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公开(公告)号：CN104789928A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410019262.2
申请日：2014-01-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种制备低电阻温度系数和高电阻率的TaN/Ta多层膜的制备方法，包括以下步骤：a.清洗绝缘基板后，并在清洗后的绝缘基板上采用丝网印刷技术沉积银电极或者银钯等电极，作为匹配电极与接地电极；b.真空热处理；c.充入氮气与氩气，溅射氮化钽膜电阻层；d.溅射钽膜电阻层；e.依次重复步骤c与步骤d若干次；f.TaN/Ta多层膜制备好后，从腔体取出基片，把基片放入真空退火炉中进行老化处理，老化温度为200℃，时间30min，增加多层膜的稳定性。本发明的有益效果是：本发明采用的是射频反应磁控溅射系统，可以解决常规直流溅射系统中靶材表面中毒而导致的弧光放电、打火甚至灭弧现象，稳定性大大改善，同时沉积速率足够快，有利于产业化制备。
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公开(公告)号：CN1790543B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200410081514.0
申请日：2004-12-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种磁性随机存储器MRAM参考信号的产生方法，它是通过外加电流产生磁场，该磁场改变存储单元两磁性层磁化方向的夹角来获得中间态，将该中间态的电阻作为参考信号，并利用MRAM中信息存储单元的电阻值与存储单元中两磁性层磁化方向的夹角存在确定的变化规律，来实现MRAM中存储单元信息的读取。利用本发明的方法可以实现MRAM中存储信息的快速读取，它具有高速读取且不降低存储密度的优点。
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公开(公告)号：CN117665830A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311769684.7
申请日：2023-12-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01S17/06
Abstract: 本发明属于磁传感技术领域，具体为一种基于单个磁传感器对永磁体的实时定位方法。本发明通过BP神经网络所建立的拟合函数，利用单个磁传感器对目标永磁体进行实时磁场测量，将目标永磁体的三轴磁场信息转换为坐标信息，实现了对永磁体的实时跟踪定位。本发明操作简单、占用空间体积较小、成本较低、能够通过磁传感器实时监测目标永磁体的三轴磁场强度信息，即时更新位置信息、定位结果准确，同时根据应用场景和需求的不同，目标永磁体可以选择不同规格、尺寸的永磁体，针对所选择永磁体的磁场强度信息，综合考虑量程和分辨率等参数选择合适种类、型号的磁传感器，以达到理想的定位范围和精度。
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公开(公告)号：CN116576767A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310270493.X
申请日：2023-03-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01B7/06
Abstract: 本发明属于材料测试技术领域，具体涉及了一种金属表面超薄氧化层厚度的监测方法。具体为考虑了超薄金属薄膜的尺寸效应，电阻率与薄膜厚度有关，提出了一种金属表面超薄氧化层厚度的监测方法，有效的解决了电阻率对超薄氧化层厚度计算的影响。本发明采用四探针法测量样品的电阻率ρ，原子力显微镜(AFM)测量金属薄膜的厚度t，从而得到电阻率关于薄膜厚度t的数据曲线。通过数据拟合得到电阻率与厚度的函数关系ρ(t)。对待测样品而言，根据待测金属薄膜厚度，通过函数关系ρ(t)可得到该厚度对应的金属薄膜电阻率。将样品的电阻率代入基于电阻法的氧化层厚度公式，可得该金属表面超薄氧化层厚度与氧化时间的关系，从而对金属表面超薄氧化层厚度进行动态监测。相比于传统的测试方法而言，修正了由于尺寸效应引起电阻率变化对超薄薄膜氧化层厚度计算的影响，实现超薄氧化层厚度的动态监测。同时在金属薄膜表面超薄氧化层测量过程中，只对样品进行方电阻的测量，电阻测量设备种类非常多而且价格低廉、测试成本低和操作简单等优点。
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公开(公告)号：CN112986704B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110207388.2
申请日：2021-02-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于压电系数测试领域，具体提供一种基于原子力显微镜的纵向压电系数测量方法；通过对原子力显微镜的探针各部分静电力的贡献比例分析、以及探针所受静电力与探针‑样品间隙z0的变化关系分析，设置探针‑样品间隙z0的初始值z00≥1μm、终止值0＜z01≤10nm，使得同一压电材料样品在探针‑样品间隙z00与z01时分别表现为非压电和压电两种状态，并采用两种状态下的lg(|Fes|)‑lg(Vtip)曲线的围合面积S作为纵向压电系数d33的表征参数，最终通过标准压电薄膜样品的标定得到d33‑S曲线，进而实现待测压电薄膜的纵向压电系数的测量。本发明能够在待测压电材料样品表面无需沉淀电极的前提下，利用原子力显微镜探针的非接触模式测量得到待测压电材料样品的纵向压电系数d33，且测量操作简单、测量准确度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113257511A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110509368.0
