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公开(公告)号：CN117529196A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311584916.1
申请日：2023-11-24
申请人： 中国科学院大学
摘要： 本发明提供一种离子注入掺杂方法及器件，所述方法包括如下步骤：S1：提供衬底；S2：在所述衬底上形成第二对电极；S3：在所述衬底上形成有机半导体层；S4：在所述有机半导体层上形成电解质绝缘层，所述电解质绝缘层包括绝缘聚合物和离子盐的混合物；S5：提供第一对电极，在所述第一对电极和所述第二对电极之间施加电压，所述第一对电极包括纳米探针，所述纳米探针尖端半径为1‑1000nm；S6：去除所述电解质绝缘层。通过电解质绝缘层和纳米探针对电极共同促进电解质绝缘层内的局域化电场分布，进而实现可控分辨率的电化学离子注入掺杂。
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公开(公告)号：CN117510457A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311407974.7
申请日：2023-10-27
申请人： 南开大学
IPC分类号： C07D333/22 , C07D333/38 , C07D333/24 , C07D417/04 , C07C209/00 , C07C211/04 , H10K30/50 , H10K10/46 , H10K85/50
摘要： 本发明涉及一类有机配体材料及其在有机–无机杂化钙钛矿太阳能电池中的应用。分子式为：A2Bn‑1MnZ3n+1；其中，n为≥1的正数；A为一价有机芳香阳离子＝中的CH‑至少NH3+一、Li种+；、；BNaM选自为+、选自KCH+、3RbNHPb+3、+2+、CsNH或+Sn2+中的至少一种；Z选自Cl‑、Br‑或I‑中的至少一种。该类有机配体材料是由长共轭的芳香环单元以及不同的吸电子基团构成，通过不同的共轭芳香单元与缺电子基团的综合调控，实现对有机配体材料的能级、吸收、介电常数以及其他半导体性质的调控。表现出更高介电常数，从而实现高效的二维钙钛矿太阳能电池。
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公开(公告)号：CN109599494B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201811167886.3
申请日：2018-10-08
申请人： 诺瓦尔德股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种电子器件及其制备方法。具体地，本发明涉及一种电子器件，所述电子器件在第一电极和第二电极之间包含至少一个空穴注入层和/或至少一个空穴产生层，其中空穴注入层和/或空穴产生层由铋羧酸盐络合物组成，并且本发明涉及所述电子器件的制备方法。
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公开(公告)号：CN117337052A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311087572.3
申请日：2023-08-28
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种可用于人工智能机器人的仿生视网膜结构及应用，对有机突触光电晶体管的电荷捕获层材料设置为大面积均匀的钽酸锂薄膜，从而加强仿生视网膜结构的光响应度；采用平面结构的突触晶体管器件而不是常规的垂直结构器件，每个单元器件并不共用一个栅电极，加强了可调控性，除了具备视网膜对光刺激的基本响应以外，还能模拟人类视网膜主动光适应等高级响应及应用；包括用于模拟人类视网膜功能的集成在柔性衬底层上的光电突触晶体管阵列，所述光电突触晶体管阵列包括形成在柔性衬底层上的电荷捕获层及形成在电荷捕获层局部上呈阵列排列的沟道层，在沟道层上形成有平面结构金属电极层。
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公开(公告)号：CN117320528A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202210700135.3
申请日：2022-06-20
申请人： 华为技术有限公司 , 北京元芯碳基集成电路研究院
摘要： 本申请实施例公开了一种晶体管及其制备方法、集成电路、电子设备，涉及半导体技术领域，用于减小晶体管的亚阈值摆幅，降低晶体管及集成电路的工作电压，降低集成电路的功耗。所述晶体管包括：沟道层、栅极、漏极、源极第一介质层及源极控制极。沟道层具有第一端和第二端。栅极位于沟道层的第一端和第二端之间，且与沟道层相交叠。漏极与沟道层的第一端电连接。源极与沟道层的第二端电连接，源极的材料包括一维结构的材料。第一介质层位于源极的一侧，且覆盖源极的至少一部分。源极控制极位于第一介质层远离源极的一侧，且与第一介质层及源极构成调节电容器。源极用于构成冷源，调节电容器用于调节源极中的载流子分布，以降低晶体管的亚阈值摆幅。
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公开(公告)号：CN117320461A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311157811.8
