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公开(公告)号：CN103052852A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201280002268.8
申请日：2012-06-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: F24F1/24 , F25B5/04 , F25B31/006 , F25B49/022 , F25B2400/077 , F25B2600/0253 , F25B2700/15 , F25B2700/21 , Y02B30/741
Abstract: 通过构成为如下的冷却装置，其包括：冷却单元，其通过与制冷剂的热交换对控制箱内的空气进行冷却；风扇，其搅拌控制箱内的空气；控制箱内温度检测单元，其检测控制箱内的温度；和频率控制单元，其控制使制冷剂循环的压缩机的驱动频率，其中，当控制箱内温度检测单元检测到规定以上的温度时，频率控制单元降低频率，由此，即使冷却单元无法充分冷却控制部件，也能够使压缩机的驱动频率降低至规定以下，使控制部件不会成为规定以上的温度，从而不使控制部件损伤，并且能够确保更高的可靠性。
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公开(公告)号：CN101669282A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200880012777.2
申请日：2008-07-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03F3/45 , H01L27/04 , H01L21/82 , H03M1/14 , H01L21/822
CPC classification number: H03F3/45183 , H01L27/0629 , H01L27/0811 , H01L27/088 , H03F2203/45352 , H03F2203/45371 , H03F2203/45486 , H03M1/0682 , H03M1/0695 , H03M1/442
Abstract: 本发明提供一种运算放大器及管线型AD转换器。差动电压布线(W101a)将差动晶体管(T101a、T101a、…)之中使用的晶体管的栅极电极电连接在接受输入电压(Vinn)的输入节点上，差动电压布线(W101b)将差动晶体管(T101b、T101b、…)之中使用的晶体管的栅极电极电连接在接受输入电压(Vinp)的输入节点上。偏置电压布线(W102)将电流源晶体管(T102、T102、…)之中使用的晶体管的栅极电极电连接在接受偏置电压(WBN)的偏置节点上，偏置电压布线(W103)将负载晶体管(T103a、T103a、…、T103b、T103b…)之中使用的晶体管的栅极电极电连接在接受偏置电压(VBP)的偏置节点上。
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公开(公告)号：CN101447789A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810190207.4
申请日：2002-12-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03M1/36
Abstract: 本发明提供一种A/D转换器和A/D转换方法，其中A/D转换器包括：决定分解度的控制部件；根据所述控制部件的信号来变更电流的放大器；由在一端输入所述放大器的输出而在另一端输入相互不同的电压的多个比较器所构成的电压比较器列；通过把所述电压比较器列的比较结果输入到所述控制部件中来修正分解度。
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公开(公告)号：CN1550948A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410043131.4
申请日：2004-05-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C5/147
Abstract: 本发明的半导体集成电路是具备产生作为基准的电压的基准电压发生电路、使用该输出电压而动作的功能电路，并将使该输出电压稳定的基准电压稳定电容连接到上述基准电压发生电路的输出端子的半导体集成电路，提供一种能够缩短从待机状态到通常动作状态的恢复时间的半导体集成电路。在待机状态下，功能电路停止动作，但基准电压发生电路避免完全停止，防止基准电压稳定电容放电。由此，在降低模拟电路等功能电路的消耗电力的同时，能够实现从待机状态到通常动作状态的高速恢复。
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公开(公告)号：CN1273437A
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：CN00107261.7
申请日：2000-04-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/82
CPC classification number: H03K19/00361 , H03K19/0016 , H03K19/00315
Abstract: 数字电路部分中的通过双栅极加工工艺而制成的CMOS反相器,备有其栅极由P型多晶硅形成的P沟道场效应晶体管。该P沟道场效应晶体管的源极接在电源上,且该P沟道场效应晶体管的反向栅极直接接在该源极上。当在低功耗模式下上述电源被切断后,P沟道场效应晶体管便处于不起晶体管之作用的状态。为防止该P沟道场效应晶体管的特性在该模式下变坏,而设置了在该模式下,能将该P沟道场效应晶体管的栅极电压固定为0的下拉开关。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103080669B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201180041926.X
