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公开(公告)号：CN117713741A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410159953.6
申请日：2024-02-04
申请人： 深圳新声半导体有限公司
摘要： 本申请涉及半导体器件技术领域，公开一种薄膜表面声波滤波器及其制作方法。其中，薄膜表面声波滤波器包括基板、IDT电极、焊盘金属层、保护层、支撑部、覆盖部和通孔。基板包括压电层和承载衬底。IDT电极设置于压电层的上方。焊盘金属层设置于承载衬底的上方，且与IDT电极电连接。保护层设置于承载衬底的上方。保护层覆盖于压电层和IDT电极并暴露焊盘金属层。支撑部设置于保护层，并暴露分别与IDT电极和焊盘金属层对应的区域。覆盖部设置于支撑部，且横跨IDT电极上方区域以与支撑部围合形成空腔；通孔通过暴露覆盖部与焊盘金属层对应的区域形成。本申请实现了薄膜表面声波滤波器的小型化、低成本化。
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公开(公告)号：CN117459013A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311781490.9
申请日：2023-12-22
申请人： 深圳新声半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种片上阻抗匹配网络、方法、射频接收电路及发射电路，所述片上阻抗匹配网络包括射频元件一、射频元件二以及型或L型的匹配网络，射频元件二中集成信号检测模块和数字电路模块，信号检测模块检测射频元件一发出的射频信号一，计算反馈信号，根据反馈信号计算控制信号，控制信号通过数字电路模块发送给匹配网络，用于调节匹配网络实际接入电路的有效电容值和有效电感值。本发明优化了射频元件之间的匹配方式，系统集成度高，能够使射频链路信号得到最优传播。
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公开(公告)号：CN117353702A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311656820.1
申请日：2023-12-06
申请人： 深圳新声半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种IHP SAW滤波器及射频前端，涉及声表面波器件领域，包括：由上至下依次设置叉指电极层、压电薄膜、介质层以及衬底载体；所述叉指电极层上设有叉指电极和至少一个假指；所述叉指电极包括多个指条，每一假指与一指条相对设置；相对设置的假指与指条之间具有凹槽；所述凹槽的底面与所述压电薄膜层上表面间的距离，不小于所述压电薄膜的二分之一厚度，并且，所述底面位于所述介质层的下表面之上；所述凹槽构成相对设置的假指与指条之间的间隙；声波在所述间隙内的声速，小于激励区域内的声速；所述激励区域为指条交叉的区域。本发明能够有效抑制IHP SAW的横向模式，提升滤波器的整体性能。
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公开(公告)号：CN117097296A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311345399.2
申请日：2023-10-18
申请人： 深圳新声半导体有限公司
摘要： 一种声表面波谐振器装置及其制造方法、滤波器，声表面波谐振器装置包括：压电基板；叉指换能器，设置于压电基板上，且包括第一叉指电极结构和第二叉指电极结构，每个叉指电极结构包括彼此相连的叉指电极和叉指电极引出部；第一温度补偿层，设置于压电基板上，且包括主体部和凸出部，主体部覆盖叉指换能器，凸出部在垂直于压电基板的主表面的第三方向上朝向压电基板凸出于主体部，且在平行于压电基板的主表面的方向上被压电基板环绕，其中压电基板包括第一压电部和第二压电部，第一压电部的第一压电表面和第二压电部的第二压电表面各自连续延伸且分别接触第一叉指电极结构的第一电极表面和第二叉指电极结构的第二电极表面。
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公开(公告)号：CN116979926A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311116941.7
申请日：2023-09-01
申请人： 深圳新声半导体有限公司
