公开(公告)号：CN117915745A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311764687.1

申请日：2023-12-20

申请人： 广东省科学院化工研究所

发明人： 廖旺文 ,  戴永强 ,  刘萌 ,  曾炜 ,  郭欣颖 ,  石超生

IPC分类号： H10N10/01 ,  H10N10/17

摘要： 本发明公开了一种基于普鲁士蓝改性电极的热电转换器件及其制备方法，制备普鲁士蓝电极包括以下制备步骤：S1：将CuSO4溶液和K3Fe(CN)6溶液混合反应，收集沉淀物；S2：将沉淀物进行洗涤、离心后进行干燥，得到普鲁士蓝电极原料；S3：将普鲁士蓝电极原料、导电剂和粘结剂混合，研磨后加入有机溶剂，得到混合浆料；S4：将浆料涂在碳布上，干燥后得到普鲁士蓝电极。本方法提供的热电转换器件，包括普鲁士蓝改性电极、对电极和离子水凝胶，两个电极分别设在离子水凝胶的两个表面上。本发明提供的热电转换器件可以利用普鲁士蓝和对电极作为二次电池储存由热能转换而来的电能，实现热电转换和电能存储功能一体化，可以为穿戴设备和物联网系统提供稳定的电源。

公开(公告)号：CN113707798B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202110942144.9

申请日：2021-08-17

申请人： 上海应用技术大学

发明人： 杜永 ,  王蓉梅 ,  孟秋风

IPC分类号： H10N10/01 ,  H10N10/851 ,  H10N10/852 ,  H10N10/855

摘要： 本发明公开了一种RGO/Cu1.75Te纳米线复合柔性热电薄膜的制备方法：将将抗坏血酸、十六烷基三甲基溴化铵、GO分散液和Na2TeO3依次加入去离子水中，搅拌后油浴条件下加热反应，随后自然冷却到室温，得到RGO/Te纳米线溶液；将CuSO4和抗坏血酸分别溶于去离子水中，然后加入到RGO/Te纳米线溶液中反应，离心，洗涤，将产物分散到无水乙醇中，得到RGO/Cu1.75Te纳米线分散液；取RGO/Cu1.75Te纳米线分散液，通过真空抽滤成膜，然后冷压，最后真空干燥，得到RGO/Cu1.75Te纳米线复合柔性热电薄膜。本发明所制备的复合热电薄膜柔性好，在可穿戴热电领域具有一定的应用前景。

公开(公告)号：CN117881261A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202310961063.2

申请日：2023-08-01

申请人： 中国石油大学(华东)

发明人： 郝兰众 ,  郭付海 ,  张明聪 ,  刘云杰

IPC分类号： H10N10/17 ,  H10N10/855 ,  H10N10/01

摘要： 本发明公开一种自供电型人体热辐射检测光电探测器件及其制备方法。该方法包括：选用Si为基底；利用射频磁控溅射技术沉积VO2半导体薄膜；在VO2薄膜表面沉积ITO顶电极层；在Si基底背面旋涂In电极；基于高效能量转换的光热电效应，器件对355nm‑1550nm波长范围有明显的自驱动光响应，并且表现出出色的探测人体热辐射的能力。本发明的光电探测器件具有宽光谱响应、响应速度快、周期稳定性好等优点；其制备工艺简单、无毒无污染，产品质量较高，适于大规模化工业生产，在高性能光电探测器件领域具有巨大的应用前景。

公开(公告)号：CN112928197B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202110159487.8

申请日：2021-02-05

申请人： 东南大学

发明人： 陶立 ,  钟丽杰 ,  李政雄 ,  朱蓓蓓 ,  陈佳熠 ,  陈启超 ,  丁亚梅

IPC分类号： H10N10/855 ,  H10N10/01

摘要： 本发明公开了一种基于石墨烯和银的柔性复合薄膜，所述复合薄膜由银薄膜以及覆盖在银薄膜上表面的石墨烯组成；其中，所述银薄膜上具有多个通孔结构。本发明还公开了上述柔性复合薄膜的制备方法及其作为热电材料的应用。本发明柔性复合薄膜上表面平整(石墨烯)，因此能够有效提高带多个通孔结构的银薄膜由于带通孔而损失的导电性能，并且相比于整块银薄膜，由于银薄膜中的通孔增强了载流子散射，因此带矩阵式排布的通孔结构的银薄膜具有更高的塞贝克系数，同时银能够有效打开石墨烯的带隙，从而提高石墨烯的塞贝克系数，进而提高整体材料的塞贝克系数；另外，本发明柔性复合薄膜呈柔性，因此具有良好的机械性能，最后，其还具有良好的透光性(透明的)，因此能够将该复合薄膜与光电材料进行进一步复合做成光热电材料。

公开(公告)号：CN117835790A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410252792.5

申请日：2024-03-06

申请人： 四川科尔威光电科技有限公司

发明人： 唐兴友 ,  孙世刚 ,  徐健 ,  肖亚飞

IPC分类号： H10N10/01 ,  H10N10/80

摘要： 本发明公开了一种半导体致冷器基板金属化方法及半导体致冷器金属化基板，属于半导体制冷器制造领域，包括以下步骤：S1,将半导体致冷器基板放入中性清洗溶剂中清洗；S2,水洗，去除中性清洗溶剂；S3,甩干机离心甩干；S4,有机清洗；S5,甩干机离心甩干；S6,等离子机内清洗，功率为500‑1000W；S7,离子束清洗机清洗5~30 min，束流为100‑185 mA。本发明解决了金属化层的粘附力的较差以及高温环境下金属化层与基材容易起层分离的问题。