申请日：2011-02-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: F25B1/00
CPC classification number: F28D20/0034 , F25B31/006 , F25B47/022 , F25B2400/05 , F25B2400/24 , F28D2020/0078 , Y02E60/142
Abstract: 本发明以与压缩机（6）外接的方式配置蓄热装置，该蓄热装置由收纳将压缩机（6）中产生的热量蓄积的蓄热材料的蓄热槽（32）和收纳在蓄热槽（32）中的蓄热热交换器（34）构成，蓄热槽（32）以与压缩机（6）外接的方式配置，在蓄热槽（32）和压缩机（6）接触的压缩机外周部分中的1处具有缝隙，面向该缝隙的蓄热槽（32）的末端部（46、47）中的至少一方的槽宽比槽宽最薄的部分厚，由此节省了空间，并且能够确保规定的容积。
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公开(公告)号：CN103154640A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180047336.8
申请日：2011-02-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: F25B13/00 , F25B2400/24 , Y02B30/52
Abstract: 以包围大致圆筒状的压缩机（6）的方式配置的蓄热装置，其收纳：蓄积由上述压缩机（6）产生的热的蓄热材料（36）；和用于取得所蓄积的热的蓄热热交换器（34），上述蓄热装置具有为了取得由上述压缩机产生的热而与压缩机接触的传热面（46b），在上述传热面与压缩机之间夹着热传导率高的传热板（51），并且在上述传热板以规定的间隔设置有具有整体面积的25%以下的面积的通气孔（54），由此能够确保高传热性能。
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公开(公告)号：CN101595638B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200880003246.7
申请日：2008-05-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F3/45475 , H03F1/0261 , H03F1/34 , H03F3/3022 , H03F3/347 , H03F3/45928 , H03F3/68 , H03F2203/45136
Abstract: 本发明提供一种偏压电路和具有该偏压电路的半导体集成电路。在将多个模拟信号通过各电容(C)传输到模拟信号处理电路(ANA2)的各输入端子时，将这些模拟信号的信号地线等的偏置电压提供给模拟信号处理电路的偏压电路(Bias)中，运算放大器(OpAS)从内置的差动放大电路(DA)的非反相输入(VIP)输入偏置电压(VIr)，内置输出放大电路(OA1)的输出端子与差动放大电路的反相输入(VIM)连接，构成电压输出器。还设置多个输出放大电路(OA2～OAn)，它们的输入端子与差动放大电路的输出端子连接，它们的输出端子与模拟信号处理电路的各输入端子(IN1～INn)连接。因此，不产生面积和功耗的增大，不导致模拟信号处理电路的各输入端子间的偏移的增大，能够有效防止这些输入端子间的相互干扰。
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公开(公告)号：CN102263106A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110199616.2
申请日：2008-05-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/08 , H01L23/522 , H03L7/093
CPC classification number: H01L27/0805 , H01L23/5223 , H01L2224/05553 , H01L2224/06 , H01L2924/0002 , H03H11/04 , H03H2001/0014 , H03L7/0891 , H03L7/093 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体集成电路上搭载多个具有梳状电容(10)的模拟宏，梳状电容(10)具有梳状电极(11)及电极(12)，电极(11)的梳齿部(13)与电极(12)的梳齿部(14)相咬合而形成，结果使得电极(11)的梳齿部(13)与电极(12)的梳齿部(14)交替地平行排列，其梳齿部间隔S按照表示实际电容值与理想电容值之间的误差的绝对精度或它跟与之接近的梳状电容间的电容值之差的相对精度而不同。可提供具有确保高的电容精度的梳状电容的高精度模拟宏，及搭载有高集成模拟宏的半导体集成电路。
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公开(公告)号：CN101447789B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200810190207.4
申请日：2002-12-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03M1/36
Abstract: 本发明提供一种A/D转换器和A/D转换方法，其中A/D转换器包括：决定分解度的控制部件；根据所述控制部件的信号来变更电流的放大器；由在一端输入所述放大器的输出而在另一端输入相互不同的电压的多个比较器所构成的电压比较器列；通过把所述电压比较器列的比较结果输入到所述控制部件中来修正分解度。
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