公开(公告)号：CN107453718A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710884980.X

申请日：2017-09-26

申请人： 佛山市南海蜚声演出器材制造有限公司

发明人： 李达标

IPC分类号： H03F1/52

CPC分类号： H03F1/52 ,  H03F2200/444

摘要： 功放非电流触发检测保护电路，与功放非电流触发检测保护电路共同工作的功放电路、音量渐大电路、保护延时电路、输出继电器BY1，所述的功放电路中设有大电流过流保护触发电路，所述的功放非电流触发检测保护电路包括信号整型电路、功放电路状态监控电路；所述的信号整型电路用于将功放电路输出的AC脉冲短路触发信号整型为可驱动下级电路的DC脉冲信号；所述的功放电路状态监控电路用于接收所述的信号整型电路发出的DC脉冲信号进行对功放电路工作状态判定是正常或短路；优点是，对功放电路实现有效检测及低功耗短路保护，大大提高设备寿命，降低故障率，提高产品实用性。

公开(公告)号：CN106357224A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610457770.8

申请日：2016-06-22

申请人： 恩智浦有限公司

发明人： 吉安·霍赫扎德

IPC分类号： H03F1/26 ,  H03F3/45

CPC分类号： H03F1/52 ,  H03F3/195 ,  H03F3/45475 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/258 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/426 ,  H03F2200/441 ,  H03F2200/444 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/462 ,  H03F2200/481 ,  H03F2200/489 ,  H03F2200/492 ,  H03F2200/78 ,  H03F3/45 ,  H03F1/26 ,  H03F3/45071 ,  H03F2200/372

摘要： 一种RF放大器(200)包括：输入晶体管极端子、输入晶体管集极端子和输入晶体管发射极端子；简并组件(206)，所述简并组件(206)连接在所述输入晶体管发射极端子与接地端子之间；以及保护晶体管(204)，所述保护晶体管(204)具有保护晶体管基极端子、保护晶体管集极端子和保护晶体管发射极端子。所述输入晶体管基极端子连接到所述保护晶体管发射极端子，且所述保护晶体管基极端子连接到所述输入晶体管发射极。(202)，所述输入晶体管(202)具有输入晶体管基

公开(公告)号：CN102651393B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201110452379.6

申请日：2011-12-29

申请人： 富士通株式会社

发明人： 今田忠纮 ,  吉川俊英

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H02M5/10 ,  H03F3/189

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2924/181 ,  H03F1/3247 ,  H03F1/523 ,  H03F3/189 ,  H03F3/24 ,  H03F2200/204 ,  H03F2200/426 ,  H03F2200/444 ,  H03F2200/451 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 栅电极形成为将电极材料包埋在用于电极的凹陷中，所述凹陷通过栅极绝缘膜形成在堆叠化合物半导体结构中，并且也通过将电极材料包埋在用于电极的凹陷中来形成与堆叠化合物半导体结构肖特基接触的场板电极，所述凹陷已经形成在堆叠化合物半导体结构中使得场板电极至少在用于电极的凹陷的底面上与堆叠化合物半导体结构直接接触。

公开(公告)号：CN101517671B

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN200680043082.1

申请日：2006-09-19

申请人： 加州大学评议会

发明人： Y·马 ,  G·-P·李

IPC分类号： H01G2/12

CPC分类号： H01L27/0255 ,  H03F1/22 ,  H03F1/52 ,  H03F3/605 ,  H03F2200/444 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/93

摘要： 提供了改进的保护电路用作电压过载保护电路、RF输入管脚的ESD保护电路以及分布式放大器的单位保护单元。优选地，该保护电路包括用以触发开关的正阈值电压触发器，其中该触发器包括与电阻器串联的二极管串，并且所述开关包括与单反向二极管串联的双极型晶体管开关。可选地，该触发器包括与单二极管和单电阻器串联的二极管串，并且用来触发与单反向二极管串联的复合晶体管对晶体管开关。在另一实施例中，复合晶体管对晶体管开关由电容器触发。在与分布式放大器使用时，该ESD保护电路优选被吸入到分布式放大器的仿真传输线内。

公开(公告)号：CN102291090A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110102399.0

申请日：2011-04-22

申请人： 中兴通讯股份有限公司

发明人： 孙涵 ,  张煜 ,  李春阳 ,  阮金龙

IPC分类号： H03F1/52

CPC分类号： H03F1/52 ,  H03F2200/444

摘要： 本发明公开了一种低噪声放大器保护开关，开关的公共端连接至天线，开关的发射端连接至负载，开关的接收端连接至低噪声放大器，公共端通过至少一个第一组二极管连接至发射端，公共端通过至少一个第二组二极管连接至接收端，其中，第一组二极管和第二组二极管均包括并联的二极管。本发明解决了现有技术中的低噪放保护开关功率容量小以及可靠性低的问题，进而达到了提高功率容量以及可靠性的效果。

公开(公告)号：CN100557950C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200610156226.6

