-
公开(公告)号：CN112909168B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202110308197.5
申请日：2021-03-23
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种基于锂掺杂氧化铌的多功能存储器件及其制备方法，该多功能存储器件包括：底电极，转变层和顶电极；转变层的材料为锂掺杂氧化铌薄膜。本申请的多功能存储器件，转变层的材料为锂掺杂氧化铌薄膜。且氧化铌是一种良好的相变材料，制备工艺简单；该材料价格较低，成本可控；本申请采用锂掺杂氧化铌作为转变层，由于锂金属易氧化且与氧空位相互作用，锂和氧空位一起形成的导电细丝更加稳定，故而使得基于该器件阻变过程中的最低限流低至500μA时实现稳定的双极性转变性能。同时基于该材料所得的器件还具有良好的忆阻特性，并且可以用来模拟神经突触；本申请的基于锂掺杂氧化铌的多功能存储器件，也可实现选通性能。
-
公开(公告)号：CN116234428A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310371857.3
申请日：2023-04-10
Applicant: 湖北大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明属于选通管器件技术领域，公开了一种基于硅掺杂碲化锗的选通管器件，从下至上依次为：底电极，转换层，顶电极；底电极的材料为Pt，转换层的材料为硅掺杂的碲化锗薄膜，顶电极的材料为Ti；转换层中硅和碲化锗的摩尔比为1:40~50；本发明还公开了上述基于硅掺杂碲化锗的选通管器件的一种制备方法。本发明适用于制备基于硅掺杂碲化锗的选通管器件，经硅掺杂碲化锗的选通管器件具有Forming‑free特性，由于免除了Forming过程选通管器件的稳定性和耐受性都得到改善。
-
公开(公告)号：CN112374545B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202011257579.1
申请日：2020-11-11
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明涉及一种基于碳布生长的过渡金属离子掺杂四氧化三锰纳米片阵列及其制备方法和应用。本发明利用锰基材料本身高电位窗口作为优势，在此基础上掺杂过渡金属离子来修饰锰基材料，进而整体提高锌离子电池的电化学性能。基本步骤：先对空碳布进行预处理；然后采用电沉积法在空碳布上生长过渡金属离子掺杂四氧化三锰纳米片阵列；最后清洗干燥。本发明采用一步法，方便简单，且原料方便获得，成本低廉，无毒，这解决了传统工艺中材料含杂质过多，操作繁琐等问题。对于锌离子电池阴极材料而言，本发明通过过渡金属离子掺杂锰基氧化物的方式以优化结构进而提高电池的电化学性能。这为以后锌离子电池阴极材料的选材或者改善提供了一个很好的思路。
-
公开(公告)号：CN113134604A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110346915.8
申请日：2021-03-31
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种具有密排六方结构的单相PdxPt(50‑x)Bi50三元合金纳米颗粒及其制备方法和应用，属于合金材料和电化学技术领域。本发明通过多元醇还原法制备合成了PdxPt(50‑x)Bi50三元合金纳米颗粒，颗粒具有单一的密排六方结构，合金中Pd成分的摩尔比在2.5～15之间，纳米颗粒的尺寸在10～50nm之间。本发明方法合成的PdxPt(50‑x)Bi50三元合金纳米颗粒具有低Pt含量、无杂相、高ORR及HER活性和稳定性的优点，对实现少铂化技术在燃料电池、商业电解水方面的大规模应用具有潜在价值。
-
公开(公告)号：CN112885868A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110149898.9
申请日：2021-02-03
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种基于氧化铌选通管的1S1R器件及其制备方法，该器件包括底电极、转换层、阻变层和顶电极；其中，阻变层的材料为氮化硅、氧化硅、氧化镍、氧化铪和氧化钛薄膜材料中的一种。本申请的基于氧化铌选通管的1S1R器件，阻变层的材料为氮化硅、氧化硅、氧化镍、氧化铪和氧化钛薄膜材料中的一种，采用的这些材料的电学性质非常稳定，将基于这两类材料的功能层直接堆叠集成制备得到的1S1R器件性能稳定，拥有稳定的SET电压和RESET电压，以及明显的存储窗口，基于这些材料制得的1S1R器件具有1S1R的电学性能，在一定次数的直流耐受性测试中，有稳定的操作电压，也有明显的存储窗口。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110729462B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201911005862.2
