公开(公告)号：CN105450186A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410436485.9

申请日：2014-08-29

申请人： 意法半导体研发(深圳)有限公司

发明人： 刘启宇 ,  杜如峰

IPC分类号： H03F1/52

CPC分类号： H03F1/523 ,  H03F3/183 ,  H03F3/185 ,  H03F3/211 ,  H03F3/2171 ,  H03F3/2173 ,  H03F3/45475 ,  H03F2200/03 ,  H03F2200/462 ,  H03F2200/78 ,  H03F2203/45512 ,  H03F2203/45528 ,  H03F2203/45594

摘要： D类音频放大器并入实施两个过流阈值的过流保护方案以避免动态阻抗降。当因扬声器两端的阻抗降而使输出电流达到第一阈值时，过流保护电路将输出电流限制为第一阈值的值，但是不关闭电路。第二阈值被用于检测用以关闭电路的过流状况。第一通道的电流限制逻辑监控第二通道的过流状况并且响应于此而控制第一通道输出。这使得在电路遭受短路状况时允许第二通道输出电流达到第二阈值。该方案还允许如果第二通道的过流状况是由输出扬声器两端的阻抗降引起则允许输出电流下降到第一阈值之下。

公开(公告)号：CN105262445A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510407633.9

申请日：2015-07-13

申请人： 新唐科技股份有限公司

发明人： 珍汉·奈兰德

IPC分类号： H03F1/32 ,  H03F3/26

CPC分类号： H03F3/187 ,  H03F1/523 ,  H03F3/303 ,  H03F2200/03 ,  H03F2200/219 ,  H03F2200/426 ,  H03F2203/30084 ,  H03F2203/30117

摘要： 本发明提供了一AB类推挽放大器的输出电路，包含有一上迭接输出级以及一下迭接输出级。该上迭接输出级包含有串联于一正电源供应节点与一输出节点之间的一第一以及一第二P型金属氧化物半导体晶体管，该第一P型金属氧化物半导体晶体管用以接收一第一互补输入信号。该下迭接输出级包含有串联于一负电源供应节点与该输出节点之间的一第一以及一第二N型金属氧化物半导体晶体管，该第一N型金属氧化物半导体晶体管用以接收一第二互补输入信号。该输出电路更包含有一偏压电路，其用以将一第一偏压提供给该第二N型金属氧化物半导体晶体管的一栅极端以及将一第二偏压提供给该第二P型金属氧化物半导体晶体管的一栅极端。

公开(公告)号：CN103138683B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210360874.9

申请日：2012-09-21

申请人： 三星电机株式会社

发明人： 村上忠正

IPC分类号： H03F1/26

CPC分类号： H03F1/26 ,  H03F1/02 ,  H03F1/223 ,  H03F1/523 ,  H03F1/56 ,  H03F3/189 ,  H03F3/19 ,  H03F2200/108 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/426 ,  H03F2200/444 ,  H03F2200/492 ,  H03F2200/555

摘要： 本发明涉及一种放大器电路。根据本发明的实施方式可以将过输入信号限制在可调节的上限电压和下限电压之间的范围内，而同时抑制噪声指数的劣化。放大器电路包括输入晶体管；电阻元件，具有连接至输入晶体管的栅极的第一端子和连接至偏压的第二端子；以及保护电路，连接至输入晶体管的栅极并将向输入晶体管的栅极的输入限制在基于偏压可调节的上限电压和下限电压之间的范围内。

公开(公告)号：CN102356542B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201080012472.9

申请日：2010-03-18

申请人： 高通股份有限公司

发明人： 马尔科·卡西亚 ,  居坎瓦尔·辛格·萨霍塔

IPC分类号： H03F1/22 ,  H03F1/52 ,  H03F3/72 ,  H03F3/21 ,  H03G1/00

CPC分类号： H03F1/223 ,  H03F1/523 ,  H03F3/211 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/27 ,  H03F2200/294 ,  H03F2203/7206 ,  H03F2203/7215 ,  H03F2203/7236 ,  H03G1/0088

