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公开(公告)号：CN101679467A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880015401.7
申请日：2008-05-08
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01L51/0085 , C07F15/0033 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/185 , H01L51/5016 , H01L51/504 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/5278 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/306 , H05B33/14
摘要： 本发明提供了一种新颖的有机金属配合物，包含所述有机金属配合物的发光元件、发光器件、以及电子器件。另外，本发明提供一种有机金属配合物溶解于其中的组合物，提供一种使用该组合物制造发光元件的方法。有机金属配合物在溶剂中具有高溶解度。在所述有机金属配合物中，包含吡嗪骨架的配体与第9族的原子(Co，Rh，或Ir)或者第10族的原子(Ni，Pd，或Pt)结合。另外，发光效率很高。因此，所述有机金属配合物优选用于制造发光元件。
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公开(公告)号：CN1868075A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200480029609.6
申请日：2004-07-20
申请人： 索尼德国有限责任公司
CPC分类号： H01L51/4253 , B82Y10/00 , H01L51/0035 , H01L51/0048 , H01L51/424 , H01L2251/306 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种光电装置，该光电装置的用途，该光电装置与电路的组件以及利用该光电装置由光发电的方法。
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公开(公告)号：CN1138459C
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN96110810.X
申请日：1996-07-12
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H05B33/00 , H01H13/702 , H01H2219/018 , H01H2219/028 , H01H2219/046 , H01H2221/05 , H01L51/5206 , H01L2251/306 , H05B33/10 , H05B33/12 , H05B33/28
摘要： 透明电极层(2)、发光层(3)、介电层(4)、后表面电极(5)、集电极(5a，5b)和绝缘涂覆层(6)全部以预定的图形通过丝网印刷层叠在绝缘透明膜(1)上。用于形成透明电极层(2)的导电胶包含氧化铟导电粉，它包含以(A)∶(B)＝从100∶0至20∶80的比率混合的针状粉(A)和细粒状粉(B)。把是光硬化或热硬化树脂的粘合树脂(D)与导电粉(C)以混合比率＝从45∶55到95∶5混合。在照明开关单元中，在EL照明元件(15)的倒置面上设置开关操作突起(14)，并通过垫片(16)把EL照明元件(15)固定在膜片开关(13)之上，从而消除阻断或者遮断从EL照明元件(15)发出的照明光的障碍。
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公开(公告)号：CN1365381A
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN01800689.2
申请日：2001-03-27
申请人： 出光兴产株式会社
发明人： 细川地潮
CPC分类号： H01L51/0072 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/1033 , C09K2211/185 , H01L51/002 , H01L51/0021 , H01L51/0042 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0071 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5036 , H01L51/5092 , H01L51/5234 , H01L51/56 , H01L2251/306 , H01L2251/308 , H05B33/14 , Y10S428/917 , Y10T428/24942
摘要： 本发明涉及一种包含阳极层、阴极层以及其间夹持的有机发光层的有机电致发光元件,所述有机发光层包含玻璃化转变温度在110℃以上的咔唑衍生物和磷光性掺杂剂。该构成所提供的有机电致发光元件即使在室温条件下也能利用咔唑衍生物的三重线激子状态,而且具有实用的寿命时间,同时耐热性能优异。
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公开(公告)号：CN1196138A
公开(公告)日：1998-10-14
申请号：CN96196958.X
申请日：1996-09-09
申请人： 德国赫彻斯特研究技术两合公司
IPC分类号： H01L51/30
CPC分类号： H01L51/0058 , C07C17/12 , C07C25/22 , C07C2603/18 , C07C2603/94 , H01L51/0035 , H01L51/0059 , H01L51/007 , H01L51/0084 , H01L51/0094 , H01L51/4226 , H01L2251/306 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种光电池,它含有优选由无定形固体组成的空穴传导材料作为电荷输送层。
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公开(公告)号：CN107075657B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201580037211.5
申请日：2015-07-09
申请人： 牛津大学科技创新有限公司
CPC分类号： H01G9/2009 , C23C14/0021 , C23C14/0694 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/5846 , C23C14/5893 , C23C16/409 , C23C16/45553 , C23C16/45557 , H01G9/2027 , H01L51/0002 , H01L51/0032 , H01L51/0056 , H01L51/006 , H01L51/0077 , H01L51/422 , H01L51/4226 , H01L2031/0344 , H01L2251/306 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供了一种生产晶体材料的层的方法，该晶体材料包括钙钛矿或六卤代金属酸盐，该方法包括：(i)使基板于第一腔室中暴露在含第一前体化合物的蒸气中以在基板上产生第一前体化合物的层；以及(ii)使第一前体化合物的层于第二腔室中暴露在含第二前体化合物的蒸气中以产生晶体材料的层，其中第二腔室中的压力高于高真空。本发明还提供了一种生产晶体材料的层的方法，该晶体材料包括钙钛矿或六卤代金属酸盐，该方法包括：使基板上的第一前体化合物的层于腔室中暴露在含第二前体化合物的蒸气中以产生晶体材料的层，其中腔室中的压力高于高真空且小于大气压力。本发明还提供了一种生产包括晶体材料的层的半导体器件的方法，该方法包括通过本发明的方法生产晶体材料的层。
