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公开(公告)号：CN101703380B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200910221712.5
申请日：2005-01-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: A47K13/30
CPC classification number: A47K13/305
Abstract: 本发明提供一种加热装置，其具有壳体、辐射型发热体和受热工作单元。壳体具有加热单元，并且由辐射能透过性材料形成。辐射型发热体与加热单元中间隔着预定的空间设置，对加热单元进行加热。受热工作单元具有与辐射型发热体对向露出的受热单元，在辐射型发热体附近的温度大于等于预定温度时对辐射型发热体进行关断控制。
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公开(公告)号：CN101453216B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200810176184.1
申请日：2004-06-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明提供一种的D/A转换器，在用于晶片电平老化试验中、用在半导体工艺中可以形成的电阻元件和开关构成输出负载电阻，并内置于D/A转换器中，用控制信号切换上述开关来控制上述电阻元件的使用、不使用。现有的D/A转换器的构成是：为了让使用条件具有通用性而从LSI外部连接输出负载用电阻器、电流值设定用电阻器，进而输入电流值设定用基准电压。当在晶片状态下实施老化试验(晶片电平老化试验)时，由于半导体晶片上的焊盘间隔狭窄等的制约，往往不能在晶片上确保电阻和连接配线的空间，导致D/A转换器的晶片电平老化试验的实施困难。而根据本发明的D/A转换器，不用从外部连接老化试验用的电阻元件等就可以进行晶片电平老化。
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公开(公告)号：CN1764404B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200580000111.1
申请日：2005-01-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种加热装置，其具有壳体、辐射型发热体和受热工作单元。壳体具有加热单元，并且由辐射能透过性材料形成。辐射型发热体与加热单元中间隔着预定的空间设置，对加热单元进行加热。受热工作单元具有与辐射型发热体对向露出的受热单元，在辐射型发热体附近的温度大于等于预定温度时对辐射型发热体进行关断控制。
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公开(公告)号：CN101632229A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200880005454.0
申请日：2008-02-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03M1/14
CPC classification number: H03M1/1215 , H03M1/168
Abstract: 一种A/D转换器，通过第一、第二流水线型的单位A/D转换器(121、122)，时分地对模拟输入信号进行并行处理，而转换成数字输出信号，其中，具有根据系统要求来设定进行并行处理的多个单位A/D转换器的功能，在以比最大转换频率低的转换频率动作的情况下，通过控制信号(15)使单位A/D转换器(122)停止，从而削减单位A/D转换器间的通道间误差，改善A/D转换器的精度。
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公开(公告)号：CN101595638A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200880003246.7
申请日：2008-05-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F3/45475 , H03F1/0261 , H03F1/34 , H03F3/3022 , H03F3/347 , H03F3/45928 , H03F3/68 , H03F2203/45136
Abstract: 本发明提供一种偏压电路和具有该偏压电路的半导体集成电路。在将多个模拟信号通过各电容(C)传输到模拟信号处理电路(ANA2)的各输入端子时，将这些模拟信号的信号地线等的偏置电压提供给模拟信号处理电路的偏压电路(Bias)中，运算放大器(OpAS)从内置的差动放大电路(DA)的非反相输入(VIP)输入偏置电压(VIr)，内置输出放大电路(OA1)的输出端子与差动放大电路的反相输入(VIM)连接，构成电压输出器。还设置多个输出放大电路(OA2～OAn)，它们的输入端子与差动放大电路的输出端子连接，它们的输出端子与模拟信号处理电路的各输入端子(IN1～INn)连接。因此，不产生面积和功耗的增大，不导致模拟信号处理电路的各输入端子间的偏移的增大，能够有效防止这些输入端子间的相互干扰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101453216A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810176184.1
申请日：2004-06-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明提供一种的D/A转换器，在用于晶片电平老化试验中、用在半导体工艺中可以形成的电阻元件和开关构成输出负载电阻，并内置于D/A转换器中，用控制信号切换上述开关来控制上述电阻元件的使用、不使用。现有的D/A转换器的构成是：为了让使用条件具有通用性而从LSI外部连接输出负载用电阻器、电流值设定用电阻器，进而输入电流值设定用基准电压。当在晶片状态下实施老化试验(晶片电平老化试验)时，由于半导体晶片上的焊盘间隔狭窄等的制约，往往不能在晶片上确保电阻和连接配线的空间，导致D/A转换器的晶片电平老化试验的实施困难。而根据本发明的D/A转换器，不用从外部连接老化试验用的电阻元件等就可以进行晶片电平老化。
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公开(公告)号：CN101266117A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810095827.X
申请日：2004-12-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: F28G9/00
Abstract: 换热器由大致圆柱状的铠装加热器、大致圆筒状的壳体及螺旋状的弹簧构成。铠装加热器收容在壳体内。弹簧设置成卷绕在铠装加热器的外周面上。由此，在铠装加热器的外周面、壳体的内周面及弹簧之间形成螺旋状流路。弹簧作为流速转换机构、紊流发生机构、流向转换机构及杂质除去机构发挥作用。入水口及出水口分别在壳体的侧面上配置在偏离壳体的中心轴的位置上。
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公开(公告)号：CN101212213A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710199354.3
申请日：2007-12-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03M1/0624 , G06F1/06 , H03K5/151 , H03M1/1215
Abstract: 本发明提供一种时钟信号生成装置，具备第一、第二及第三D触发器。第一D触发器的第一输出端子基于时钟信号，输出给其第一D输入端子的输入信号，其第一反相输出端子基于时钟信号，对第一D输入端子的输入信号进行反相并输出，并且将输出输入到第一D输入端子。第二D触发器的第二D输入端子，输入来自第一D触发器的第一输出端子的输出，其第二输出端子基于时钟信号，将给其第二D输入端子的输入信号作为第1输出输出，第三D触发器的第三D输入端子，输入来自第一D触发器的第一反相输出端子的输出，其第三输出端子基于时钟信号，将给其第三D输入端子的输入信号作为第二输出输出。第一输出和第二输出具有在彼此相同的定时反相的信号波形。
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公开(公告)号：CN100380265C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200410043131.4
申请日：2004-05-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C5/147
Abstract: 本发明的半导体集成电路是具备产生作为基准的电压的基准电压发生电路、使用该输出电压而动作的功能电路，并将使该输出电压稳定的基准电压稳定电容连接到上述基准电压发生电路的输出端子的半导体集成电路，提供一种能够缩短从待机状态到通常动作状态的恢复时间的半导体集成电路。在待机状态下，功能电路停止动作，但基准电压发生电路避免完全停止，防止基准电压稳定电容放电。由此，在降低模拟电路等功能电路的消耗电力的同时，能够实现从待机状态到通常动作状态的高速恢复。
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公开(公告)号：CN1875363A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200480031628.2
申请日：2004-05-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 如图1所示，抽取出包含在漏电流检测对象网表中的MOS晶体管的栅极端子或者逻辑门的输入端子，通过在该MOS晶体管的栅极端子或者逻辑门的输入端子与电源之间，以及该MOS晶体管的栅极端子或者逻辑门的输入端子与基准电压之间，实施插入电阻的网表变换，实施直流分析，以便检测出有可能发生漏电流的MOS晶体管，能够可靠地检测出用以往的直流分析仿真难以检测的漏电流，并且，能够可靠地检测出该漏电流的检测对象电路内的有发生漏电流嫌疑的晶体管。
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