58 , B01D61/14 , B01D61/22 , B01D65/02 , B01D69/02 , B01D71/10 , B01D71/32 , B01D71/48 , B01D71/56 , B01D71/64 , G03F7/004 , G03F7/26
Abstract: 本发明的课题在于提供一种可获得具有优异的缺陷抑制性能的药液的药液的纯化方法。本发明的药液的纯化方法使用孔径不同的两种以上过滤器对含有有机溶剂的被纯化物进行过滤而获得药液，所述药液的纯化方法中，相对于两种以上过滤器中具有最大的孔径X1的过滤器Fmax的被纯化物的供给压力P1与相对于两种以上过滤器中具有最小的孔径X2的过滤器Fmin的被纯化物的供给压力P2满足如下关系：P1＞P2。
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公开(公告)号：CN115989561A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202180053293.8
申请日：2021-07-30
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种更简便地管理包含有机溶剂的药液的纯度的半导体器件的制造方法及半导体制造装置的清洗方法以及清洗液的清洁度的更简便的测量方法。半导体器件的制造方法具有：工序1，使振子与以有机溶剂为主成分的药液接触，以获得由于药液的接触导致的振子的共振频率的变化量；工序2，确认药液的共振频率的变化量是否包含在基于预先设定的药液的纯度的共振频率的变化量的允许范围内；及工序3，将在工序2中确认的药液使用于半导体器件的制造中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115753959A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211081279.1
申请日：2022-09-05
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G01N27/626 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种能够分析药液中的微小异物的药液的检查方法、药液的制造方法、药液的管理方法、半导体器件的制造方法、能够分析抗蚀剂组合物中的微小异物的抗蚀剂组合物的检查方法、抗蚀剂组合物的制造方法、抗蚀剂组合物的管理方法、以及能够管理半导体制造装置中的微小异物的半导体制造装置的污染状态确认方法。药液的检查方法包括：准备药液的工序1X；将药液涂布在半导体基板上的工序2X；以及工序3X，测定半导体基板的表面上有无缺陷，获取半导体基板的表面上的缺陷在半导体基板上的位置信息，基于位置信息对半导体基板的表面上的缺陷照射激光，利用载气回收通过照射得到的分析试样并进行电感耦合等离子体质谱分析。
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公开(公告)号：CN111051263B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201880056623.7
申请日：2018-08-30
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C03C23/00 , B65D23/02 , C03C17/245
Abstract: 本发明的课题为提供一种药液收容体。该药液收容体在保管一定期间之后，将所收纳的药液应用于包含光刻的布线形成工序中时，在所形成的布线基板中不易发生短路，且不易产生缺陷。本发明的药液收容体具有容器及收容于容器中的药液，该药液收容体中，药液含有选自包含Fe、Al、Cr及Ni的组中的至少1种特定金属成分，相对于药液的总质量，药液中的特定金属成分的含量为100质量ppt以下，容器的接液部的至少一部分由含有钠原子的玻璃制成，在接液部的至少一部分中，表面区域中的钠原子相对于表面区域的总质量的含量A与主体区域中的钠原子相对于主体区域的总质量的含量B之含有质量比A/B超过0.10且小于1.0。
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公开(公告)号：CN111051488A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880052684.6
申请日：2018-08-29
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C11D7/50 , B01D61/14 , C07B63/00 , C07B63/04 , C07C7/00 , C07C7/20 , C07C45/86 , C07C49/04 , C07C49/395 , C07C49/403 , C07C67/48 , C07C67/62 , C07C69/14 , C07C69/68 , C07C69/708 , C07D307/33 , G03F7/004 , H01L21/304 , C07C29/74 , C07C29/94 , C07C31/10 , C07C9/14 , C07C41/34 , C07C41/46 , C07C43/04 , C07C43/13 , C07C45/78
Abstract: 本发明的课题在于提供一种可获得具有优异的缺陷抑制性能的药液的药液的纯化方法。本发明的课题还在于提供一种药液。本发明的药液的纯化方法将含有有机溶剂的被纯化物进行纯化而获得药液，所述药液的纯化方法中，被纯化物中的稳定剂的含量相对于被纯化物的总质量为0.1质量ppm以上且小于100质量ppm。
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公开(公告)号：CN118871864A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380027341.5
申请日：2023-03-09
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G03F7/32 , G03F7/16 , G03F7/38 , G03F7/42 , H01L21/304
Abstract: 本发明的课题在于提供一种药液，在其用于使被接触物与药液接触的工序中的情况下，被接触物不易产生预定的缺陷。本发明的药液含有：有机溶剂；以及含金属粒子，其包含选自由Fe、Ni及Zn所组成的组中的金属元素，所述药液通过方法X得到的I值为0.010～10.000。方法X：在基板上涂布上述药液而制作被检体，利用激光烧蚀‑电感耦合等离子体‑质谱分析法对被检体的表面扫描激光进行分析，对每个上述金属元素获取横轴为激光的扫描时间及纵轴为离子检测强度的图，将图的上述离子检测强度按照上述扫描时间进行累计，得到每个上述金属元素的累计离子检测强度，将对每个上述金属元素的累计离子检测强度进行合计并设为合计累计离子检测强度，将合计累计离子检测强度除以激光的扫描面积，得到单位为计数/mm2(count/mm2)的I值。
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公开(公告)号：CN116918051A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280016179.2
申请日：2022-02-07
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种能够精确地去除半导体基板的缺陷的缺陷去除装置、缺陷去除方法及图案形成方法、以及使用去除了表面上的缺陷的半导体基板的图案形成方法及电子器件的制造方法。缺陷去除装置具有：表面缺陷测定部，具有射出用于进行半导体基板上的缺陷检测的入射光的第1光源部及根据通过入射光因半导体基板上的缺陷而反射或散射而辐射的辐射光来检测半导体基板上的缺陷的检测部；去除部，根据半导体基板上的缺陷的位置信息，向半导体基板上照射激光而去除缺陷；及对准部，调整入射光和激光的光轴，入射光和激光通过对准部调整光轴并射出到半导体基板上。
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