申请日：2019-10-22
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种金属阳离子插层结构的锰氧化物电极材料，该材料是在原有的锰氧化物的层间插入金属阳离子，同时在表面生长出金属纳米薄片，阳离子的嵌入增大了层间距更便利于充放电过程中的电解液中的离子的嵌入和脱出，比表面积的增大为电解液中的离子提供了更大接触位点。本发明所述的电极材料制备方法如下：①使用0.1～10mol/L金属盐溶液置于三电极电解槽中，以Ag/AgCl电极为参比电极，铂片作为对电极，将锰的氧化物放入三电极电解槽形成三电极系统；②使用5～500mV/s的扫描速率对锰的氧化物材料进行电化学嵌金属阳离子，段数可取200～2000段；③将上述黑褐色产物反复清洗，真空干燥即可。
-
公开(公告)号：CN110942919B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201911310075.9
申请日：2019-12-18
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种可快速充放电的水系锌离子混合超级电容器及其制备方法，属于电化学储能器件技术领域。本发明的可快速充放电的水系锌离子混合超级电容器，包括正极、负极、设置于正负极之间的隔膜、电解液及壳体，其中：所述正极活性物质、负极活性物质均为介孔碳空心球；所述电解液由锌盐、钠盐与去离子水组成。本发明的水系锌离子混合超级电容器工作在0‑1.6V电压范围内能够提供226F/g的比容量，还具有良好的速率能力，并且能够在17秒内快速充电/放电，由此可见，本发明的混合超级电容器显示出优异的循环稳定性，在2500次循环中具有99.4％的容量保持率，非常适用于安全，高速率和超长寿命的可再充电能量存储。
-
公开(公告)号：CN112397648A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011442707.X
申请日：2020-12-11
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种基于钛掺杂的氧化铌选通管及其制备方法，该选通管包括：底电极；转换层，位于所述底电极一侧表面；顶电极，位于所述转换层远离所述底电极一侧表面；其中，所述转换层的材料为钛掺杂的氧化铌。未掺杂钛的氧化铌选通管相比于本发明，需要在选通管上外加‑5.15V的Forming电压，只有经过Forming过程选通管才能表现出阈值转变的性能。本发明的基于钛掺杂的氧化铌选通管，不需要Forming过程就可以直接表现出阈值转变的性能，具有Forming‑free的特性，可以极大地缓解外围电路的设计压力，并保护器件免受大电压的破坏。
-
公开(公告)号：CN112374545A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011257579.1
申请日：2020-11-11
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明涉及一种基于碳布生长的过渡金属离子掺杂四氧化三锰纳米片阵列及其制备方法和应用。本发明利用锰基材料本身高电位窗口作为优势，在此基础上掺杂过渡金属离子来修饰锰基材料，进而整体提高锌离子电池的电化学性能。基本步骤：先对空碳布进行预处理；然后采用电沉积法在空碳布上生长过渡金属离子掺杂四氧化三锰纳米片阵列；最后清洗干燥。本发明采用一步法，方便简单，且原料方便获得，成本低廉，无毒，这解决了传统工艺中材料含杂质过多，操作繁琐等问题。对于锌离子电池阴极材料而言，本发明通过过渡金属离子掺杂锰基氧化物的方式以优化结构进而提高电池的电化学性能。这为以后锌离子电池阴极材料的选材或者改善提供了一个很好的思路。
-
公开(公告)号：CN110729462A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201911005862.2
申请日：2019-10-22
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种金属阳离子插层结构的锰氧化物电极材料，该材料是在原有的锰氧化物的层间插入金属阳离子，同时在表面生长出金属纳米薄片，阳离子的嵌入增大了层间距更便利于充放电过程中的电解液中的离子的嵌入和脱出，比表面积的增大为电解液中的离子提供了更大接触位点。本发明所述的电极材料制备方法如下：①使用0.1～10mol/L金属盐溶液置于三电极电解槽中，以Ag/AgCl电极为参比电极，铂片作为对电极，将锰的氧化物放入三电极电解槽形成三电极系统；②使用5～500mV/s的扫描速率对锰的氧化物材料进行电化学嵌金属阳离子，段数可取200～2000段；③将上述黑褐色产物反复清洗，真空干燥即可。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
93
records
(took 0.216 seconds)