摘要： 一种声表面波谐振器装置及其制造方法、滤波器，声表面波谐振器装置包括：压电基板；叉指换能器，位于压电基板的一侧，具有叉指电极区，且包括彼此连接的第一叉指电极和第一叉指电极引出部、彼此连接的第二叉指电极和第二叉指电极引出部；第一和第二叉指电极位于叉指电极区中，沿第一方向延伸且在第二方向上交替排列；第一和第二叉指电极引出部在第一方向上位于叉指电极区的相对侧；第一中间层，覆盖叉指换能器；第一导电结构和第二导电结构，位于第一中间层的远离压电基板的一侧，且各自在第三方向上与第一和第二叉指电极的末端部分交叠，第一导电结构与第一和第二叉指电极之一电连接，第二导电结构与第一和第二叉指电极之另一电连接。
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公开(公告)号：CN116915206A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311163571.2
申请日：2023-09-11
申请人： 深圳新声半导体有限公司
摘要： 本申请实施例公开了一种声表面波滤波器，包括至少一个声表面波谐振器，声表面波谐振器除包括叉指换能器外，还包括分布式电极，分布式电极包括沿第一方向排布的第一分布式电极和第二分布式电极，第一分布式电极包括沿第二方向排布的多个第一块状电极，第二分布式电极包括沿第二方向排布的多个第二块状电极，第一块状电极与叉指电极一一对应，第一块状电极在衬底所在平面的投影位于其对应的叉指电极在衬底所在平面的投影范围内；第二块状电极与叉指电极一一对应，第二块状电极在衬底所在平面的投影位于其对应的叉指电极在衬底所在平面的投影范围内，以抑制声表面波谐振器的杂散信号，提高声表面波谐振器的性能，从而提高声表面波滤波器的性能。
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公开(公告)号：CN116896347A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202311163498.9
申请日：2023-09-11
申请人： 深圳新声半导体有限公司
摘要： 本申请实施例公开了一种声表面波滤波器，包括至少一个声表面波谐振器，所述声表面波谐振器除包括叉指换能器外，还包括辅助电极，且所述辅助电极，所述辅助电极包括第一辅助电极和第二辅助电极，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第一辅助电极覆盖多个所述第一叉指电极的端部，且与多个所述第二叉指电极相交，所述第二辅助电极覆盖多个所述第二叉指电极的端部，且与多个所述第一叉指电极相交，以减小所述声表面波谐振器的杂散信号，提高所述声表面波谐振器的性能，从而提高所述声表面波滤波器的性能。
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公开(公告)号：CN116846358A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310799849.9
申请日：2023-06-30
申请人： 深圳新声半导体有限公司
摘要： 本申请实施例公开了一种滤波装置及其制作方法，该滤波装置包括声学谐振器和至少一个电容滤波器，从而使得所述滤波装置既包括声学谐振器，又包括电容滤波器，因此，本申请实施例所提供的滤波装置既能实现大带宽的要求，又具有较高Q值，可以实现滤波器的快速滚降。而且，该滤波装置中，所述声学谐振器包括多个电极，所述多个电极的至少一个电极的至少部分区域复用为所述电容滤波器的部分电极，从而将声学谐振器和电容滤波器制作在一个晶圆上，同时复用部分结构，以减小所述滤波装置的体积。
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公开(公告)号：CN117559952B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202311854016.4
申请日：2023-12-29
申请人： 深圳新声半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种顶层设置抑制杂波单元的TC‑SAW谐振结构，包括：衬底；叉指换能器，所述叉指换能器设置在衬底上，所述叉指换能器包括第一叉指换能器和第二叉指换能器；所述第一叉指换能器包括第一汇流排和连接至第一汇流排的各第一电极指，所述第二叉指换能器包括第二汇流排和连接至第二汇流排的各第二电极指；温度补偿层，所述温度补偿层覆盖在各第一电极指和各第二电极指的表面；抑制杂波单元，所述抑制杂波单元为设置在温度补偿层上方的金属结构，所述抑制杂波单元在第一方向上形成连续周期的两个对称分布的余弦波形。本发明的一种顶层设置抑制杂波单元的TC‑SAW谐振结构，通过设置余弦结构的抑制杂波单元，提高了滤波器抑制杂波的效果。
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