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公开(公告)号：CN115603698A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211497480.8
申请日：2022-11-28
Applicant: 电子科技大学(CN)
Abstract: 本发明公开一种基于弹性软化效应的可调谐薄膜体声波谐振器，属于可调谐谐振器技术领域，包括谐振结构和对称位于谐振结构两侧的应力加载结构，应力加载结构包括自下而上依次的第一下电极、第一压电薄膜层和第一上电极，谐振结构包括自下而上依次的应力敏感层、第二下电极、第二压电薄膜层和第二上电极；其中，应力敏感层具有弹性软化效应，与两侧第一压电薄膜层刚性连接，第二下电极与两侧第一上电极不相连。本发明中应力加载结构在逆压电效应下带动与之刚性连接的应力敏感层，使后者杨氏模量发生大范围改变，进而实现大范围可调谐的薄膜体声波谐振器，同时调制信号与激励信号可有效分离，具有体积小、成本低、功耗低、易于大批量生产等优势。
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公开(公告)号：CN115413520A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211019577.8
申请日：2022-08-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: A01G13/02
Abstract: 本发明涉及树木维护设备技术领域，具体涉及一种可实现草绳螺旋升降缠绕树干的装置，包括主架和缠绕组件，缠绕组件包括直线升降机构、抬升板、水平缠绕机构、C型转盘和导绳放线机构；直线升降机构能让抬升板相对主架上下移动；水平缠绕机构用于使C型转盘转动，还具有过载打滑功能，能保护树木；导绳放线机构能释放草绳并在释放过程中紧绷草绳；使用时，导绳放线机构释放草绳并紧绷草绳，然后在水平缠绕机构的作用下，草绳随着C型转盘转动，再跟随抬升板不断向上移，从而达到自动缠绕草绳，并在缠绕中绷紧草绳，让其紧紧地缠绕在树木上，解决了草绳放出后不能预紧草绳，难以保证绕绳的质量的问题。
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公开(公告)号：CN114778698A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210688060.1
申请日：2022-06-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于复合压电薄膜体声波谐振的材料弹性模量测量方法，属于薄膜材料的弹性模量测量技术领域，先构建复合压电薄膜结构，根据其中压电薄膜层的压电方程获得上下表面作用力表达式，及下电极层、上电极层和待测薄膜层的上下表面作用力表达式，类比得到复合压电薄膜结构的等效电路模型，进而求得总阻抗表达式，获得待测薄膜层的测量谐振频率和弹性模量取值区间内的理论谐振频率，采用二分法迭代更新弹性模量取值区间，直至测量谐振频率与理论谐振频率的差值在最小误差范围内，对应弹性模量为待测薄膜层的最终弹性模量。本发明采用间接测量法，仅更换待测薄膜层即可计算不同材料的弹性模量，具有结构简单、低成本、可在线重复测试的优点。
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公开(公告)号：CN113642219A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110964075.1
申请日：2021-08-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06F30/23 , G06F111/04 , G06F111/10 , G06F119/02 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种热风再流焊工艺的稳健性与可靠性综合优化设计方法，包括建立热风再流焊工艺仿真模型，得到工艺参数与焊点温度曲线之间的对应关系，并将工艺参数和焊点温度曲线进行参数化；以焊点的热疲劳寿命作为可靠性评价指标，优化热疲劳寿命至最大的同时进行稳健性优化设计，以焊点的峰值温度、超液相线时间、冷却速率、加热因子、升温速率和保温时间工艺性能参数作为稳健性评价指标，将其作为综合优化设计的约束条件；建立响应面代理模型；对代理模型进行确定性优化；最后采用自适应响应面优化方法，对代理模型进行稳健性与可靠性综合优化设计，以6σ为设计准则，迭代计算，最终得到一组最为稳健和可靠的工艺参数。
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公开(公告)号：CN113449424A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110743006.8
申请日：2021-07-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种新型BGA焊点热疲劳仿真分析方法，首先通过建立热风再流焊BGA群焊点形态预测模型，模拟热风再流焊接后中BGA群焊点的形态。其次，在BGA群焊点形态预测模型的基础上建立PCBA的热力耦合仿真模型，仿真BGA焊点在热循环载荷下的应力应变情况。根据应力应变结果，选取BGA群焊点中关键焊点，创建针对关键BGA焊点的包含焊点形态和IMC初始厚度的子模型。经仿真分析，得出关键BGA焊点在热循环载荷下的应力应变情况。最后基于塑性应变范围和Coffin‑Manson公式计算焊点热疲劳寿命，得到在热循环条件下的热疲劳寿命。本发明分析流程简洁、能够综合考虑BGA群焊点的形态和IMC初始厚度，提高了BGA热疲劳寿命预测精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107967686B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201711442389.5