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公开(公告)号：CN104538429B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201410837308.1
申请日：2014-12-26
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
发明人： 徐源竣
IPC分类号： H01L27/32
CPC分类号： H01L27/3262 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L21/02675 , H01L21/30604 , H01L27/1222 , H01L27/1255 , H01L27/1274 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3265 , H01L29/41775 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/4958 , H01L29/66757 , H01L29/7833 , H01L29/78603 , H01L29/78675 , H01L29/78696 , H01L51/5215 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2251/301 , H01L2251/306 , H01L2251/308
摘要： 本发明提供一种AMOLED背板的制作方法及其结构。该AMOLED背板的制作方法为：依次在基板(1)上沉积缓冲层(2)、非晶硅层，使非晶硅层结晶、转变为多晶硅层并图案化多晶硅层，然后沉积一层P型重掺杂微晶硅层(P+uc‑Si)，接着进行黄光制程定义出沟道(40)的位置，再对P型重掺杂微晶硅层(P+uc‑Si)进行蚀刻，形成源/漏极(41)，后续依次形成栅极绝缘层(5)、栅极(61)、层间绝缘层(7)、金属源/漏极(81)、平坦层(9)、阳极(10)、像素定义层(11)、及光阻间隙物(12)；所述源/漏极(41)与栅极(61)在水平方向上不重叠，相互间隔。该方法能够改善驱动TFT的电特性，使导通电流较高、漏电流较低，并减少图像残留，提高AMOLED的显示质量。
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公开(公告)号：CN109638159A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811314114.8
申请日：2018-11-06
申请人： 深圳华中科技大学研究院 , 华中科技大学
CPC分类号： H01L51/4213 , H01L51/0077 , H01L2251/301 , H01L2251/303 , H01L2251/305 , H01L2251/306
摘要： 本发明属于钙钛矿太阳能电池制备领域，并具体公开了可循环利用的钙钛矿太阳能电池及其制备与循环利用方法，其采用如下步骤制备：在预处理后的基底上从下至上依次制备N型半导体氧化物致密层、N型半导体氧化物多孔层、卤化铅薄膜层和多孔碳对电极层；将器件浸泡在钙钛矿反应溶液中制备钙钛矿光敏层；利用异丙醇溶液对器件进行清洗，烘干获得所需的可循环利用的钙钛矿太阳能电池。将需循环利用电池放入甲醇或乙醇溶液中，以溶解钙钛矿光敏层中的非铅有机卤化物；将处理后的电池浸泡在钙钛矿再生溶液中重新合成钙钛矿光敏层；利用异丙醇溶液清洗，烘干实现电池的循环利用。本发明的电池可反复循环利用，制备简单，可行性强，材料浪费少，无污染。
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公开(公告)号：CN103811517B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201310528746.5
申请日：2013-10-30
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01L27/307 , H01L51/0072 , H01L51/4273 , H01L51/441 , H01L51/442 , H01L2251/301 , H01L2251/305 , H01L2251/306 , H01L2251/308 , Y02E10/549
摘要： 本发明涉及光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备。其中，光电转换元件具备有机光电转换膜，夹着有机光电转换膜而设置的第一电极及第二电极，以及设于第二电极和有机光电转换膜之间的电荷阻挡层，电荷阻挡层具有包含用于调整有机光电转换膜的第二电极侧的功函数的金属元素的功函数调整层，以及设于功函数调整层与第二电极之间、抑制金属元素向第二电极侧扩散的第一扩散抑制层。
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公开(公告)号：CN104505396B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201410543778.7
申请日：2006-10-13
申请人： 株式会社半导体能源研究所
发明人： 木村肇
IPC分类号： H01L27/32
CPC分类号： H01L27/124 , G02F1/133345 , G02F1/133512 , G02F1/133514 , G02F1/133707 , G02F1/1341 , G02F1/136209 , G02F1/136277 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , H01L27/1214 , H01L27/1288 , H01L27/3248 , H01L27/3276 , H01L27/3279 , H01L29/458 , H01L51/5206 , H01L51/5212 , H01L51/5215 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2251/306 , H01L2251/308
摘要： 本申请的发明名称为“显示器件及其制造方法”。本发明的目的在于如下：当在像素电极上形成金属膜并为层叠结构时，使用一个抗蚀剂掩模形成像素电极及金属膜。本发明的技术方案在于如下：层叠用作像素电极的导电膜和金属膜；使用具有半透光部分的曝光掩模在金属膜上形成具有膜厚度厚的区域和膜厚度比该区域薄的区域的抗蚀剂图案；以及使用抗蚀剂图案形成像素电极和接触于该像素电极的一部分的金属膜。根据以上，可以使用一个抗蚀剂掩模形成像素电极及金属膜。
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