公开(公告)号：CN108700788A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780014750.6

申请日：2017-01-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张雪娜 ,  任东吉 ,  戴文清 ,  尤哈维 ,  元泰景 ,  杨潇林 ,  林宛瑜 ,  蔡云初

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1343

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L2227/323

Abstract: 本公开内容的实施方式大体上提供形成具有高电容和低泄漏的电容器的方法以及用于薄膜晶体管(TFT)应用的良好的界面控制。在一个实施方式中，一种薄膜晶体管结构包括形成在薄膜晶体管器件中的电容器。电容器进一步包括设置在基板上的公共电极、形成在公共电极上的介电层和形成在介电层上的像素电极。界面保护层形成在公共电极与介电层之间，或介电层与像素电极之间。由高k材料制成的栅极绝缘层也可用于薄膜晶体管结构。

公开(公告)号：CN103620788B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201280028759.X

申请日：2012-06-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·J·陈 ,  崔寿永 ,  任东吉 ,  Y·叶

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明大体上关于一种制造薄膜晶体管的方法。薄膜晶体管具有包括铟镓锌氧化物(IGZO)或氧化锌的有源沟道。在形成源极电极与漏极电极之后，但在保护层或蚀刻停止层沉积于其上之前，将该有源沟道暴露于一氧化二氮(N2O)等离子体或氧气等离子体。在形成源极电极与漏极电极的过程中，有源沟道与保护层或蚀刻停止层之间的界面会有所改变或损坏。一氧化二氮等离子体或氧气等离子体改变并修复有源沟道与保护层或蚀刻停止层之间的界面。

公开(公告)号：CN105009297A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201480011873.0

申请日：2014-03-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任东吉 ,  元泰景 ,  S-M·赵

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L22/24

Abstract: 本发明通常有关于测量针孔的确认方法。在一方面，提供了在叠层中测量针孔的方法，所述叠层例如是薄膜晶体管叠层。所述方法可包括形成有源层于基板的沉积表面上、形成介电层于有源层之上、传送蚀刻剂于至少所述介电层，以蚀刻介电层与形成于介电层中的任何的针孔两者，以及使用有源层对蚀刻过的介电层的针孔密度进行光学测量。

公开(公告)号：CN101960563B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN200980106469.0

申请日：2009-01-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 元泰景 ,  崔寿永 ,  朴范洙 ,  任东吉 ,  陈志坚

IPC: H01L21/205 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/04 ,  C23C16/26 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7866

Abstract: 提供了在薄膜晶体管结构中形成微晶硅层的方法。在一实施方式中，一种形成微晶硅层的方法，包括：提供基板至处理腔室中；提供包含氢系气体、硅系气体和氩气的气体混合物至该处理腔室中，该气体混合物中氢系气体与硅系气体的体积流率比大于100∶1，其中氩气的体积流率比占氢系气体与硅系气体两者总气流的约5％至40％；以及在沉积微晶硅层到该基板上时，维持该处理腔室中该气体混合物的处理压力在大于约3torr的范围。

公开(公告)号：CN102169145B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201010536575.7

申请日：2005-08-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 苏海勒·安瓦尔 ,  瑞米哥尔·马纳奇尔 ,  朴钲义 ,  任东吉 ,  崔寿永

IPC: G01R31/00 ,  G01R27/02 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

CPC classification number: G01R31/1254

Abstract: 用以检测或抑制在连接至电源负载过程中产生的电阻抗中，电弧或其它异常变化的方法及设备。较佳地，该负载为一等离子体室，用以制造例如半导体及平面显示器的电子组件。电弧通过监视一个或多个感应器加以检出。每一感应器对电源至等离子体过程中所供给至电源特征作出反应，或者，被耦合至等离子体室，以对室内的电磁状态作出反应。通过降低简短功率输出时间，而抑制电弧。然后，电源增加其功率输出，较佳至其原始值。若再发生电弧，则电源重复降低然后回复功率输出这一步骤。

公开(公告)号：CN205275690U

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201490000406.3

申请日：2014-01-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 细川昭弘 ,  J·M·怀特 ,  任东吉

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/203

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3407

Abstract: 本实用新型一般涉及一种溅镀靶材组件。锌被用于金属氧化物半导体材料，如IGZO、氧化锌和氮氧化锌。所述锌可通过在期望气氛下溅镀锌靶材来传递。如果使用纯锌溅镀靶材，那么除非使迁移率(mobility)减至10cm2/V-s以下，否则无法生产稳定的膜。通过添加一掺杂物(如镓)，不仅可以沉积稳定的膜，而且所述膜会具有大于30cm2/V-s的迁移率。所述掺杂物可直接并入所述锌中，或者作为直接邻近所述锌溅镀靶材的单独溅镀靶材。