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公开(公告)号：CN112928197B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110159487.8
申请日：2021-02-05
申请人： 东南大学
IPC分类号： H10N10/855 , H10N10/01
摘要： 本发明公开了一种基于石墨烯和银的柔性复合薄膜，所述复合薄膜由银薄膜以及覆盖在银薄膜上表面的石墨烯组成；其中，所述银薄膜上具有多个通孔结构。本发明还公开了上述柔性复合薄膜的制备方法及其作为热电材料的应用。本发明柔性复合薄膜上表面平整(石墨烯)，因此能够有效提高带多个通孔结构的银薄膜由于带通孔而损失的导电性能，并且相比于整块银薄膜，由于银薄膜中的通孔增强了载流子散射，因此带矩阵式排布的通孔结构的银薄膜具有更高的塞贝克系数，同时银能够有效打开石墨烯的带隙，从而提高石墨烯的塞贝克系数，进而提高整体材料的塞贝克系数；另外，本发明柔性复合薄膜呈柔性，因此具有良好的机械性能，最后，其还具有良好的透光性(透明的)，因此能够将该复合薄膜与光电材料进行进一步复合做成光热电材料。
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公开(公告)号：CN114836719B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202210511812.7
申请日：2022-05-11
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种用于温度传感的Cu‑Ni薄膜材料及制备方法。在Si基衬底上沉积Cu‑Ni薄膜，在Cu‑Ni薄膜上刻蚀出孔阵列，得到用于温度传感的Cu‑Ni薄膜材料。本发明所述方法解决了薄膜厚度优化和缺陷可控制备的技术问题，提升了薄膜温度传感灵敏度与热电性能。
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公开(公告)号：CN114815502A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210549058.6
申请日：2022-05-20
申请人： 东南大学
IPC分类号： G03F7/00 , H01L21/033
摘要： 本发明公开了一种基于纳米压印的二维层状硒化铋纳米片制备方法，采用聚二甲基硅氧烷将硒化铋片附着于衬底上，然后将其整体放置于纳米压印机的工作台上，在不高于80℃以及在20～30bar压力下进行压印，得到硒化铋纳米片。本发明通过纳米压印对层间结合力强的硒化铋材料进行剥离制备，采用与硒化铋材料结合力好的衬底，在聚二甲基硅氧烷热释放温度以下以及稳定的压力氛围中，促使硒化铋厚片层与层之间的分离，从而获得厚度为十几纳米的硒化铋片。
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公开(公告)号：CN112928197A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110159487.8
申请日：2021-02-05
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种基于石墨烯和银的柔性复合薄膜，所述复合薄膜由银薄膜以及覆盖在银薄膜上表面的石墨烯组成；其中，所述银薄膜上具有多个通孔结构。本发明还公开了上述柔性复合薄膜的制备方法及其作为热电材料的应用。本发明柔性复合薄膜上表面平整(石墨烯)，因此能够有效提高带多个通孔结构的银薄膜由于带通孔而损失的导电性能，并且相比于整块银薄膜，由于银薄膜中的通孔增强了载流子散射，因此带矩阵式排布的通孔结构的银薄膜具有更高的塞贝克系数，同时银能够有效打开石墨烯的带隙，从而提高石墨烯的塞贝克系数，进而提高整体材料的塞贝克系数；另外，本发明柔性复合薄膜呈柔性，因此具有良好的机械性能，最后，其还具有良好的透光性(透明的)，因此能够将该复合薄膜与光电材料进行进一步复合做成光热电材料。
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公开(公告)号：CN117241649A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311268290.3
申请日：2023-09-28
申请人： 东南大学
IPC分类号： H10N10/01 , H10N10/852
摘要： 本发明公开了一种具有高功率因子碲化铋薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)利用电子束蒸镀法在衬底上沉积铋薄膜；(2)沿气体流动方向，将铋薄膜置于管式炉下游，将过量碲粉置于管式炉中心位置，抽真空后通入氩气作为载气，过量碲粉挥发使铋薄膜发生碲化反应，得到碲化铋薄膜。本发明方法能够低成本地制得50nm以下仍具有高功率因子(不同厚度下碲化铋薄膜的功率因子均大于5μW·cm‑1·K‑2)的碲化铋薄膜，从而有利于实现50nm以下碲化铋薄膜在便携场景中的应用；本发明通过调整碲化温度和碲粉用量来提高碲化铋薄膜的功率因子，无需后续单独退火处理。
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公开(公告)号：CN114836719A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210511812.7
申请日：2022-05-11
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种用于温度传感的Cu‑Ni薄膜材料及制备方法。在Si基衬底上沉积Cu‑Ni薄膜，在Cu‑Ni薄膜上刻蚀出孔阵列，得到用于温度传感的Cu‑Ni薄膜材料。本发明所述方法解决了薄膜厚度优化和缺陷可控制备的技术问题，提升了薄膜温度传感灵敏度与热电性能。
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公开(公告)号：CN118076218A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410002731.3
申请日：2024-01-02
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种基于二硫化钼墨水的忆阻器及其制备方法和应用，包括由下往上依次形成的衬底、二硫化钼墨水薄膜和顶电极，其中，二硫化钼墨水薄膜的厚度为5‑20nm，顶电极包括Ti薄膜和覆盖于Ti薄膜上方的Pd薄膜，Ti薄膜的厚度为5‑15nm，Pd薄膜的厚度为35‑90nm。本发明制备的二硫化钼薄膜均匀致密，能够显著提高忆阻器的应用性能，模拟开关比大(104)，set和reset电压小(Vset＝2.32V，Vreset＝‑0.62V)，有望应用于神经网络计算、非易失性存储或人工智能领域中；并且，本发明制备方法工艺简单，成本低，实验器材要求低，整个流程无需高温，可大批量制备阵列化的器件。
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公开(公告)号：CN113109400B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202110304673.6
申请日：2021-03-22
申请人： 东南大学
IPC分类号： G01N27/12 , G01N27/416
摘要： 本发明公开了一种基于石墨烯/聚吡咯的氨气传感器及其制备方法，包括基底和电极，基底上设有石墨烯/聚吡咯复合气敏材料，所述石墨烯/聚吡咯复合气敏材料包括层状石墨烯，层状石墨烯的表面原位聚合有层状聚吡咯。该方法工艺简单，将石墨烯与聚吡咯两种气敏材料以层状/层状形式复合，使气敏复合材料具有气体选择性好、气体响应度高、探测极限低、表面平整度高、材料厚度可调、化学性质稳定等优点，且使用寿命长、材料耐久性好。
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公开(公告)号：CN110797140B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201911105713.3
申请日：2019-11-13
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种银纳米线和石墨烯复合柔性透明导电薄膜及制备方法,包括以下步骤：1)制备超细长银纳米线溶液；2)对基底进行预处理，之后在基底上涂覆超细长银纳米线溶液获得银纳米线层,之后对其进行热压处理；3)使用化学气相沉积法制备单层石墨烯，并用湿法转移将单层石墨烯转移到银纳米线层上表面，得到石墨烯层；4)最后在所述石墨烯层上涂覆一层PVA水溶液，之后加热固化处理,得到所述的复合柔性透明导电薄膜。该方法工艺简单，将石墨烯与银纳米线两种柔性材料复合,使透明导电薄膜具有机械柔性好、方块电阻低、光学透过率高、表面粗糙度低等优点，且使用寿命较长。
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