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公开(公告)号：CN103681658B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201310436970.1
申请日：2013-09-24
申请人： 美国亚德诺半导体公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/778 , H01L21/82 , H01L21/335
CPC分类号： H01L21/8252 , H01L27/0248 , H01L27/0605 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/7786
摘要： 本公开涉及双向异质结化合物半导体保护装置及其形成方法。包括多栅高电子迁移率晶体管(HEMT)、正向传导控制块和反向传导控制块的保护电路被布置在第一终端和第二终端之间。多栅HEMT包括明确的漏极/源极、第一耗尽模式(D-模式)栅极、第一增强模式(E-模式)栅极、第二E-模式栅极、第二D-模式栅极以及明确的源极/漏极。漏极/源极和第一D-模式栅极被连接至第一终端和源极/漏极，第二D-模式栅极被连接至第二终端。正向传导控制块在第一和第二终端之间的电压差大于正向传导触发电压时使得第二E-模式栅极导通，反向传导控制块在电压差比反向传导触发电压更负时使得第一E-模式栅极导通。
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公开(公告)号：CN103887303B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201310697753.8
申请日：2013-12-18
申请人： 美国亚德诺半导体公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 提供了参考单电源的信号IO保护装置。在具体实施方式中，保护装置包括第一硅控整流器(SCR)和第一二极管，用于在信号节点和诸如电源低网络或电源高网络之类的电源网络之间提供保护。SCR和二极管结构集成在公共电路布局中，以便在结构之间共用具体阱和有源区域。在其它实施方式中，保护装置包括第一和第二SCR，用于在信号节点和电源低网络之间或信号节点和电源高网络之间提供保护，SCR结构集成在公共电路布局中。保护装置适合于亚3V操作下对单个电源的单个单元数据转换接口保护。
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公开(公告)号：CN106057795A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610207407.0
申请日：2016-04-06
申请人： 美国亚德诺半导体公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明涉及高速接口保护装置。公开的技术涉及电子器件，更特别地涉及保护电路免受诸如电过应力/静电放电的暂态电事件破坏的保护器件。保护器件包括半导体衬底，该半导体衬底中形成有至少两个阱以及在至少两个阱下面且接触至少两个阱的深阱。器件另外包括形成在至少两个阱中的一个阱中且具有第一导电类型的第一重掺杂区域和第二导电类型的第一重掺杂区域的第一PN二极管，并且包括第二PN二极管，该第二PN二极管形成在至少两个阱中的一个阱中并且具有第一导电类型的第二重掺杂区域和第二导电类型的第二重掺杂区域。
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公开(公告)号：CN105938831A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610121115.5
申请日：2016-03-03
申请人： 美国亚德诺半导体公司
IPC分类号： H01L27/04
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L29/0692 , H01L29/735 , H01L27/04
摘要： 本发明涉及具有有源泄漏电流补偿的过压开关的装置和方法。提供具有有源泄漏电流补偿的过压开关的装置和方法。在某些配置中，集成电路包括：输入节点和电连接到输入节点的保护设备或过压开关。该保护设备包括：第一阱和第二阱。第二阱被定位成邻近所述第一阱和具有相反于第一阱的导电类型。此外，该保护设备的第一端子电连接到第一阱和到IC的输入节点。该保护设备还包括漏电流补偿电路，用于基于所述第一端子的电压电平控制第二阱的电压电平，以抑制所述保护设备的第一端子的漏电流。
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公开(公告)号：CN105281307A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510407886.6
申请日：2015-07-13
申请人： 美国亚德诺半导体公司
CPC分类号： H02H9/005 , H01L27/0285 , H02H9/046
摘要： 本公开涉及用于具有正反馈的瞬态过载保护的装置和方法。用于提供瞬态过载保护，具有正反馈的装置和方法被公开。在某些配置中，保护电路包括瞬态检测电路、偏置电路、钳位电路和当钳位电路钳位时，生成正反馈电流的感测反馈电路。瞬态检测电路能够检测瞬态过载事件的存在，并且能够生成响应于瞬态过载事件检测的检测电流。检测电流和正反馈电流可以被组合以生成组合电流。并且偏置电路可以接通钳位电路以响应于组合电流。当瞬态过载事件出现并且钳位电路正钳位时，感测反馈电流能够生成正反馈电流以在事件的持续时间内保持钳位电路接通。
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公开(公告)号：CN104184443A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410219317.4
申请日：2014-05-23
申请人： 美国亚德诺半导体公司
IPC分类号： H03K17/60
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L29/7436
摘要： 本发明公开了在低电压CMOS工艺中具有高双极阻挡电压的模拟开关。所公开的技术涉及用于保护以防止瞬态电事件的设备。在一个方面中，设备包括具有高双极阻挡电压的模拟开关，其包括第一p型阱区域，第二p型阱区域，布置在第一和第二p型阱区域之间的第一n型阱区域，以及围绕第一p型阱区域、第二p型阱区域和第一n型阱区域的深n型阱区域。设备还包括布置在第一p型阱区域和n型阱区域之间的第一本征n型区域以及布置在第二p型阱区域和n型阱区域之间的第二本征n型区域。设备被配置成使得第一p型阱区域作为双向PNP双极晶体管的发射极/集电极。
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