一种用于多晶铸锭炉的气体液体配合冷却装置及方法

    公开(公告)号:CN115142129A

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202210780266.7

    申请日:2022-07-04

    IPC分类号: C30B29/06 C30B28/06 C30B35/00

    摘要: 本发明属于多晶硅加工技术领域,具体为一种用于多晶铸锭炉的气体液体配合冷却装置及方法,包括炉体,所述炉体的内侧设置有保温底板,所述保温底板的上侧安装有热交换台,所述热交换台的上方设置有坩埚,所述保温底板的上方设置有卡在坩埚及热交换台外侧的隔热笼,所述隔热笼的外侧上方及保温底板的下侧均连接有贯穿炉体的承重拉杆,所述隔热笼的外侧设置有支撑板,所述支撑板的下侧安装有环形气管,所述环形气管的一端连接有贯穿炉体的进气管,本装置在初始降温时,环形气管喷出的气流只能吹到热交换台,对热交换台进行降温,当隔热笼的高度升高时,坩埚露出来后,气流也可以吹到坩埚,进而对坩埚进行降温。

    一种热量平衡的高效型铸锭炉

    公开(公告)号:CN111850683B

    公开(公告)日:2021-12-24

    申请号:CN202010763619.3

    申请日:2020-07-31

    发明人: 刘穗

    IPC分类号: C30B29/06 C30B28/06

    摘要: 本发明公开了一种热量平衡的高效型铸锭炉,所述安装支架内侧顶端固定连接有上炉体,所述安装支架内侧底端对应上炉体底部位置处通过升降机构活动连接有下炉体,所述上炉体内侧顶部固定连接有安装板,所述安装板与上炉体内侧顶端之间留有安装空腔,所述安装板底端固定连接有保温隔热板,所述上炉体内部自内向外依次设置有加热控制机构和热量控制机构,所述下炉体内部自下向上依次设置有隔振缓冲机构和底部均匀冷却机构,本发明通过对热源位置的主动控制,避免了铸锭炉在加热过程中热量聚集在顶部所造成的热量分布不均的现象,提升了多晶硅原料的熔化速度,缩短了加工时间,提高了热量的利用率,有效的减少了能源的浪费。

    一种用于在硅片目视检测过程中夹持硅片的装置

    公开(公告)号:CN113714954A

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN202111097158.1

    申请日:2021-09-18

    IPC分类号: B25B11/00 B25H1/10

    摘要: 本发明公开的属于硅片生产技术领域,具体为一种用于在硅片目视检测过程中夹持硅片的装置,包括转盘、调节柱、安装座与夹持机构,所述转盘内设有用于调节调节柱位置的驱动机构,且调节柱内设有液压装置,所述液压装置的伸缩端贯穿调节柱并与安装座连接,所述夹持机构包括两个固定座、左右两个连接座、驱动座与连接机构,左右所述连接座均通过轴承与相接近的安装座连接,本发明能够将硅片穿过两个固定座之间,插入驱动座与连接座内的凹槽中,同时通过转动连接座带动硅片转动,对硅片表面进行观察,同时通过电机一能够带动橡胶驱动辊转动,从而带动硅片转动,方便对硅片的边角进行目测检查,实现对硅片的全方位检查。

    一种多晶硅预处理破碎装置

    公开(公告)号:CN112090506A

    公开(公告)日:2020-12-18

    申请号:CN201910519071.5

    申请日:2019-06-17

    发明人: 杨定勇

    IPC分类号: B02C13/06 B02C13/13 B02C13/30

    摘要: 本发明涉及多晶硅破碎技术领域,且公开了一种多晶硅预处理破碎装置,包括机箱,所述机箱的正面活动安装有贯穿并延伸至机箱背面的第一转轴,所述第一转轴的外壁且位于机箱的前方和后方均套接有凸轮,所述机箱的正面且位于第一转轴的左侧活动安装有贯穿并延伸至机箱背面的第二转轴,所述第二转轴的外壁且位于机箱的前方和后方均套接有齿轮,所述机箱的正面和背面且位于凸轮的右侧均固定安装有复位弹簧。该多晶硅预处理破碎装置,通过第一限位板和第二限位板阻挡多晶硅粉末飞溅,使得多晶硅粉末通过滤网过滤至收集漏斗和料箱中,防止多晶硅二次破碎的情况发生,达到高效破碎的效果,从而提高了该破碎装置的实用性。

    一种带有夹紧功能的多晶硅切割装置

    公开(公告)号:CN112078035A

    公开(公告)日:2020-12-15

    申请号:CN201910511607.9

    申请日:2019-06-13

    发明人: 杨定勇

    IPC分类号: B28D5/02 B28D7/00 B28D7/04

    摘要: 本发明涉及多晶硅加工技术领域,且公开了一种带有夹紧功能的多晶硅切割装置,包括底座,底座的顶部固定安装有调节板。该带有夹紧功能的多晶硅切割装置,通过设置丝杆和把手,通过转动把手,可对横向夹板调节左右的距离,可对工作台上的多晶硅的左右侧进行夹持,通过设置纵向夹板和拉手,在将多晶硅的左右侧进行夹持之前,通过拉动拉手,可对纵向夹板的高度进行调节,然后将多晶硅的左右侧进行夹持,最后松开拉手,通过复位弹簧推动纵向夹板,使得纵向夹板与多晶硅接触,此时即可将多晶硅的上下方向进行夹持,该装置可对多晶硅的左右侧和上下进行夹持,可避免在对多晶硅加工时出现偏移和挪位的现象,可提高该装置的加工精度。