申请日：2021-05-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的Set/Reset线圈及其设计方法，线圈采用并联的结构，无需设计通孔，线圈的两个端口便可以通过引线直接和芯片的引脚连接，制备工艺只涉及一层结构。而一般的Set/Reset线圈需要设计通孔，线圈的一个端口通过通孔连接到另一层的引线才能和芯片的引脚连接，制备工艺涉及两层结构。本发明的设计方法简单可行，有效减小了器件制备工艺的难度，降低了制备成本，提升了器件制备的可靠性。实际应用中，可以根据实际的需要，对并联的线圈的条数、宽度和长度进行修改。
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公开(公告)号：CN110596174B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910831127.0
申请日：2019-09-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N23/2273 , G01N23/2202
Abstract: 本发明属于材料测试技术领域，具体涉及了一种用于评估高反射率膜损耗稳定性的X射线辐照测试方法。本发明利用X射线的电荷积累效应，模拟高反膜因荷电积累的失效过程：采用的X射线源对高反膜表面进行荷电处理，在累积的处理过程中；同时利用光电子能谱仪原位监测高反膜表面化学态的变化，间断的进行XPS分析，检测高反膜表面的各元素的化学态变化。通过对随机选取的失效组样品和非失效组样品进行统计分析，并引入α和β参数描述O1s峰的对称性，只用到了两个拟合参数，就可以评估辐照荷电老化时的损耗变化，便于工程实际应用，是一种方便、快捷的判别方法。特别适合用于膜层材料工艺实验的快速优化、工艺监控等环节。
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公开(公告)号：CN111430866A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010310858.3
申请日：2020-04-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/103
Abstract: 本发明涉及一种基于伸缩探针结构的阻抗匹配装置，属于电磁场和微波电路技术领域。本发明的阻抗匹配装置，利用伸缩探针结构，使探针长度连续可调，从而可以通过调节探针深入矩形波导内的长短，改变矩形波导内的结构，这些结构都是良导体，会影响波导内电磁场的分布，且影响波导与谐振腔之间的阻抗匹配状态，从而调节阻抗匹配装置与谐振腔的耦合状态，起到了调节阻抗，实现阻抗匹配的目的；此外，该装置采用矩形波导结构，在矩形波导中导行电磁波以TE10模式传播，因此激发出的谐振腔模式更加单一，能有效避免简并模的产生。本发明的阻抗匹配装置结构简单，性能可靠，稳定性好，且对于不同的样品可重复使用。
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公开(公告)号：CN108151907B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201711415634.3
申请日：2017-12-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于声表面波传感器的应用领域，具体为LGS声表面波温度传感器的线性温度频率特性测算方法。本发明首先对LGS声表面波温度传感器进行标定，得到其室温时瑞利波模式频率及体波模式频率f01、f02，两个模式的一阶温度频率系数x1、x2，然后利用传统的基于LGS的同一个声表面波谐振器的瑞利波模式和体波模式二阶温度系数接近相等且所处环境变量完全相同的特点，通过测试得到LGS声表面波温度传感器所处环境下瑞利波模式和体波模式的谐振频率f1和f2，代入公式即可计算得到当前温度T。本发明在不增加器件面积、器件复杂度的前提下，扩大了原传感器温度测试的应用范围，且差分频率具有优良的线性温度特性。
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公开(公告)号：CN106872917B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201710123217.5
申请日：2017-03-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R33/20
Abstract: 本发明公开了一种测试磁性材料铁磁共振线宽面内分布的方法及系统，涉及磁性材料参数测试技术领域。本发明能够克服现有技术中微波探针尖端在测试磁性材料中形成微波磁场很弱的缺点，本发明通过增强微波探针的尖端在磁性材料中形成的微波磁场，使得矢量网络分析仪获得更强的返回信号，进而能够用于测试更薄的磁性薄膜的铁磁共振线宽；本发明能够通过分析磁性薄膜样品各区域的铁磁共振线宽的差异进一步反映磁性薄膜的均匀性，相比于传统的光学测试方法具有快速、简便的优势。
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