公开(公告)号：CN118431138B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410879722.2

申请日：2024-07-02

申请人： 季华恒一(佛山)半导体科技有限公司

发明人： 程远贵

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

摘要： 本发明公开了一种反应舟位置调整系统和方法，涉及晶圆退火领域，其中反应舟位置调整系统包括：反应舟；机械手；相机；驱动机构；控制器，控制器用于基于预先训练好的视觉定位模型根据图像信息中的基准标记获取基准位置信息，并根据图像信息获取第一位置信息；控制器还用于根据基准位置信息和第一位置信息获取两者之间的偏差信息；控制器还用于根据偏差信息控制驱动机构驱动反应舟水平位移。本申请的反应舟位置调整系统能解决机械手按预设移动路径进行传片时无法将待退火的碳化硅晶圆准确放置在反应舟的槽位上的问题，从而能达到便捷准确地将机械手上的碳化硅晶圆放置在反应舟的槽位上的效果。

公开(公告)号：CN118280900B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410703748.1

申请日：2024-06-03

申请人： 江苏京创先进电子科技有限公司

发明人： 曹伟 ,  高阳 ,  孙志超 ,  赵锋

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687

摘要： 本发明揭示了晶圆上料方法及晶圆加工设备，其中晶圆上料方法包括如下步骤：S1,控制第一移载机构从晶圆盒中取一晶圆并移动到图像采集装置的图像采集范围；S2,控制图像采集装置采集图像并根据采集的图像确定晶圆的圆心坐标；S3,根据晶圆的圆心坐标控制第二移载机构调整其上吸盘的位置以使所述吸盘可绕旋转轴转动到与所述晶圆同轴后将所述晶圆吸附；S4,控制所述第二移载机构将所述吸盘吸附的晶圆同轴放置于承片台上。本方法不需要通过定位柱来推动晶圆移动，避免了向晶圆施加径向力造成晶圆损坏的风险，不需要额外的空间来设置对中件。同时，吸盘的位置调整可以在转动过程中实现，不需要占用额外的时间，也免去了不必要的取放过程，效率更高。

公开(公告)号：CN118571821B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202411060475.X

申请日：2024-08-05

申请人： 上海陛通半导体能源科技股份有限公司

发明人： 赵美英 ,  宋维聪

IPC分类号： H01L21/68

摘要： 本发明提供一种用于半导体设备基座的非接触式调平调心治具及方法。治具包括：定心梁组件、轴套组件、传感器组件和移动组件；定心梁组件包括定心梁，定心梁上设置有定心孔；轴套组件包括轴套，轴套固定于定心梁的定心孔内；传感器组件包括支架和3个传感器，支架设置有支架轴，支架底部具有锲形斜面，3个传感器在支架上呈中心对称设置；移动组件包括丝杠、丝杠支座、丝杠螺母及与支架的锲形斜面配合的下锲形块；下锲形块与支架底部的锲形斜面贴合，丝杠支座固定于定心梁上，丝杠螺母与下锲形块固定连接，且套设于丝杠上，丝杠的另一端插入丝杠支座的轴承孔内。本发明有助于提高调试精度，避免调试作业过程中引入颗粒污染，可提高生产良率。

公开(公告)号：CN118471879B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410922149.9

申请日：2024-07-10

申请人： 矽电半导体设备(深圳)股份有限公司

发明人： 吴贵阳

IPC分类号： H01L21/68

摘要： 本申请实施例提供了一种半导体预对准方法、装置、电子设备以及存储介质，属于自动化设备技术领域。该方法包括：获取测量范围内至少包括半导体的部分圆弧的半导体图像；确定半导体图像中至少一个圆弧点的坐标值，并根据其中一个圆弧点的坐标值确定对应在半导体图像中的目标导数值；将目标导数值与预设的多个标准圆数据进行逐级对比，确定目标导数值对应的标准导数值，并根据坐标值和标准导数值确定半导体的圆心位置；移动半导体直至半导体的圆心位置与载物台的中心位置对齐时，将半导体放置于载物台上，并根据至少一个坐标值确定半导体的切边或缺口，旋转载物台直至切边或缺口面向第一预设方向。本申请能够提高半导体的预对准效率。

公开(公告)号：CN111710638B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202010503560.4

申请日：2020-06-05

申请人： 苏州迈为科技股份有限公司

发明人： 孙松

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L21/67 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种硅片校正机构，包括：底座；两个推片件，均可滑动地设在所述底座上，两个所述推片件相对设置；运动件，可滑动地设在所述底座上，所述运动件上开设有两个运动滑轨，两个所述推片件分别滑动与两个所述运动滑轨滑动连接，所述运动件在第一方向上运动时，带动两个所述推片件朝相互靠近或相互远离；两个所述推片件用于在相互靠近时对硅片夹持校正；驱动装置，连接所述运动件，用于带动所述运动件在所述第一方向上运动。现有技术中需要两个气缸连接两个推片件，本实施方式中通过运动件的设置，使得单个气缸可以带动两个推片件相互靠近或相互远离，节省了硅片校正机构的成本。

公开(公告)号：CN118692979A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202411157341.X