申请日：2017-12-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种联合动态脑网络和长短时记忆网络的癫痫识别装置，属于生物医学图像模式识别技术领域。本发明首先计算癫痫患者和正常对照组的功能磁共振成像的脑网络和动态脑网络。然后对于脑网络，使用F‑score特征选择算法计算脑网络中每一个功能连接的F值，取出F值大于0.06对应的动态脑网络的特征作为长短时记忆网络的输入。接下来建立长短时记忆网络结构，输入为选出的动态脑网络特征，输出为样本标签，其中癫痫患者标签为1，正常人标签为0。最后使用随机梯度下降算法来优化网络中的参数，经过不断的训练，最终完成癫痫患者于正常人之间的识别任务。本发明首次结合动态脑网络和长短时记忆网络来进行癫痫医疗辅助诊断任务。
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公开(公告)号：CN112314666A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011357458.4
申请日：2020-11-27
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种便用杀猪笼，所述第一挡板与所述第一连接块可拆卸连接，并位于所述第一连接块的顶部，所述第一连接块带动所述第一挡板向所述第一气缸的方向靠拢，从而抵持猪的两个后脚，对猪脚进行约束，两组所述第二支撑组件的一端分别贯穿所述第一支撑板，并均位于所述第一支撑板的下方，两组所述支撑组件收缩，使得所述第一横杆和所述第二横杆向下运动，对猪的身体进行约束，猪头进入所述第一框体和所述第二框体之间，从而对猪头也进行了约束，使得杀猪的过程中，不再需要人员对猪进行人工固定，所述第四气缸伸展，所述第四连接块带动所述刀片向猪头的底部运动，从而进行杀猪工作，整个过程不需要人工，节省了劳动力，操作简单，提高了效率。
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公开(公告)号：CN112183010A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011017534.7
申请日：2020-09-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06F30/39 , B23K1/012 , G06F119/02 , G06F119/04 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了基于IMC厚度控制的再流焊工艺参数可靠性的设计方法，包括：确定回流焊的工艺参数，包括：第一工艺参数和第二工艺参数；基于所述回流焊的第一工艺参数完成正交实验，得到正交实验结果；基于所述第一工艺参数对样品对进行焊接，得到镶样样品；确定镶样样品的IMC的实际厚度；基于所述正交实验结果得到所述工艺参数与IMC的厚度的关系式；基于所述第二工艺参数以及所述第一工艺参数与IMC的厚度的关系式，得到IMC的理论厚度；通过所述IMC的实际厚度与所述IMC的理论厚度对所述第二工艺参数进行优化，输出优化的工艺参数。本发明提供了一种将IMC厚度和工艺参数连接起来的方法，建立工艺参数与IMC厚度的关系式。根据关系式可以得到较为准确的工艺参数设置条件。
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公开(公告)号：CN111468758A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010315565.4
申请日：2020-04-21
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林广陆数字测控有限公司
Abstract: 本发明公开了一种槽钢打孔定位用辅助装置，根据槽钢需要打孔的数量与两孔之间的距离，把所述定位滑块穿套在所述横向标尺上，并用所述紧定螺钉固定，然后根据槽钢的宽度调整所述安装片与所述定位片之间的距离，并用所述紧定螺钉固定所述定位片，使其所述安装片与所述定位片夹住槽钢的侧面，然后根据所述纵向标尺和所述横向标尺上的刻度，调整所述十字滑块、所述纵向标尺以及所述横向标尺之间的位置，并用所述紧定螺钉贯穿所述十字滑块上的紧定螺钉孔，并与所述横向标尺相互抵持进行锁定，然后利用所述定位滑块上安装的定位冲子做好定位标记，以此实现快速精准定位，并且根据需要打孔数量从而增减定位的模块，一次性找准多孔定位。
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公开(公告)号：CN110518065A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910844900.7
申请日：2019-09-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种低功耗高可靠性的沟槽型碳化硅MOSFET器件，包括：N型衬底、N型外延层、第一P-body区、第一P+接触区、第一N+接触区、第二P-body区、第二P+接触区、第二N+接触区、氧化层、槽栅、金属电极、漏极；本发明提出的SiC MOSFET器件通过4沟道并联显著减小导通电阻，通过第二P-body对栅槽的包裹及保护，既增强了器件的氧化层可靠性，又屏蔽了部分栅漏电容使得器件开关损耗减小；当器件发生短路时，第一P-body区与第二P-body区形成的JFET区夹断，降低了器件的饱和电流，提高了其短路能力。
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