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公开(公告)号：CN109964405B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201780070878.4
申请日：2017-10-04
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种接合体，其中，压电性单晶基板6的材质为LiAO3(A为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素)，接合层3A的材质为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素的氧化物，沿着压电性单晶基板6与接合层3A的边界，设置有组成为ExO(1‑x)(E为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素，0.29≤x≤0.89。)的界面层12。
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公开(公告)号：CN111052415B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201880052347.7
申请日：2018-08-06
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。高亮度发光部5包括沿着13族元素氮化物结晶13的m面延伸的部分，上表面13a的法线T相对于13族元素氮化物结晶的＜0001＞方向而言具有2.0°以下的偏角θ。
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公开(公告)号：CN111886368A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201980018739.6
申请日：2019-02-14
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个单晶粒子构成的13族元素氮化物结晶层中，能够降低表面的位错缺陷，改善功能层的成品率及效率。包含多晶13族元素氮化物的13族元素氮化物层由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个单晶粒子构成。13族元素氮化物包含氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶。13族元素氮化物层具有上表面和底面，所述上表面的X射线摇摆曲线的(1000)晶面反射的半值宽度为20000秒以下1500秒以上。
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公开(公告)号：CN111052414A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880052334.X
申请日：2018-07-27
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。高亮度发光部5包括沿着13族元素氮化物结晶13的m面延伸的部分，氧原子的含量为1×1018atom/cm3以下，硅原子、锰原子、碳原子、镁原子以及钙原子的含量分别为1×1017atom/cm3以下，铬原子的含量为1×1016atom/cm3以下，氯原子的含量为1×1015atom/cm3以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111033763A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201780093870.X
申请日：2017-09-21
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明在包含选自氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中的13族元素氮化物结晶且具有上表面及底面的13族元素氮化物结晶层的基础上，提供一种能够降低位错密度、从整体上减少特性偏差的微结构。在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。高亮度发光部5包括沿着13族元素氮化物结晶13的m面延伸的部分。
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公开(公告)号：CN107002283B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201580063728.1
申请日：2015-11-30
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 结晶基板2由13族元素氮化物结晶构成，且具有第一主面2a及第二主面2b。低载流子浓度区域4和高载流子浓度区域5在第一主面2a与第二主面2b之间延伸。低载流子浓度区域4的载流子浓度为1018/cm3以下，低载流子浓度区域4的缺陷密度为107/cm2以下。高载流子浓度区域5的载流子浓度为1019/cm3以上，高载流子浓度区域6的缺陷密度为108/cm2以上。
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公开(公告)号：CN105765802B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201480063207.1
申请日：2014-11-17
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01S5/14
Abstract: 不使用珀耳帖元件就能够抑制跳模，提高波长稳定性，抑制光强度变动。外部谐振器型发光装置具备单独使半导体激光振荡的光源、以及与该光源构成外部谐振器的进行单模振荡的光栅元件。光源具备使半导体激光振荡的活性层。光栅元件具备：光波导，其具有射入半导体激光的入射面和射出所需波长的出射光的出射面；布拉格光栅，其形成在光波导内；以及传播部，其设置在入射面和布拉格光栅之间。该外部谐振器型发光装置满足式(1)～式(5)的关系。
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公开(公告)号：CN108886347B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201780017024.X
申请日：2017-02-22
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H3/08 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/313 , H01L41/337 , H03H9/25
Abstract: 在将压电性单晶基板与包含陶瓷的支撑基板直接键合时，可进行常温下的接合，并且使接合强度提高。在包含陶瓷的支撑基板上形成接合层，该接合层包含选自由莫来石、氧化铝、五氧化钽、氧化钛和五氧化铌构成的组中的一种以上的材质。通过对接合层的表面照射中性束，使接合层3A的表面4活化。将接合层的表面4与压电性单晶基板6直接键合。
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公开(公告)号：CN109964405A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201780070878.4
申请日：2017-10-04
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种接合体，其中，压电性单晶基板6的材质为LiAO3(A为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素)，接合层3A的材质为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素的氧化物，沿着压电性单晶基板6与接合层3A的边界，设置有组成为ExO(1‑x)(E为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素，0.29≤x≤0.89。)的界面层12。
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