摘要： 本发明描述一种具有保护电路的共源共栅放大器(300)。在一个示范性设计中，所述放大器包括并联耦合的多个分支(310a、310b、310k)，其中至少一个分支可在“接通”状态与“断开”状态之间切换。每一可切换分支包括耦合到共源共栅晶体管(314)的增益晶体管(312)。所述增益晶体管(312)在所述接通状态下放大输入信号且提供经放大的信号，且在所述断开状态下不放大所述输入信号。所述共源共栅晶体管(314)在所述接通状态下缓冲所述经放大的信号且提供输出信号。输出信号摆动可借助所述保护电路而在所述接通及断开状态两者下在所述增益晶体管(312)与所述共源共栅晶体管(314)之间分裂。每一晶体管接着可观测到电压摆动的小部分。所述断开状态下的电压分裂可通过浮动所述增益晶体管(312)且使所述共源共栅晶体管(314)的栅极与源极短接来实现。

公开(公告)号：CN105210290A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201480023621.X

申请日：2014-04-25

申请人： 株式会社皮尔斯特

发明人： 成焕浩

IPC分类号： H03F3/217

CPC分类号： H03F3/2171 ,  H03F1/0205 ,  H03F1/523 ,  H03F1/526 ,  H03F3/185 ,  H03F3/217 ,  H03F3/2178 ,  H03F2200/03 ,  H03F2200/351

摘要： 本实施例提供容错型开关放大器，上述容错型开关放大器的特征在于，包括：逆变器部，上述逆变器部包括N个逆变器，N个逆变器分别包括多个开关元件，根据向多个开关元件输入的脉冲宽度调制信号，控制多个开关元件的开启或关闭，来切换被施加的直流电压，并根据上述切换来生成输出信号；以及控制部，分别与N个逆变器的输出端并联，且包括根据N个逆变器的正常工作与否来短路或被开放的N个开关，N个逆变器的输出端相互串联，来生成合并从各逆变器输出的输出信号的放大信号。

公开(公告)号：CN104937838A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201480005407.1

申请日：2014-01-22

申请人： 高通股份有限公司

发明人： S·阿伯德尔海姆 ,  W·J·比德尔曼三世

IPC分类号： H03F1/22 ,  H03F3/22 ,  H03F1/52

CPC分类号： H03F1/0205 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/0277 ,  H03F1/22 ,  H03F1/223 ,  H03F1/523 ,  H03F3/193 ,  H03F3/195 ,  H03F3/211 ,  H03F3/22 ,  H03F3/245 ,  H03F3/68 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/108 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/426 ,  H03F2200/541 ,  H03F2203/21142 ,  H03F2203/7206

摘要： 公开了具有改进隔离的放大器。在示例性设计中，一种装置(例如，无线设备、集成电路等)包括具有增益晶体管(514)、第一和第二共源共栅晶体管(513，515)以及分流晶体管(517)的放大器(500)。增益晶体管接收输入信号(RFin)并提供经放大信号。第一共源共栅晶体管耦合在增益晶体管与中间节点(X)之间并接收经放大信号。第二共源共栅晶体管耦合在中间节点与输出节点之间并提供输出信号(RFout)。分流晶体管耦合在中间节点与电路接地之间。第一和第二共源共栅晶体管被启用以提供输出信号。分流晶体管(i)在共源共栅晶体管被启用时被禁用并且(ii)在共源共栅晶体管被禁用时被启用以使中间节点短路至电路接地。

公开(公告)号：CN102771047B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201080064170.6

申请日：2010-10-26

申请人： 夏普株式会社

发明人： 丸山正彦

IPC分类号： H03F1/26 ,  H03F1/00 ,  H03F1/30 ,  H03F1/52 ,  H03F3/195

CPC分类号： G05F1/56 ,  H03F1/306 ,  H03F1/523 ,  H03F3/195 ,  H03F3/245 ,  H03F3/45475 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/447 ,  H03F2200/451