公开(公告)号：CN117822327A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311561546.X

申请日：2023-11-22

申请人： 江苏省纺织产品质量监督检验研究院

发明人： 张彤 ,  任松 ,  李杰 ,  赵亮亮 ,  方剑

IPC分类号： D06N3/18 ,  H10N10/01 ,  H10N10/80 ,  H10N10/856 ,  D06N7/00 ,  D06N3/12 ,  D06N3/14 ,  D06N3/00

摘要： 本发明公开了一种柔性热电织物，包括织物基底以及由下至上依次印刷于织物基底上表面的下绝缘热管理层、热电层和上绝缘热管理层，下绝缘热管理层和上绝缘热管理层均设置有若干个，包括隔热部和导热部，热电层的冷端的上表面和下表面分别连接上绝缘热管理层的隔热部和下绝缘管理层的导热部，热电层的热端的上表面和下表面分别连接上绝缘热管理层的导热部和下绝缘管理层的隔热部。本发明的可简化制备工艺，降低成本，保证透气性、舒适性，且增强热电器件的冷热温差。

公开(公告)号：CN112885947B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201911209999.X

申请日：2019-11-29

申请人： 中国科学院大连化学物理研究所

发明人： 姜鹏 ,  晏明涛 ,  包信和

IPC分类号： H10N10/852 ,  H10N10/01

摘要： 本发明涉及一种n型立方相Ge‑Te基热电材料及制备方法，n型立方相Ge‑Te基热电材料的化学分子式是(GeTex)(ABTe2)y，其中A为金属Ag，B为金属Bi，0.5≤x≤1.0，0.5≤y≤1.25。(GeTex)(ABTe2)y热电材料的制备方法由球磨混合、熔融反应、固体烧结三步组成。首先按照(GeTex)(ABTe2)y分子式中的摩尔分数称取相应质量的Ge、A、B、Te的单质粉末，然后将粉末球磨混合均匀，将混匀的粉末冷压成块体，密封在石英管中，在高温下熔融反应，然后在适当的压力和温度条件下，利用放电等离子体烧结技术烧结成块体热电材料。立方相(GeTex)(ABTe2)y热电材料呈现出负的Seebeck系数和霍尔系数，是n型热电材料，并且在414K时(GeTe0.8)(ABTe2)的ZTmax＝0.20，表现出较好的热电性能。

公开(公告)号：CN113629180B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202110869860.9

申请日：2021-07-30

申请人： 东莞先导先进科技有限公司

发明人： 洪迎灿 ,  曾广锋 ,  赖勇斌

IPC分类号： H10N10/01 ,  H10N10/17 ,  F25B21/02

摘要： 本发明公开了一种微型半导体制冷器的封装方法，通过将上陶瓷片和下陶瓷片切割成单个陶瓷板，并将各单体陶瓷板设于石墨治具上，采用钢网对各单体陶瓷板进行批量刷胶，再将装载有多个单体陶瓷板的石墨治具送入芯片贴合机贴附粒子，并进行焊接，不仅可以避免因切片产生的金属粉尘导致的半导体制冷器短路问题，能够降低成本，提高效率，同时增加产品合格率。经实际生产验证，本发明的方法其生产效率比传统封装方法提高了200%，产品合格率比传统封装方法提高了10%。

公开(公告)号：CN117769343A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311807290.6

申请日：2023-12-26

申请人： 中国科学院电工研究所

发明人： 商红静 ,  丁发柱 ,  古宏伟 ,  邹琪 ,  张琳

IPC分类号： H10N10/01 ,  H10N10/852 ,  H10N10/17 ,  B41M5/00

摘要： 本发明提供了一种可编辑成分的梯度结构热电膜材料及其制备方法、一种面内热电器件，属于热电材料技术领域。本发明先制备多组成分不同的Bi2Te3基材料浆料，再在同一平面内对多组浆料依次进行喷墨打印，经热固化和退火后得到可编辑成分的梯度结构热电膜材料。本发明提供的制备方法可灵活改变膜材料梯度结构，有效调控每种Bi2Te3基材料的宽度和厚度；具有梯度结构的热电膜材料可充分利用不同成分材料的性能，使热电膜材料在较宽温度范围内具有高热电性能；并且材料制备过程简单高效，喷墨打印机针头具有高分辨率，可实现微米级宽度打印，灵活调控材料梯度结构。基于本发明具有梯度结构热电膜材料制备的热电器件具有高输出性能。

公开(公告)号：CN117756065A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311763492.5

申请日：2023-12-19

申请人： 中国工程物理研究院材料研究所

发明人： 任广坤 ,  马粒 ,  魏智杰 ,  方雯 ,  田宇 ,  郑哲

IPC分类号： C01B19/00 ,  H10N10/01 ,  H10N10/852

摘要： 本发明公开了一种PbSe基热电材料和同质热电器件及其制备方法，采用在放电等离子体烧结炉中诱发自蔓延反应的方法一步制备出致密的PbSe基热电材料。p型材料和n型材料均采用该方法制备，制备得到的p型材料和n型材料的力学性能匹配；进一步通过优化p型材料和n型材料的配比使得p型材料和n型材料的热电性能也高度匹配。同质热电器件的制备方法为对制备出的p型材料和n型材料进行有限元仿真确定热电器件的拓扑结构与尺寸，随后构建PbSe基热电材料与电极之间的界面，随后按照仿真结果组装得到PbSe同质热电器件。本发明PbSe基热电材料的制备具有时间短、成本低、化学成分稳定等优势；制备出的热电器件具有高效率和高适配性的优势。