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公开(公告)号：CN118841298A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411324806.6
申请日：2024-09-23
申请人： 季华恒一(佛山)半导体科技有限公司
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/14 , H01J37/317 , H01L21/265
摘要： 本申请涉及离子注入技术领域，具体提供了一种聚焦束流自动调整系统、方法及离子注入机，该系统包括：四极磁透镜组，正对离子源机构的输出端，其包括至少一个X磁透镜和至少一个Y磁透镜；透镜位置调节组件，用于调节X磁透镜和/或Y磁透镜的位置；法拉第杯，设置在四极磁透镜组远离离子源机构的一侧，用于采集实际束流大小信息；控制器，与透镜位置调节组件和法拉第杯电性连接，用于根据实际束流大小信息分析当前束流是否为目标束流，还用于在当前束流不是目标束流时，控制透镜位置调节组件调节X磁透镜和/或Y磁透镜的位置，以使实际束流大小信息达到最大或使当前束流达到目标束流；该系统能够有效地提高束流聚焦系统的聚焦效果。
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公开(公告)号：CN118431138B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410879722.2
申请日：2024-07-02
申请人： 季华恒一(佛山)半导体科技有限公司
发明人： 程远贵
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 本发明公开了一种反应舟位置调整系统和方法，涉及晶圆退火领域，其中反应舟位置调整系统包括：反应舟；机械手；相机；驱动机构；控制器，控制器用于基于预先训练好的视觉定位模型根据图像信息中的基准标记获取基准位置信息，并根据图像信息获取第一位置信息；控制器还用于根据基准位置信息和第一位置信息获取两者之间的偏差信息；控制器还用于根据偏差信息控制驱动机构驱动反应舟水平位移。本申请的反应舟位置调整系统能解决机械手按预设移动路径进行传片时无法将待退火的碳化硅晶圆准确放置在反应舟的槽位上的问题，从而能达到便捷准确地将机械手上的碳化硅晶圆放置在反应舟的槽位上的效果。
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公开(公告)号：CN118431137A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410879718.6
申请日：2024-07-02
申请人： 季华恒一(佛山)半导体科技有限公司
发明人： 程远贵
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/683
摘要： 本发明公开了一种取片系统、方法和反应舟位置调整方法，涉及晶圆退火领域，其中取片系统包括：机械手；抽真空组件；控制器，用于打开抽真空组件以使抽真空组件对腔体进行抽气；控制器还用于控制机械手执行托片动作；控制器还用于判断真空度是否大于预设值且小于0;控制器还用于在真空度大于预设值且小于0时，控制加热件对转盘进行加热以对转盘上方的光刻胶进行加热，并控制转盘旋转以使转盘将其上方的光刻胶涂抹均匀。本申请的取片系统能解决碳化硅晶圆底面光刻胶不平整，导致碳化硅晶圆在机械手传片过程中倾斜或偏移进而导致碳化硅晶圆掉落或与反应舟发生碰撞的问题，从而能达到机械手在托片和传片时能稳固吸片的效果。
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公开(公告)号：CN117276143B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311522315.8
申请日：2023-11-15
申请人： 季华恒一(佛山)半导体科技有限公司
摘要： 本申请涉及激光退火领域，具体而言，涉及一种用于碳化硅晶圆的激光退火装置和系统，其中激光退火装置包括工艺台；激光源，安装在工艺台上方；第一驱动机构，用于驱动工艺台水平位移；第二驱动机构，用于驱动激光源摆动，激光源的摆动轴与工艺台的位移方向平行。本申请的激光退火装置能解决工艺台频繁位移使得工艺台振动导致激光退火的位置产生偏差的问题，达到提高退火效率的效果。
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公开(公告)号：CN117174622B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311422468.5
申请日：2023-10-31
申请人： 季华恒一(佛山)半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/268 , C30B33/02 , C30B29/36
摘要： 本申请涉及激光退火领域，具体而言，涉及一种用于碳化硅晶圆的激光退火系统和方法，其中系统包括工艺台、机械手、扫描装置、激光源、第一驱动机构和控制器，控制器还用于在对碳化硅晶圆进行激光退火处理前，获取碳化硅晶圆的厚度信息；根据厚度信息、标准厚度信息、标准退火距离信息和标准光斑大小信息确定扫描步长和扫描速度，或者，根据厚度信息和标准厚度信息调节激光源的高度以使实际光斑大小达到标准光斑大小。本申请的用于碳化硅晶圆的激光退火系统和方法能解决使用相同参数对不同厚度的碳化硅晶圆进行退火导致退火效果不同且部分碳化硅晶圆加工质量差的问题，达到不同厚度的碳化硅晶圆上的退火效果相同且加工质量好的效果。