    一种带有导流装置的多晶硅铸锭炉

    公开(公告)号:CN105603522B

    公开(公告)日:2017-12-22

    申请号:CN201610082954.0

    申请日:2016-02-03

    IPC分类号: C30B29/06 C30B28/06

    摘要: 本发明公开了一种带有导流装置的多晶硅铸锭炉,包括隔热笼、输气管和导流装置;导流装置设置多条导流气道,用于将输入载气分成多条出射载气流,载气流分散倾斜地吹射液态硅表面的不同区域,有效地增加了载气和液态硅表面的接触面积,载气流从单位面积上带走的热量更少,该区域液态硅的温度降幅减少,过冷度减小,降低了载气所导致的杂质形核及杂质形成。出射载气流对液态硅产生载气应力,其驱动液态硅流动,并形成作周向流动的旋转流场;旋转流场有利于液态硅中质杂的输运和均匀分布。炉顶的观察窗经导流装置具有通向铸锭炉内的视场,通过观察窗可察看炉内的状态、将测晶棒插到炉内,红外探测仪可探测炉内硅料的状态,自动长晶工艺顺利地进行。

    一种硅棒加工设备及硅棒加工方法

    公开(公告)号:CN118528088A

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202410724253.7

    申请日:2024-06-05

    摘要: 本发明公开了一种硅棒加工设备及硅棒加工方法,涉及半导体制造技术领域,包括底板,底板顶部一端设有用于对硅棒进行上料的上料机构,上料机构上方设有用于对硅棒进行外径打磨的滚磨机构,上料机构一侧设有用于改变硅棒移动方向的转向机构,转向机构一端设有用于对硅棒表面进行清洗和烘干的清洗烘干机构,上料机构包括两个固定架、固定设于底板顶部一端的竖板;本发明通过设置上料机构和滚磨机构,使得上料机构哦和滚磨机构工作,完成硅棒的自动上料和下料,降低工人工作量,提升硅棒的加工效率;通过设置清洗烘干机构,能够对打磨之后的硅棒进行清洗和烘干,使得硅棒打磨完成后,即刻进行清洗过程,进一步提升硅棒的加工效率。

    一种去除硅粉中钙杂质的方法
    48.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117945406A

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202311715991.7

    申请日:2023-12-14

    IPC分类号: C01B33/037

    摘要: 本发明属于硅废料回收技术领域,公开了一种去除硅粉中钙杂质的方法,包括:常温下将细硅粉分散到表面活性剂溶液中搅拌均匀;再将得到的细硅粉的悬浊液在搅拌状态下保持一定温度反应直至细硅粉中的钙物质完全溶解;然后通过离心处理得到固体部分;所得固体用去离子水洗涤,直至去除细硅粉表面吸附的表面活性剂以及其他杂质;最后进行烘干处理,粉碎过筛得到提纯硅粉。本发明所获得的硅粉杂质能够降低到ppm级,避免了传统方式中大量酸的使用,产生的废液通过简单的活性炭吸附即可去除水中的螯合物,从而降低了废液处理的成本问题;同时去除了钙杂质,是一种易于产业化的硅提纯的全新制作工艺。

    一种单晶硅锭研磨器
    49.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117299263A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202311224986.6

    申请日:2023-09-21

    IPC分类号: B02C2/10 B02C23/00 B02C23/12

    摘要: 本发明涉及单晶硅锭生产技术领域,具体为一种单晶硅锭研磨器,包括研磨料仓,研磨料仓的内侧同轴设置研磨头,研磨头的顶部固定安装研磨头驱动电机,研磨头驱动电机上固定连接研磨头升降气缸,研磨料仓的底部通过支架固定安装滑动框架轨道,滑动框架轨道内滑动安装往复滑块,往复滑块与研磨料仓的底部排料口密封接触设置,往复滑块的一侧螺纹穿过驱动滑块往复丝杠,滑动框架轨道的端部固定安装往复丝杠驱动电机。本发明通过设计锥形结构的研磨器,可以最大面积的对沙子进行研磨,而且研磨的沙子自动集中下落,沙子下落的时候经过沙子筛网的筛选,可以将还没研磨好的沙子留下来,经过研磨的沙子颗粒细小、分散,热熔速度快。

    一种单晶硅制作用尾气反应炉
    50.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117180966A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311314091.1

    申请日:2023-10-11

    IPC分类号: B01D53/78

    摘要: 本发明涉及尾气反应技术领域,具体的说是一种单晶硅制作用尾气反应炉,包括壳体,所述壳体上下两侧分别插设有反应液入口和尾气进口,且壳体顶部连接有排气管,所述壳体下方设置有出液口,所述壳体内部设置有托盘,且托盘上方设置有均匀设置有多组反应机构;所述反应机构包括连接于托盘上方的竖管,且竖管内部开设有贯穿于托盘的通槽,所述竖管上方罩设有挡罩,且挡罩和竖管之间通过连接块相连接。本发明通过将反应液保留在托盘表面,而尾气上升时必须经过反应液内部,使得尾气和反应液的接触更加充分。