公开(公告)号：CN115834097B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202210733908.8

申请日：2022-06-24

申请人： 电子科技大学

发明人： 牛伟纳 ,  张小松 ,  王冲 ,  姚领风 ,  代天赐 ,  赵丽睿 ,  朱宇坤

IPC分类号： H04L9/40 ,  H04L67/02 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/0985 ,  G06F18/2415

摘要： 本发明公开了一种基于多视角的HTTPS恶意软件流量检测系统及方法，属于恶意软件流量检测技术领域，解决现有技术无法对HTTPS加密技术掩盖的攻击行为进行检测的问题。本发明包括流量采集模块：从客户主机网卡捕获HTTPS流量，并对捕获的HTTPS流量进行初步过滤；数据预处理模块：对过滤后得到的HTTPS流量数据以流为单位进行切分，切分后得到多个流；多视角特征提取模块：基于切分后得到的流提取多视角特征；分类检测模块：将多视角特征直接输入各特征对应的已训练好的检测模型进行检测，并将各检测结果输入投票模块，得到最终的检测结果。本发明用于恶意软件流量检测。

公开(公告)号：CN114795178B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202210469938.2

申请日：2022-04-28

申请人： 电子科技大学

发明人： 李蓉 ,  刘涛 ,  王冲 ,  马玉振 ,  李济邑 ,  陈华富

IPC分类号： A61B5/055 ,  A61B5/00 ,  G06N3/045 ,  G06N3/049 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/09

摘要： 本发明公开了一种基于多注意力神经网络的大脑状态解码方法，属于生物医学图像脑解码技术领域。本发明主要有四个功能：1、利用时间注意力神经网络，研究大脑在任务刺激下的时间响应过程；2、利用空间注意力神经网络，研究不同脑区对任务参与情况；3、利用自注意力神经网络，研究大脑在任务刺激下的脑区交互；4、利用前三个神经网络得到的特征对shape和face两个任务进行分类。本发明首次利用深度学习的知识，构建了一种基于多注意力神经网络的大脑状态解码模型，从多维度自动提取任务特征，完成对大脑状态的解码。

公开(公告)号：CN112825330B

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN201911150121.3

申请日：2019-11-21

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 王冲 ,  李昂 ,  马晓华 ,  郑雪峰 ,  刘凯 ,  赵垚澎 ,  何云龙 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

摘要： 本发明涉及一种高线性度复合栅结构的GaN晶体管器件及其制备方法，其中，所述GaN晶体管器件包括：衬底层；若干沟道层，若干所述沟道层依次叠于所述衬底层上；栅极，设置在若干所述沟道层的两侧和顶部，并位于所述GaN晶体管器件的中间位置处，而且至少最底层的所述沟道层的两侧不设置所述栅极；源极，设置在所述若干沟道层上，并位于所述GaN晶体管器件的靠近一侧的位置处；漏极，设置在所述若干沟道层上，并位于所述GaN晶体管器件的靠近另一侧的位置处。本发明的GaN晶体管器件具有较大的电流驱动能力，而且线性度高、静态功耗小。

公开(公告)号：CN111863961B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202010735936.4

申请日：2020-07-28

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 毛维 ,  王海永 ,  杨翠 ,  张金风 ,  马佩军 ,  郑雪峰 ,  王冲 ,  张进成 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/336 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423

摘要： 本发明公开了一种异质结场效应晶体管，主要解决现有功率开关器件存在的阈值电压低和实现高击穿电压时工艺复杂的问题，其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、第一栅柱(6)、第二栅柱(7)、源极(9)、漏极(10)、台面(11)、第一栅极(12)、第二栅极(13)和钝化层(14)。第一栅柱和第二栅柱均由P型层(4)和N型排柱(5)组成；N型排柱由N‑型层(51)和N+型层(52)组成；第一栅柱左侧的势垒层内和第二栅柱右侧的势垒层内均刻蚀有阵列孔(8)；钝化层上部设有复合板(15)；钝化层和复合板的外围设有保护层(16)。本发明制作工艺简单、正向阻断与反向阻断好及阈值电压高，可作为开关器件。

公开(公告)号：CN108573512B

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN201810233579.4

申请日：2018-03-21

申请人： 电子科技大学

发明人： 陈华富 ,  黄伟 ,  王冲 ,  颜红梅 ,  杨晓青 ,  杨天 ,  刘秩铭

IPC分类号： G06T9/00

摘要： 本发明公开了一种基于深度编解码对偶模型的复杂视觉图像重构方法，属于生物医学图像脑解码中的视觉场景重构技术领域。本发明首先采集观看大量自然图像下的功能磁共振信号。然后分别建立四个网络模型：1、编码模型，即使用卷积神经网络将自然图像编码成视觉区的体素信号；2、解码模型，即是用卷积神经网络以及反卷积神经网络将视觉区体素信号解码成自然图像；3、判别自然图像模型，即判断真图像与假图像；4、判别视觉区响应模型，即判断真信号与假信号。通过训练设计好的四个模型，可实现从脑信号中还原出视觉场景图像。本发明首次解决了自然场景与脑信号之间直接相互转换的问题，可以实现脑机接口场景的实际应用。

公开(公告)号：CN112612441A

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN202110004664.5

申请日：2021-01-04

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 韩辉 ,  智国建 ,  王冲 ,  刘玫莲 ,  肖吉军 ,  李竟男