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公开(公告)号：CN114294912B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210016482.4
申请日：2022-01-07
申请人： 季华恒一(佛山)半导体科技有限公司
摘要： 本发明属于真空烘箱技术领域，特别涉及一种电加热式烘干系统，其包括：烘干室；加热板，设于所述烘干室内，用于放置待干燥物品，其内部设有气流通道；气路切换组件，与所述气流通道连接，用于使所述气流通道两端与所述烘干室内或所述烘干室外连通；驱动组件，安装在所述气路切换组件上，用于驱动所述气流通道内的气体单向流动；控制器，用于在所述加热板处于加热状态时通过所述气路切换组件控制所述气流通道与所述烘干室内连通，还用于在所述加热板处于冷却状态时通过所述气路切换组件控制所述气流通道与所述烘干室外连通；该电加热式烘干系统不仅能有效地提高电加热式烘干系统温度分布的均匀性，还能有效地提高电加热式烘干系统的冷却速度。
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公开(公告)号：CN115125520A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210946690.4
申请日：2022-08-09
申请人： 季华恒一(佛山)半导体科技有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/52
摘要： 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种匀气板及镀膜装置，本申请提出的匀气板，用于导出均匀的气体以进行等离子体镀膜，匀气板具有多个扩散孔，扩散孔排气端均匀分布在匀气板的下端面，扩散孔通过束流孔与导流孔连通，导流孔的进气端分布在匀气板的上端面，且匀气板上端面的中心区域的导流孔比外周区域的导流孔密集，本申请通过上述设计，使从匀气板底部各处排出的气体流量平均，从而提高镀膜的均匀性。
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公开(公告)号：CN113737154A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110944338.2
申请日：2021-08-17
申请人： 季华恒一(佛山)半导体科技有限公司
IPC分类号： C23C16/32 , C23C16/44 , C23C16/458
摘要： 本发明公开了一种外延设备的生长腔室，用于外延生长，包括：腔室本体，呈水平设置的圆柱状；承托组件，用于承托并驱动衬底旋转使衬底进行外延生长；所述腔室本体内设有两个以上的反应腔，两个以上的反应腔为竖向排列，每个所述反应腔内均设有所述承托组件；该外延设备的生长腔室为外延设备中的高温反应装置，其内设有两个以上的反应腔，而每个反应腔中均设置有用于承托衬底的承托组件，使得本申请实施例的生长腔室能在同一个腔室本体中提供两个以上的反应空间，在对应的反应腔内置入衬底便能同时进行多个外延片的外延生长工艺，在保证外延厚度、掺杂均匀性的前提下，显著地提高了外延设备的产能，并有效地降低设备成本。
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公开(公告)号：CN118553585B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411014571.0
申请日：2024-07-26
申请人： 季华恒一(佛山)半导体科技有限公司
IPC分类号： H01J37/302 , H01J37/08 , H01J37/24 , H01J37/244 , H01J37/317 , G05D23/19
摘要： 本申请涉及离子注入技术领域，具体提供了一种离子源温度调节系统、方法及离子注入机，该系统包括：法拉第杯，设置在真空腔室内，用于采集束流大小信息；第一温度测量组件，设置在真空腔室外，用于通过其中一个检测孔采集灯丝温度信息；第二温度测量组件，设置在真空腔室外，用于通过另一个检测孔采集阴极帽温度信息；控制器，用于调节灯丝电源和/或偏置电源的输出功率，以使束流大小信息在满足灯丝温度信息和阴极帽温度信息均小于预设温度阈值且束流大小信息大于等于预设目标束流大小的情况下达到最大；该系统能够有效地解决由于灯丝和/或阴极帽的温度过高而导致灯丝与阴极帽短接和/或阴极帽与弧室短接，灯丝电源和/或偏置电源损坏的问题。
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公开(公告)号：CN118553582A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410886522.X
申请日：2024-07-03
申请人： 季华恒一(佛山)半导体科技有限公司
IPC分类号： H01J37/147 , H01L21/265 , H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种立式离子注入机，属于离子注入设备技术领域，包括离子注入装置，离子注入装置包括离子源、前端磁场发生部、后端磁场发生部和靶台，离子源用于形成离子束；前端磁场发生部设置在离子源的下游且用于使离子束在水平面上发生偏转；后端磁场发生部设置在前端磁场发生部的下游且用于使离子束在竖直面上发生偏转；靶台上设置有承载面，承载面与水平面不垂直；靶台通过承载面承托晶片并使经过后端磁场发生部的离子束射向晶片。本发明的立式离子注入机无需设置压片机构压紧晶片，避免了压片机构与晶片摩擦产生的微粒附着在晶片上，从而保证离子注入效果，有效提高晶片的成品质量。
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