申请日：2024-08-22

申请人： 无锡邑文微电子科技股份有限公司 ,  江苏邑文微电子科技有限公司

发明人： 孙文彬 ,  潘磊

IPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01L21/68

摘要： 本发明涉及半导体工业技术领域，公开了一种干法刻蚀机用的片架，包括固定板，固定板设有两个，且两个固定板相对的一侧均设有若干个收纳槽，固定板设有若干个传动腔，述传动腔内均滑动连接有安装板，安装板靠近定位孔的一侧固定连接有两个定位杆，定位杆的端部均嵌合有转动连接的橡胶滚珠，此干法刻蚀机用的片架，在晶圆片放置进片架后，三角块的下斜面挤压安装板，可带动安装板朝着收纳槽方向进行移动，使定位杆从定位孔内伸出，利用橡胶滚珠与晶圆片表面进行贴合，完成对晶圆片的夹持固定，橡胶滚珠以其可转动且较为柔软的表面可降低与晶圆片之间的摩擦力，避免因晶圆片与片架之间发生摩擦，导致晶圆片表面容易产生划痕的问题。

公开(公告)号：CN118692972A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202411038862.3

申请日：2024-07-31

申请人： 安徽润象新材料科技有限公司

发明人： 杜黎丽 ,  李俊峰

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L21/683 ,  H01L21/677 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了太阳能压平玻璃的生产装置及生产方法，涉及太阳能压平玻璃设备技术领域，包括承重底架，所述承重底架的后表面焊接有第一外接架，所述第一外接架的顶部设有配线箱，所述配线箱的内部固定连接有PLC编程控制器，所述承重底架的顶部分别设有本体吸附机构、槽面掘进机构和目标转移机构，所述本体吸附机构包括支撑框架，所述槽面掘进机构包括第二外接架，所述目标转移机构包括第三外接架，设备通过多个机构相互协同，可完成预加工玻璃的固定、转移和破形等相关步骤，且每项步骤衔接较为紧密，并充分对玻璃本体进行有效保护，缩减人为干扰项目，减少破损数量，提高优质压平玻璃产出效率。

公开(公告)号：CN118676043A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410669014.6

申请日：2024-05-27

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 胡李松

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供了一种晶圆校准定位的精细调节方法及半导体工艺设备，该方法包括：将晶圆传入工艺腔室，对晶圆进行预设时长的刻蚀以获取晶圆的刻蚀速率偏心图；其中，刻蚀速率偏心图包括晶圆上各采样点的刻蚀速率偏心值，刻蚀速率偏心值为各采样点的刻蚀速率与采样点所在圆环的平均刻蚀速率的差值；基于刻蚀速率偏心图判断晶圆的刻蚀均匀性是否满足预设误差要求；若晶圆的刻蚀均匀性不满足预设误差要求，基于刻蚀速率偏心图对机械手的传输位置进行矫正以改变晶圆在工艺腔室内的位置，以使晶圆的刻蚀均匀性满足预设误差要求。本发明可以校验晶圆的校准定位效果，提高了晶圆的整体刻蚀均匀性，降低了晶圆的校准定位误差，提升了晶圆的校准精度。

公开(公告)号：CN118660608A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410639358.2

申请日：2024-05-22

申请人： 杭州大和热磁电子有限公司

发明人： 彭书行

IPC分类号： H10N10/01 ,  F25B21/02 ,  F25D23/00 ,  H10N10/82 ,  H01L21/48 ,  H01L21/68

摘要： 本发明公开了一种陶瓷基板铜柱堵孔双面短路治具及方法，旨在解决陶瓷基板安装铜柱体实现双面短路操作不便，工作效率低，容易导致陶瓷基板碎裂的不足。该发明包括载台，载台上设置定位孔，陶瓷基板上设置铜柱堵孔，陶瓷基板装载在载台上，陶瓷基板上的铜柱堵孔与定位孔对准，铜柱堵孔和定位孔之间插装铜柱体。陶瓷基板铜柱堵孔双面短路治具方便了陶瓷基板双面短路操作，提高了工作效率，操作过程中陶瓷基板不易碎裂。

公开(公告)号：CN118466112B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410924269.2

申请日：2024-07-11

申请人： 青岛天仁微纳科技有限责任公司

发明人： 冀然 ,  孙玉健 ,  刘苹伟 ,  栾福瑜

IPC分类号： G03F7/00 ,  H01L21/68

摘要： 本发明公开了一种纳米压印晶圆加工用对准定位方法及系统，涉及晶圆加工技术领域。包括：面积获取：获取待压印晶圆的可压印面积以及压印设备的面积，分别得到第一面积项和第二面积项；图形模拟：基于第一面积项和第二面积项，通过模拟方法模拟出第二面积项与第一面积项的结合图示，并基于结合图示得到多组压印图形，得到压印图形集。本发明通过待压印晶圆的可压印面积以及压印设备的面积来预先模拟出压印设备在可压印面积中的所有结合图示，并通过图形投射器将压印图形项投射在晶圆表面，方便压印设备根据投射的压印图形进行压印，提高了压印过程中压印设备的对齐精准度。