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公开(公告)号：CN113697448A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110957629.5
申请日：2021-08-19
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于机械结构设计领域，具体涉及一种新型全自动的筷子勺子分拣装置，第一滚筒和第二滚筒之间设有输送带；第一滚筒的上方设置有调整机构且调整机构中包括有多个与传送方向平行的分离挡板，机架上设有电机且电机位于第二滚筒的下方；机架上设有筷子收集漏斗，筷子收集漏斗位于第一滚筒一侧且筷子收集漏斗与第一滚筒之间留有间隙，机架上设有勺子收集盒；机架一侧设有分拣机构，筷子收集漏斗中的筷子通过两个筷子输送轮的输送进入分拣机构。优点：一种新型全自动的筷子勺子分拣装置，根据勺子与筷子的尺寸区别、以及筷子的重心与几何中心的偏差，将散乱混合在一起的筷子、勺子分离，并使筷子能够按照大、小头的区别整齐排列。
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公开(公告)号：CN110335153B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201910635156.X
申请日：2019-07-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例提供的一种基于遗传算法的区块链交易输入选择方法，涉及区块链技术领域，其包括输入集合UTXOs以及目标值target；遍历UTXOs，计算当前余额total；根据total大小、UTXOs中各个UTXO的金额大小以及target大小来判断如何输出，当total>target并且在UTXOs中不存在比target大的UTXO时，将UTXOs中的数从大到小依次相加，直到总和sum>＝target，停止相加，记录相加因子的个数num，将相加因子的组合组合作为初始种群的一个个体，再随机生成剩下M‑1个个体(M为种群大小)，形成初始种群；利用遗传算法,查找最好的交易输入选择结果result。通过该方法得到的UTXO组合的金额总和更接近目标输出金额，而且交易输入的个数最少，能够获得最佳交易输入选择结果，大大提高了金额较小的UTXO的流通性。
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公开(公告)号：CN109786450B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910062575.9
申请日：2019-01-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种基于LIGBT的栅控型采样器件，第一导电类型半导体体区中具有第二导电类型半导体阴极区，第二导电类型半导体阴极区的右侧设置第一导电类型半导体阴极区，第一导电类型半导体阴极区的右侧依次设置第一个第二导电类型半导体掺杂区、与第一个第二导电类型半导体掺杂区紧邻的第一导电类型半导体掺杂区、和第一导电类型半导体掺杂区紧邻的第二个第二导电类型半导体掺杂区；第二导电类型半导体阴极区和第一导电类型半导体阴极区上表面具有第三金属电极；本发明器件在导通状态可以实现对流经器件的电流进行采样，关断瞬态可以实现对阳极电压的检测，电流采样与电压采样交替进行，且采样精度高，采样比可控。
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公开(公告)号：CN108766998B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201810549474.X
申请日：2018-05-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 一种具有凹槽栅型JFET结构的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明通过在器件正向阻断时体区中产生耗尽区之外的中性区引入等效为JFET可变电阻的JFET区，在器件正向导通时存储空穴，正向阻断时为空穴提供快速泄放回路，从而降低了器件的饱和导通压降和关断损耗，避免了器件关断后发生的短路失效现象，提高了器件的关断能力；并且，连接栅极结构与JFET区的连接桥在器件正向阻断时能够起到场板的作用，从而能够有效降低连接桥下方区域表面电场峰值，提高器件的耐压和工作可靠性；本发明器件制作与现有IGBT制作工艺兼容，JFET区的制作通过浅槽刻蚀和离子注入工艺，有利于减小JFET区栅极电阻，增强JFET结构的栅控能力；有助于减小JFET结构尺寸，提高元胞密度，实现产业化生产。
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公开(公告)号：CN109640255B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201910073338.2
申请日：2019-01-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了位置指纹室内定位方法，方法包括如下步骤，步骤S1：对wifi强度信息进行离线训练处理，得到地图中位置的AP信息；步骤S2：根据地图中位置的AP信息进行在线训练处理，得到室内定位信息，解决了以往获取位置AP信号不稳定引起的数据误差和进行处理训练集信号的异常点问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109801962B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201910062231.8