申请日：2006-12-26

申请人： 株式会社东芝

发明人： 杉浦政幸 ,  栗山保彦

IPC分类号： H03F1/30 ,  H03F1/02 ,  H03F3/21 ,  H01L27/06 ,  H01L27/04

CPC分类号： H03F1/52 ,  H01L27/0251 ,  H03F2200/444

摘要： 本发明提供一种功率放大器，该功率放大器的特征在于，具备：有源元件，该有源元件具有使用了至少1个化合物半导体的异质结双极晶体管；二极管，该二极管以与基极·发射极间二极管反方向的方式被连接在上述双极晶体管的基极和发射极间；电阻，该电阻被串联连接在上述二极管和上述双极晶体管的基极之间；和偏压电路，该偏压电路被连接在上述二极管和上述电阻之间。

公开(公告)号：CN101388201A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810212043.0

申请日：2008-09-12

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 小岛友和

IPC分类号： G09G3/36 ,  H03K17/08 ,  H03F3/45

CPC分类号： G05F1/56 ,  H03F1/523 ,  H03F3/45475 ,  H03F3/505 ,  H03F2200/444 ,  H03F2203/45138 ,  H03F2203/45528 ,  H03F2203/5036 ,  H03F2203/5045 ,  H03K17/0822

摘要： 本发明的电压产生电路包括：电压变换部，对基准电压进行电压变换；和输出部，对所述电压变换部的输出电压进行阻抗变换。所述电压变换部和所述输出部各自具备低电压端电源和高电压端电源。所述输出部的所述高电压端电源的电压电平被设置为高于所述电压变换部的所述高电压端电源的电压电平。

公开(公告)号：CN1255944C

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN01807447.2

申请日：2001-03-09

申请人： 罗伯特-博希股份公司

发明人： H·-J·拉丹特 ,  R·舒尔策

IPC分类号： H03H7/25

CPC分类号： H03G1/0058 ,  H03F1/565 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/444 ,  H03F2200/447 ,  H03H7/255 ,  H03H7/38

摘要： 移动UKW无线电接收用的天线放大器，具有一个信号放大器、一个具有用于阻抗匹配的PIN二极管(4)的可调节执行元件(10)、以及一个用于调节所述执行元件的调节放大器。所述的天线放大器具有一种因环境温度中的很大差异(夏季/冬季)而产生的温度特性补偿，从而优化了所述的PIN二极管连接点，且调节范围被最大化。

公开(公告)号：CN107395136A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710777373.3

申请日：2017-08-31

申请人： 成都四威功率电子科技有限公司

发明人： 胡张 ,  侯钧 ,  杨阳 ,  胡亮 ,  杜云飞

IPC分类号： H03F1/52

CPC分类号： H03F1/523 ,  H03F2200/444

摘要： 本发明涉及一种应用于氮化镓及砷化镓功率放大器的保护电路，包括故障信号处理模块、输入欠压判断模块、控制信号输出模块和电源控制模块，所述故障信号处理模块和输入欠压判断模块分别与所述控制信号输出模块的输入端相连，所述控制信号输出模块的输出端与所述电源控制模块的输入端相连。本发明通过故障信号处理模块判断是否出现过流、过温或负压故障信号，输入欠压判断模块用于判断电源电压是否低于28V，控制信号输出模块中的光耦IC3在CTRL信号和protect信号均为高电平时关闭，此时，场效应管Q1栅级和漏级间电压较低，场效应管Q1处于关闭状态，电源电压无法通过场效应管Q1，无电压输出，起到保护功率放大器的作用。

公开(公告)号：CN105978830A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610138272.7

申请日：2016-03-11

申请人： 罗伯特·博世有限公司

发明人： G.迈尔 ,  M.瓦尔特

IPC分类号： H04L25/02

CPC分类号： H03F3/45071 ,  H03F1/52 ,  H03F1/56 ,  H03F3/60 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/423 ,  H03F2200/444 ,  H04B1/40 ,  H04L25/0278 ,  H04L25/0272

摘要： 本发明涉及一种发送电路（1），其用于发送和/或接收至少一个单端信号（SESS，SEES）并且用于发送差分信号到两个传输线路（2a，2b）上，所述发送电路包括：‑用于通过所述两个传输线路（2a，2b）发送差分信号的信号部分的差分放大器（5）；‑两个阻抗匹配电阻（8a，8b），其为了所述差分放大器（5）的阻抗匹配而串联连接地布置在所述传输线路（2a，2b）之间；‑串联连接在所述阻抗匹配电阻（8a，8b）之间的开关（7）；‑至少一个单端发送放大器（3），其用于通过所述传输线路（2a，2b）中的所分配的传输线路发送或者接收单端信号，其中，所述至少一个单端发送放大器（3）中的每一个与所述开关（7）的一个端子连接，所述开关通过相应的阻抗匹配电阻（8a，8b）与所分配的传输线路（2a，2b）连接。