申请日：2023-09-08
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明属于有机光电材料和有机电子器件领域，公开了一类芘基苯胺衍生物在有机电子器件中的应用。所述芘基苯胺衍生物的分子结构通式如下：其中，其中，R1和R2为氢、羟基、烷氧基或不饱和芳香烃醚，且R1和R2不同时为氢；Ar1～Ar4为氢原子或苯胺衍生物基团。本发明的芘基苯胺衍生物具有优异的空穴传输能力，其用作空穴传输材料制备的钙钛矿太阳能电池表现出比Spiro‑OMeTAD更好的光电转化效率，将其作为空穴传输材料应用到钙钛矿太阳能电池等其它有机电子器件领域。
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公开(公告)号：CN117320460A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311399279.0
申请日：2023-10-26
申请人： 南京大学
IPC分类号： H10K10/46
摘要： 一种双功能n‑型半导体插层并五苯有机场效应晶体管，在并五苯有机场效应晶体管结构中设置有n‑型半导体层同时作为修饰层和电荷俘获层，器件具有底栅型结构：栅电极/栅绝缘层/n‑型半导体薄膜/隧穿层/并五苯/源(漏)电极；栅电极为导体，电阻率在0.1‑0.001Ω·㎝之间；栅绝缘层介质薄膜为绝缘体，厚度范围为5‑150nm；n‑型半导体薄膜的厚度为1‑200nm，提供能移动的n‑型载流子(电子)，且具有相当载流子浓度；隧穿层为绝缘体，避免写入/擦除操作过程中空穴被电荷俘获介质中的深能级陷阱俘获，从而减少了在多次写入/擦除循环后器件转移特性曲线阈值电压的偏移，提高了器件的抗疲劳特性。
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公开(公告)号：CN112424966B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201980047287.4
申请日：2019-04-16
申请人： 天光材料科技股份有限公司
IPC分类号： C08G61/12 , H10K85/60 , H10K10/46 , H10K50/10 , H10K50/30 , H10K30/50 , H10K30/60 , H10K10/23 , H10N10/856 , H01S5/36
摘要： 本发明涉及含有一个或多个酯取代的4,8‑二噻吩基‑苯并二噻吩单元或其衍生物的新型有机半导体(OSC)化合物、涉及它们的制备方法和其中所用的离析物(educts)或中间体、涉及含有它们的组合物和制剂、涉及所述化合物和组合物作为有机电子(OE)器件，尤其是有机光伏(OPV)器件、钙钛矿基太阳能电池(PSC)器件、有机光检测器(OPD)、有机场效应晶体管(OFET)和有机发光二极管(OLED)中的有机半导体或用于其制备的有机半导体的用途、涉及包含这些化合物或组合物的OE器件。
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公开(公告)号：CN117279398A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311289527.6
申请日：2023-10-08
申请人： 清华大学
摘要： 本公开的实施例提供一种垂直电解质栅控晶体管、电子装置、制备方法以及操作方法。该垂直电解质栅控晶体管包括衬底、源漏极叠层、沟道层、电解质层和栅极。源漏极叠层在垂直于衬底的表面的方向上设置在衬底上，包括彼此堆叠且相互绝缘的源极和漏极；沟道层至少在源漏极叠层的第一侧上分别与源极的侧面和漏极的侧面接触；电解质层至少在源漏极叠层的第一侧上设置在沟道层外且在源极和漏极之间至少部分与沟道层接触；栅极至少在源漏极叠层的第一侧上与沟道层由电解质层间隔开且在源极和漏极之间至少部分与电解质层接触。该垂直电解质栅控晶体管具有垂直结构特点，器件面积小，功耗低，能够实现具有超高密度和超低能耗的人工神经元。
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公开(公告)号：CN112038406B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202010891911.3
申请日：2020-08-28
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 一种具有铁电背栅的二维材料双栅场效应器件，包括：绝缘衬底(100)，背部栅电极(200)，形成于绝缘衬底(100)上，铁电介质层(300)，形成于背部栅电极(200)上，以及，绝缘衬底(100)未被背部栅电极(200)覆盖的表面上，二维材料沟道(400)，形成于铁电介质层(300)上，漏电极上，并且位于二维材料沟道(400)的两侧，顶部常规栅介质层(600)，形成于二维材料沟道(400)以及漏电极(501)、源电极(502)的表面上，顶部栅电极(700)，形成于顶部常规栅介质层(600)上。该器件结构可以实现将存储和计算集成在一个晶体管，具有功耗低、占用面积小，可推广性强的优点。(501)和源电极(502)，形成于铁电介质层(300)
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