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公开(公告)号：CN100435214C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200510120340.9
申请日：2005-11-08
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC分类号： G11B21/21 , G11B5/59627 , G11B5/6005 , G11B5/6082 , Y10T29/49025 , Y10T29/49032
摘要： 提供一种磁盘驱动器的制造方法，其允许高度精确地记录伺服数据而不必替换磁盘驱动器的内部气体，以及这样的磁盘驱动器和伺服磁道写入器。在封装盒中置入：磁盘；磁头浮动块，其具有用于向磁盘写入数据和从磁盘读出数据的磁头；悬架，用于保持磁头浮动块；臂，用于支撑悬架；以及驱动部分，用于驱动臂，并且当实施伺服磁道写入操作时，封装盒内部被降压到低于正常压强的气压，然后在磁盘上记录伺服数据。
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公开(公告)号：CN100433129C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200510120338.1
申请日：2005-11-08
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC分类号： G11B5/465 , G11B5/1278
摘要： 提供了一种能够迅速且完全地进行消磁的硬盘驱动器以及这种硬盘驱动器所使用的记录方法。根据本发明的一个实施例的硬盘驱动器1包括；电流源165，用于提供第一电流，所述第一电流流向用于将数据写入到磁盘的写入头150；电流源166，用于在所述第一电流的极性改变时提供流向写入头150的第二电流；晶体管161和162，用于反转流向写入头150的电流的极性；以及控制电路，其执行控制以便在消磁周期期间，在第一电流I1趋于大约零之前，在反转第一电流I1的极性时从电流源166流向写入头150的第二电流I2变得大致为零。
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公开(公告)号：CN101276627A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810088434.6
申请日：2008-03-31
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
发明人： 李宗旺 , 李元兴 , 理查德·L·加尔布雷思 , 伊凡娜·朱德杰维克 , 特拉维斯·R·奥宁
CPC分类号： H03M13/112 , H03M13/1102 , H03M13/1117 , H03M13/1128 , H03M13/1515 , H03M13/2966 , H03M13/2975 , H03M13/2987 , H03M13/6331 , H03M13/658 , H04L1/005 , H04L1/0057
摘要： 提供用于对数据存储设备上记录的数据进行迭代译码的技术。迭代译码器使用多译码迭代译码数据以纠错。在迭代译码器的多重迭代中，后处理模块产生软信息，而译码器将最小和译码算法应用于低密度奇偶校验检查(LDPC)码，以基于软信息和更新的软信息产生非本征信息。
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公开(公告)号：CN100423313C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200410004934.9
申请日：2004-02-13
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
发明人： 马修·J.·凯里 , 杰弗里·R.·柴尔德莱斯 , 斯蒂芬·马特
CPC分类号： H01L43/10 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B5/455 , G11B5/66 , G11B2005/001
摘要： 一种具有通过非磁性间隔层分隔的被钉扎铁磁层和自由铁磁层的磁电阻器件，该器件具有使用接近100%自旋极化的半金属铁磁性哈斯勒合金作为被钉扎铁磁层的交换耦合反铁磁性/铁磁性结构。交换耦合结构包括AF层和被钉扎半金属铁磁性哈斯勒合金层之间的中间铁磁层，这导致交换偏置。可以结合交换耦合结构的磁电阻器件包括电流在平面内的(CIP)读磁头和电流垂直于平面的(CPP)磁性隧道结和读磁头。交换耦合结构在磁电阻器件中可以位于非磁性间隔层的下部或上部。
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公开(公告)号：CN100423122C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200410043140.3
申请日：2004-05-12
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
IPC分类号： G11B21/21
CPC分类号： G11B5/486
摘要： 本发明的目的是将导线构件支承在磁盘装置中所用驱动臂侧的表面上，使其不引起颤动。用在磁盘装置中的导线支承部件(102a)包括突出壁(108a)和突出壁(110a)，前者具有对着导线构件(90a)的在横方向突出的相对表面，而后者具有对着导线构件(90a)的在横方向突出的相对表面。该导线支承部件(102a)具有固定区域，以便将导线构件配置在突出壁(108a)的相对表面和突出壁(110a)的相对表面之间。该导线支承部件(102a)还具有开放区域，该开放区域在突出壁(110a)的纵向端部邻接该固定区域，并包括突出壁(328、330和332)，各个突出壁具有面向导线构件的相对表面。