申请日：2019-01-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种基于LIGBT的双栅控制采样器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、衬底金属电极、外延氧化层、第二导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体掺杂区、第一导电类型半导体阳极区、第二金属电极、第一导电类型半导体体区、氧化层、金属栅极、第一导电类型半导体体区、第二导电类型半导体阴极区、第一个第二导电类型半导体掺杂区、第一导电类型半导体掺杂区、第二个第二导电类型半导体掺杂区、第一导电类型半导体阴极区、第三金属电极、第四金属电极、第五金属电极、第一金属电极，器件在导通状态可以实现对流经器件的电流进行采样，关断瞬态可以实现对阳极电压的检测，电流采样与电压采样交替进行，且采样精度高，采样比可控。
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公开(公告)号：CN109065619A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810953505.8
申请日：2018-08-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0696
Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域，具体的说涉及一种具有低噪声低开关损耗特性的IGBT器件。本发明通过在传统IGBT器件的分立浮空pbody区8内引入低噪声的P+型JFET源区13、N+型JFET栅极区14和P‑型JFET沟道区15结构，以此在器件正向导通时存储空穴增强电导调制，关断时快速泄放空穴，降低关断时间；同时通过介质层10在JFET栅极区14形成半包围结构，降低器件的密勒电容Cgc，抑制了JFET结构中寄生NPN开启对有效栅极电压的影响，达到了在保证低噪声的条件下，降低开关时间和开关损耗。
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公开(公告)号：CN109004025A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810863342.4
申请日：2018-08-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种SOI LIGBT(Lateral Insulator Gate Bipolar Transistor)。本发明主要特征在于：采用凹形槽及结型漂移区结构，凹形槽底部与埋氧层不接触，仅留有极为狭窄的导电路径。正向导通时，凹形槽侧壁阻挡漂移区中的空穴被阴极抽取，因此提升了漂移区阴极端的空穴浓度，根据电中性的要求，更多的电子被注入漂移区，使得漂移区阴极端的载流子浓度显著提升，即注入增强。因此，器件漂移区的电导调制效应增强，正向导通压降减小；器件关断时，漂移区结构中的P条加速耗尽N型漂移区，并提供空穴的抽取路径，提高器件的关断速度、降低关断损耗。本发明的有益效果为，相对于传统SOI LIGBT结构，本发明具有更低的正向导通压降,同时具有良好的关断特性。
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公开(公告)号：CN108767006A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810550237.5
申请日：2018-05-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供了一种集成电压采样功能的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在体区引入JFET结构的沟道处于常关状态，器件正向导通状态下，体区存储载流子，增强电导调制作用，降低了器件的饱和导通压降；器件关断状态下，体区起到浮空场限环作用，减弱了槽栅底部的电场聚集现象，提高器件的耐压可靠性；本发明所引入JFET结构的栅极和源极分别与外围控制电路和采样端口相连，利用JFET结构源极电压变化与IGBT耐压之间的映射关系即可实现电压采样功能，在达到电气隔离效果的同时也不会损害器件正向阻断特性；通过改变JFET结构的栅极偏置电压，实现电压采样比的调整，用以满足不同应用条件对电压采样的要求。本发明采样结构简单，与现有工艺兼容。
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公开(公告)号：CN108493241A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810548361.8
申请日：2018-05-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/40
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/402
Abstract: 一种具有内置JFET结构的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明提供的IGBT器件结构通过在传统槽栅型IGBT的体区引入JEFT区，JFET区等效为可变电阻，在器件正向导通时存储空穴，正向阻断时为空穴提供快速泄放回路，从而降低了器件的饱和导通压降和关断损耗，避免了器件关断后发生的短路失效现象，提高了器件的关断能力；并且，连接栅极结构与JFET区的连接桥在器件正向阻断时能够起到场板的作用，从而有效降低连接桥下方区域表面电场峰值，提高器件的耐压和工作可靠性；本发明提出内置有JFET结构的IGBT器件与现有高压IGBT器件制作工艺兼容，有利于实现产业化。
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