IPC分类号： G06F3/14 ,  G09F9/00

摘要： 本发明公开了一种办公用投屏多媒体设备及投屏方法，包括固定座、书写板、显示屏、第一滑动架、第二滑动架、第一投屏仪和第二投屏仪，所述固定座固定于地面，所述书写板与所述固定座固定连接，所述书写板位于所述固定座的顶部，所述显示屏与所述书写板固定连接，所述显示屏位于所述固定座的顶部，且所述显示屏和所述书写板间隔设置，使用者在使用本办公用投屏多媒体设备时，可坐在凳子上对所述显示屏上的内容进行切换，并在所述书写板上书写内容，以分别在所述第一投屏仪和所述第二投屏仪上进行投屏，使使用者无需在投影设备和投屏板之间来回走动，从而减轻使用者的负担。

公开(公告)号：CN110676166B

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201810709666.2

申请日：2018-07-02

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 王冲 ,  黄泽阳 ,  何云龙 ,  郑雪峰 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/207

摘要： 本发明涉及一种P‑GaN帽层的FinFET增强型器件及制作方法，包括步骤：在基片上依次生长GaN层和AlGaN势垒层形成AlGaN/GaN异质结；在异质结上生长P‑GaN帽层；对异质结进行台面隔离和刻蚀，形成栅鳍；在P‑GaN帽层以及异质结表面形成栅极区掩膜图形，刻蚀除栅极区掩膜图形以外的P‑GaN帽层；在异质结两侧制作源、漏电极；在P‑GaN帽层的区域淀积栅金属，形成FinFET栅结构栅电极，其中，栅金属覆盖在P‑GaN帽层顶部及侧壁，覆盖异质结的侧壁；制作电极引线。该器件及制作方法采用P‑GaN帽层结构，结合三维栅控的FinFET结构，增强器件的跨导和栅控能力，提高了器件的阈值电压和稳定性。

公开(公告)号：CN110364574B

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201910487615.4

申请日：2019-06-05

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 王冲 ,  刘凯 ,  马晓华 ,  郑雪峰 ,  何云龙 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/40 ,  H01L29/205 ,  H01L29/20 ,  H01L21/329

摘要： 本发明公开了一种基于P‑GaN帽层和浮空金属环复合结构的AlGaN/GaN异质结肖特基二极管器件，包括衬底、依次设置在衬底上的GaN缓冲层和沟道层、AlGaN势垒层和钝化层，其中，AlGaN势垒层上表面的相对两侧分别设置有阳极和阴极，阳极与阴极之间的AlGaN势垒层上设置有至少一个组合结构，组合结构包括第一P型GaN帽层、第二P型GaN帽层和浮空金属环；第一P型GaN帽层和第二P型GaN帽层间隔设置在AlGaN势垒层上，浮空金属环覆盖在第一P型GaN帽层和第二P型GaN帽层的上表面以及第一P型GaN帽层和第二P型GaN帽层之间的AlGaN势垒层上。该器件采用P‑GaN帽层与浮空金属环结合的结构，抑制电场集中效应，减弱了峰值电场，使得电场横向分布更加均匀，从而反向提高击穿电压。

公开(公告)号：CN111129139A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201811296733.9

申请日：2018-11-01

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 何云龙 ,  马晓华 ,  郝跃 ,  王冲 ,  毛维

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L29/207 ,  H01L29/20 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

摘要： 本发明涉及一种基于悬浮场板的自对准栅氮化镓增强型垂直功率器件，包括：漏极；自支撑Si掺杂GaN衬底，位于漏极上；n型GaN层，位于自支撑Si掺杂GaN衬底上；n型GaN渡越层，位于n型GaN层上；n型GaN沟道层，位于n型GaN渡越层上；第一介质层，位于n型GaN渡越层上；栅极，位于n型GaN渡越层上；第二介质层，位于n型GaN渡越层上；悬浮场板，位于第二介质层上；n型GaN接触层，位于n型GaN沟道层上；源极，位于n型GaN接触层上。本发明实施例通过采用环形自对准栅结构、悬浮场板与n型掺杂材料的有机结合，实现了高击穿电压、低导通电阻和高可靠性的垂直功率器件。

公开(公告)号：CN111076761A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201911392579.X

申请日：2019-12-30

申请人： 杭州电子科技大学 ,  睿魔智能科技(深圳)有限公司

发明人： 王冲 ,  杭丽君 ,  何远彬 ,  沈磊 ,  闫东 ,  韩晓明 ,  虞航斌 ,  黄龙

IPC分类号： G01D18/00

摘要： 本发明公开一种磁编码器校准方法及系统。该方法包括：获取磁编码器测量获得的电机关节角角度；结合角度对应关系表和线性插值算法对测量获得的电机关节角角度进行修正；角度对应关系表通过如下步骤建立：选取校准角度范围，根据校准角度范围设置采样点数，并根据采样点数及校准角度范围设置每一采样点对应的目标欧拉角度；控制旋转设备的安装有磁编码器的旋转轴根据采样点依序转动至所有目标欧拉角度，获取并记录该旋转轴转动至各个目标欧拉角度时磁编码器测量获得的对应的电机关节角角度，建立角度对应关系表。本发明通过将磁编码器安装于旋转设备的旋转轴上直接进行校准，利用磁编码器测量获得的电机关节角角度映射为真实的角度，操作简单快捷。