公开(公告)号：CN106104775A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580006256.6

申请日：2015-01-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 段仁官 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  周建华 ,  N·刘 ,  陈一宏 ,  A·B·玛里克 ,  S·R·恭德哈勒卡尔

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/02

Abstract: 在一个实施例中，公开一种处理腔室，其中所述处理腔室的至少一个表面具有包含SivYwMgxAlyOz的涂层，其中v的范围从约0.0196至0.2951，w的范围从约0.0131至0.1569，x的范围从约0.0164至0.0784，y的范围从约0.0197至0.1569，z的范围从约0.5882至0.6557，并且v+w+x+y+z＝1。

公开(公告)号：CN105870039A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610083040.6

申请日：2016-02-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 周建华 ,  R·萨卡拉克利施纳 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  X·林

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供了一种用于基座的方法和装置。在一个实施例中，所述基座包括：包含陶瓷材料并且具有凸缘的主体；嵌入在主体中的一或多个加热元件；耦接到凸缘的第一轴；以及耦接到第一轴的第二轴；其中第二轴包括在所述第二轴中形成的多个流体通道，所述流体通道在所述第二轴中终止。

公开(公告)号：CN114503238B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN201980099804.2

申请日：2019-08-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 邵寿潜 ,  周建华 ,  袁泰京

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455

Abstract: 本文描述的实施方式涉及在半导体工艺内进行调谐以改善等离子体稳定性的方法。在这些实施方式中，提供多个匹配网络。所述匹配网络中的每一个匹配网络将射频(RF)源耦接到位于电极上的多个连接点中的一个连接点。基于调谐参数信息和物理几何信息，控制器确定所述多个匹配网络的调谐顺序。如此，所述匹配网络中的一些匹配网络被调谐，而其他匹配网络被锁定。使用多个匹配网络使处理腔室的处理空间内产生更均匀的等离子体。改善的等离子体均匀性使基板缺陷更少且器件性能更好。此外，在这些实施方式中，用于以一种顺序调谐所述匹配网络中的每一个匹配网络的能力减少或防止在所述匹配网络之间发生干扰。

公开(公告)号：CN118266057A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202280077054.0

申请日：2022-11-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 邵寿潜 ,  元泰景 ,  高建德 ,  周建华

IPC: H01J37/32

Abstract: 本揭示案的实施方式大体关于适用于半导体处理腔室中的盖。该盖包括多个介电窗，该多个介电窗耦接至穿孔面板。该盖还包括多个支撑构件，该多个支撑构件耦接至该穿孔面板且放置于相邻的介电窗之间。该盖进一步包括多个电感耦合器。电感耦合器中的一者或更多者包括：第一下部分；第二下部分；及桥部。该桥部设置于该多个支撑构件中的至少一者上方。该第一下部分放置于该多个介电窗的第一介电窗上。该第二下部分放置于该多个介电窗的第二介电窗上。该第二介电窗相邻于该第一介电窗。

公开(公告)号：CN114807892A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210074494.2

申请日：2022-01-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 哈桑·约瑟夫 ,  加内什·巴布·钱德拉塞卡兰 ,  R·L·迪纳 ,  周建华 ,  井口威佐美

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01L51/52

Abstract: 一种掩模框架支撑单元，包括：壳体；突出主体，所述突出主体在所述壳体下方延伸；和工作站，所述工作站具有设置在所述壳体上方的平坦头部。所述突出主体包括渐缩区域和圆柱形区域。所述渐缩区域包括耦接到所述壳体的具有第一直径的第一端部，并且包含与所述第一端部相对的具有第二直径的第二端部。所述第二直径小于所述第一直径，并且所述渐缩区域在所述第二端部处耦接到所述圆柱形区域。所述壳体容纳多个部件，包括与所述工作站接触的上接收板、设置在所述上接收板下方的下接收板、设置在所述下接收板与所述主体之间的平坦头部单元移动支撑机构、和对中部件。