摘要： 偏置电路（11）是用于源极端子（4）接地的HEMT（1）的HEMT偏置电路（11），其包括双电源型的运算放大器（AMP1）、电阻元件（RI）、第1基准电压源（VX）及第2基准电压源（VY），运算放大器（AMP1）的正输入端子与HEMT（1）的漏极端子（3）相连接，其负输入端子与第2基准电压源（VY）相连接，其输出端子与HEMT（1）的栅极端子（2）相连接，电阻元件（RI）的一个端子与HEMT（1）的漏极端子（3）相连接，其另一端子与第1基准电压源（VX）相连接。由此，实现了降低温度相关性、降低电源电压相关性、足够衰减与电源电压及负电压相叠加的噪声、和提高制造工艺的选择自由度。

公开(公告)号：CN103518140A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201280009795.1

申请日：2012-02-22

申请人： 雅盖隆大学

发明人： 兹比格涅夫·索辛 ,  马切伊·索辛 ,  马列克·亚当奇克

IPC分类号： G01R29/24 ,  H03F1/52

CPC分类号： G01R27/2605 ,  G01R29/24 ,  H03F1/523

摘要： 一种用于测量电荷的系统，包括：连接到电荷积分器（120）的电容检测器（110），电荷积分器（120）是具有电容反馈（130）的运算放大器，其中电荷积分器（120）的输入级（121）包括一对对称连接的JFET型晶体管（T1、T2），晶体管（T1、T2）具有连接到电荷积分器（120）的输入的栅极。

公开(公告)号：CN103166646A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210539511.1

申请日：2012-12-13

申请人： 马克西姆综合产品公司

发明人： J·H·赫伊吉森 ,  范钦雯 ,  K·A·A·马金瓦

IPC分类号： H03M3/00

CPC分类号： H03K17/08104 ,  H03F1/523 ,  H03F3/393 ,  H03F3/45179 ,  H03F2200/261 ,  H03M3/34 ,  H03M3/43 ,  H03M3/452

摘要： 本发明涉及一种完全电容性耦合的输入斩波器。一种从差分输入端Vinp和Vinn传送差分信号的方法，差分输入端的共模输入电压能够比电源电压更高，该方法包括提供具有作为差分输入端的Vinp和Vinn的输入斩波器；提供输出斩波器；将输入斩波器的差分输出端Voutp和Voutn电容性地耦合至输出斩波器的差分输入端；将时钟电容性地耦合至输入斩波器，并且将时钟耦合至输出斩波器，时钟具有第一相位以及与第一相位相反的第二相位，将第一相位耦合至第一和第二晶体管的栅极，并且将第二相位耦合至第三和第四晶体管的栅极；以及提供对第一至第四晶体管的栅极的保护以使其免受过大的电压。公开了各种实施例。

公开(公告)号：CN102957386A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201110241731.1

申请日：2011-08-19

申请人： 凹凸电子(武汉)有限公司

发明人： 汤小虎

IPC分类号： H03F3/45 ,  H02J7/00

CPC分类号： H03F3/45192 ,  G01R31/3658 ,  H03F1/0211 ,  H03F1/523 ,  H03F3/3023 ,  H03F3/45475 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/516 ,  H03F2203/30033 ,  H03F2203/45292 ,  H03F2203/45302 ,  H03F2203/45454 ,  H03F2203/45466 ,  H03F2203/45476 ,  H03F2203/45616

摘要： 一种对电光源进行控制的运算放大器以及电池管理系统，该运算放大器包括输入级和输出级，输入级包括：第一电流源，用于产生第一偏置电流；差分输入电路，用于接收所述第一偏置电流以及差分输入信号，并将所述差分输入信号转换为差分输入电流，其中，输入级通过第一电源供电电压供电；输出级包括：负载电路，与所述差分输入电路相连，用于接收所述差分输入电流并输出单端输出信号，其中，输出级通过第二电源供电电压供电，所述第二电源供电电压小于所述第一电源供电电压。本发明提供的运算放大器以及电池管理系统，通过使用不同的电源供电电压供电，无需额外的电平转换电路，因此减小了运算放大器的面积，降低了运算放大器的成本以及功耗。