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公开(公告)号：CN100419860C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200610121850.2
申请日：2006-08-25
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
发明人： 添谷进
IPC分类号： G11B5/66 , G11B5/73 , G11B5/738 , G11B11/105
CPC分类号： G11B5/66
摘要： 本发明提供一种热助磁记录介质，其能够克服在RT下的热波动抗力问题和写入能力问题，在刚刚低于记录温度的温度下获得矫顽磁力随温度变化的急剧改变量，并且可以在低温下形成。该介质具有由在基底上形成的满足TW＜TC的高KF铁磁性(F)下层(301)、满足TB＜TW的低KAF反铁磁(AF)中间层401以及满足TW＜TC的用于记录再现的铁磁性(F)上层(501)构成的膜层结构，其中TW是记录温度，TC为居里点，TN为里尔点，TB为截止温度，KF为铁磁性磁晶各向异性常数，KAF为反铁磁磁晶各向异性常数。
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公开(公告)号：CN101246698A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810080792.2
申请日：2008-02-18
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
发明人： 安德烈亚斯·K·伯杰 , 埃里克·E·富勒顿 , 拜伦·H·伦格斯菲尔德三世
CPC分类号： G11B5/66
摘要： 本发明提供一种垂直磁记录系统，采用了交换弹簧型垂直磁记录介质。所述介质具有包括下部介质层(ML)和位于所述ML之上的多层交换弹簧层(ESL)的记录层(RL)。高各向异性场(高Hk)下部ML和多层ESL跨越耦合层交换耦合。多层ESL具有至少两个通过耦合层分隔的ESL，每一ESL的Hk明显小于ML的Hk。具有多层ESL的交换弹簧结构利用了这样的事实，即，写入场幅度和写入场梯度作为与写入极的距离的函数而变化。可以使每一ESL的厚度和Hk值独立变化，以优化介质的总体记录性能。
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公开(公告)号：CN101236536A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710193618.4
申请日：2007-11-23
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
发明人： 西里尔·盖约特 , 乔尔格·C·德索扎 , 阿南德·K·库尔卡尼 , 理查德·M·H·纽
IPC分类号： G06F12/14
CPC分类号： G06F21/80
摘要： 公开了用于在存储设备中提供可检验安全的技术。针对保护诸如硬盘驱动器之类的存储设备上的数据，提供了可检验安全模式。当使能可检验安全模式时，在输入口令字之后，仅允许对存储于存储设备上的数据的认证存取。阻止终端用户禁止可检验安全模式。可检验安全模式可以设置为允许或不允许管理员禁止可检验安全模式。可以在例如硬盘驱动器(HDD)上的固件中实现可检验安全模式。
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公开(公告)号：CN100409314C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200310119726.9
申请日：2003-12-03
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
发明人： 维托尔德·库拉 , 亚历山大·迈克尔·泽尔特瑟
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3133 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/40 , G11B2005/3996
摘要： 一种磁阻传感器，通过使用包括沉积在下分层结构上的自由层的传感器结构并沉积覆盖在自由层上面的氧化物结构来制造。氧化物结构的沉积包括步骤：沉积覆盖在自由层上面的缓冲层，其中缓冲层是沉积的缓冲层金属，沉积覆盖并接触缓冲层的覆盖层，覆盖层是覆盖层金属的覆盖层金属氧化物，以及氧化缓冲层以形成缓冲层金属氧化物。
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公开(公告)号：CN100409313C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200310116413.8
申请日：2003-11-18
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
发明人： 维特霍德·库拉 , 亚历山大·M·泽尔策尔
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , Y10T29/49034 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044
摘要： 公开一种检测数据存储介质上的磁记录信息的GMR传感器。所述传感器包括将导电隔离层夹在中间的铁磁自由层和铁磁固定层。在自由层上形成工程覆层，以便在不降低物理厚度的同时，减小自由层磁厚。
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