公开(公告)号：CN112384642A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201980044401.8

申请日：2019-06-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 高建德 ,  杰弗里·A·霍 ,  芮祥新 ,  周建华 ,  栗田真一 ,  邵寿潜 ,  孙光伟

IPC: C23C16/455

Abstract: 本文描述的实施方式提供了一种具有用于均匀地输送处理气体的气流入口引导件和用于有效地净化处理气体并减少净化时间的气流出口引导件的腔室。所述腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有处理气体入口和处理气体出口；盖组件；处理气体入口和处理气体出口，所述处理气体入口和处理气体出口被配置为与所述腔室中的处理区域流体连通；气流入口引导件，所述气流入口引导件设置在所述处理气体入口中；和气流出口引导件，所述气流出口引导件设置在所述处理气体出口中。所述气流入口引导件包括流调节器和至少两个第一入口引导通道，所第一入口引导通道具有不同的第一入口引导通道面积。所述气流出口引导件包括至少两个第一出口引导通道，所述第一出口引导通道具有不同的第一出口引导通道面积。

公开(公告)号：CN105870039B

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN201610083040.6

申请日：2016-02-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 周建华 ,  R·萨卡拉克利施纳 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  X·林

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供了一种用于基座的方法和装置。在一个实施例中，所述基座包括：包含陶瓷材料并且具有凸缘的主体；嵌入在主体中的一或多个加热元件；耦接到凸缘的第一轴；以及耦接到第一轴的第二轴；其中第二轴包括在所述第二轴中形成的多个流体通道，所述流体通道在所述第二轴中终止。

公开(公告)号：CN107204306A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201710342912.0

申请日：2012-05-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 哈里·基肖尔·安巴拉 ,  尤纬·保罗·哈勒 ,  周建华

IPC: H01L21/67 ,  G05D23/19 ,  G05D23/22 ,  G05D23/24

CPC classification number: H01L21/67103 ,  G05D23/1932 ,  G05D23/22 ,  G05D23/2401 ,  H01L21/67248

Abstract: 本发明提供用于控制在处理腔室内的多区域加热器的温度的方法与装置。在一些实施方式中，提供控制多区域加热器的方法，所述多区域加热器被配置在基板支撑件上，其中所述多区域加热器具有第一区域与第二区域。在一些实施方式中，所述方法可包括以下步骤：测量在第一时间内被第一区域获取的电流；测量在第一时间内被第一区域获取的电压；根据在第一时间内测量到的被第一区域获取的电流与电压计算出第一区域的电阻；根据在第一区域的电阻与温度之间的预定关系来确定第一区域的温度；和调整第一区域的温度以响应温度确定。

公开(公告)号：CN112368802B

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN201980044799.5

申请日：2019-07-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杰弗里·A·霍 ,  高建德 ,  周建华

IPC: C23C16/455 ,  H01J37/32 ,  H10K71/00 ,  H10K50/844

Abstract: 本公开内容涉及用于原子层沉积(ALD)腔室的方法和设备。在一个实施方式中，提供一种盖组件，所述盖组件包括：多通道喷头，所述多通道喷头具有多个第一气体通道和与所述第一气体通道中的每一者流体地隔离的多个第二气体通道；和流引导件，所述流引导件耦接到所述多通道喷头的相对侧，所述流引导件中的每一者流体地耦接到所述多个第二气体通道。

公开(公告)号：CN117280437A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202180098162.1

申请日：2021-05-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马骏 ,  周建华

IPC: H01J37/32

Abstract: 基板支撑组件包括冷却板，该冷却板形成被配置为接收传热流体的一或多个通道。基板支撑组件进一步包含设置于冷却板上的气体分配板。气体分配板形成被配置为接收气体的内部容积。基板支撑组件进一步包含设置于气体分配板上的加热板。加热板包含电阻式加热体。基板支撑组件进一步包含设置于加热板上的静电夹盘。静电夹盘被配置为在处理腔室中支撑基板。