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公开(公告)号：CN102682792A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210072225.9
申请日：2012-03-16
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： G11B7/004 , G11B7/126 , G11B7/1374 , G11B7/241
CPC分类号： G11B7/08511 , G11B7/0908 , G11B7/1376 , G11B7/24038 , G11B7/2405 , G11B2007/0013
摘要： 本发明提供了一种可以向目标层快速地引入聚焦的聚焦伺服控制装置以及使用其的信息记录再生装置。该聚焦伺服控制装置具备：第一控制单元(14)，基于第一聚焦误差信号(32)控制物镜(10)，以使聚焦伺服用的第一激光(8)的焦点与引导层一致；以及第二控制单元(16)，基于第二聚焦误差信号(24)改变第二激光(4)的焦点与第一激光(8)的焦点之间的相对距离，以使第二激光(4)的焦点与目标记录再生层一致。
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公开(公告)号：CN102411941A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110334865.8
申请日：2011-10-28
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
摘要： 一种超分辨光盘的掩膜层及其制备方法，该掩膜层是Ag掺杂Si的复合薄膜，该复合薄膜中Si的含量为13.8mol％～15.3mol％，该掩膜层(I)厚度为30～50nm。该掩膜层采用共溅的方法制备，掩膜层中Si的成分与其它制备方法相比，易控，易调。该掩膜层用在超分辨光盘上测得的光盘的读出信号的载噪比高，环境稳定性好，可以满足未来超分辨光盘实用化的要求。
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公开(公告)号：CN102171759A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200980138662.2
申请日：2009-05-27
申请人： 布莱阿姆青年大学
CPC分类号： G11B7/2578 , G11B7/2403 , G11B7/24056 , G11B7/2433 , Y10T428/21
摘要： 在此披露了包含一个金属材料层以及一个碳材料层的光信息媒介。该金属材料层及碳材料层的铺层被设计为减少或消除在对这些媒介写入数据的过程中与氧化和滩肩形成相关的问题。
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公开(公告)号：CN102054497A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910198398.3
申请日：2009-11-06
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： G11B7/241
摘要： 本发明涉及一种磁头衬底材料及其制备方法，其特征在于采用Al2O3、TiC和Ti3SiC2为起始原料，首先通过滚筒球磨的方式进行混料，然后在高温高压的条件下将粉体烧结，从而获得致密Al2O3/TiC/Ti3SiC2新型磁头衬底材料。该材料的突出特点是组成包括Al2O3、TiC和Ti3SiC2三种组分，其中基体Al2O3晶粒尺寸为200-400nm，TiC的晶粒尺寸为1～2um，Ti3SiC2晶粒尺寸在2～5um。材料的抗弯强度在600～900MPa，显微硬度在12～19GPa。该磁头衬底材料具有制备周期短、能耗低、可加工性好，优秀的传热性能等特性，具有良好的产业化前景。
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公开(公告)号：CN101521030B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200910038137.5
申请日：2009-03-24
申请人： 中山大学
摘要： 本发明公开了一种偶氮苯液晶光全息存储材料及其制备方法，包括二氧化硅、含偶氮苯基团化合物和含液晶基团化合物，偶氮苯基团与液晶基团的摩尔比为0.5～10∶1。偶氮苯液晶光全息存储材料使用的基质材料为二氧化硅结构，具有良好的高透光和低散射率，基质的折射率较低，与有着较高折射率的光折变化合物匹配可获得高的折射率调制度。液晶基团的存在可以强化偶氮苯基团遇光所产生的光折变效应，提高材料的衍射效率，进而增加了信息存储容量；液晶基团的规则排列不会受到热运动和非信号光的影响，数据存储时间大大延长。偶氮苯基团的顺反式异构体可在信号光的照射下相互转变，并诱导液晶基团的排列，数据可以反复擦除和写入。
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公开(公告)号：CN101541552B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200880000177.4
申请日：2008-01-24
申请人： 索尼株式会社
CPC分类号： G11B7/2437 , G11B7/2433 , G11B7/263 , G11B7/266 , G11B2007/24306 , G11B2007/24312 , G11B2007/2432 , Y10T428/21
摘要： 公开了一次性光记录介质(10)，其包括：无机记录膜(2)。无机记录膜(2)包括：含有镉(Ge)的氧化物的氧化物膜(2a)；和紧邻氧化物膜(2a)并含有钛(Ti)和锰(Mn)的相邻膜(2b)。
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公开(公告)号：CN101751942A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910222452.3
申请日：2009-11-13
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 郑文一
IPC分类号： G11B7/0065 , G11B7/241 , G11B7/00 , G11B7/12
CPC分类号： G11B7/0065 , G03H1/182 , G11B7/083 , G11B7/268
摘要： 一种记录全息信息的方法和记录/再现全息信息的设备。所述方法包括：通过在全息信息存储介质的全息记录层中记录全息图来形成信息层；通过在记录有全息图的信息层上照射光来对信息层进行定影。
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公开(公告)号：CN101625879A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910158963.3
申请日：2009-07-10
申请人： 索尼株式会社
发明人： 小岛直人
IPC分类号： G11B7/24 , G11B7/242 , G11B7/241 , G11B7/005 , G11B7/0045
CPC分类号： G11B7/1374 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G11B7/0045 , G11B7/005 , G11B7/1387 , G11B7/24035 , G11B7/2433 , G11B2007/13727
摘要： 本发明公开了光学信息记录介质、记录粒子、光学信息再生方法、光学信息再生装置、光学信息记录方法以及光学信息记录装置，其中，该光学信息记录装置包括记录层，其中，具有100nm以下直径的纳米粒子在被具有根据光的照射而改变的复数介电常数的介质包围的情况下被设置，并且由纳米粒子产生的局部等离振子共振的程度随介质的复数介电常数的改变而改变。通过本发明，可以接收通过局部等离振子共振产生并具有高强度的散射光来作为返回光。
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公开(公告)号：CN100580783C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710090266.X
申请日：2007-04-17
申请人： 中国钢铁股份有限公司
摘要： 本发明是有关于一种只写一次型的光学记录媒体，其包含基板，及形成于基板上的镀膜，且镀膜包括记录层，及与记录层相连接的反射层，其中，记录层的主成分可为锗、锑、硅，或上述任两种以上元素形成的混合物，且反射层的主成分可为铝、铜、银、金，或上述任两种以上金属形成的合金，当写录激光射入镀膜时，会在记录层与反射层的界面区域产生局部材料组成变化反应而形成一作为数位讯号来源的记录点，由于记录层是选用可采用直流溅镀技术成长的无机材料，且产品制作工序极小化，因此，可以大幅降低生产成本，并提高生产效率。
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公开(公告)号：CN100570722C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200680000195.3
申请日：2006-04-20
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G11B7/243 , C04B35/01 , C04B35/16 , C04B35/42 , C04B35/486 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/547 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , G11B7/00454 , G11B7/2403 , G11B7/24038 , G11B7/257 , G11B7/266 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
摘要： 本发明提供一种记录信息时的记录灵敏度高、且反复改写性能优越、信号保存性良好的信息记录介质。为此，在信息记录介质(15)中，至少具备一个具有发生相变的记录层(104)的信息层(16)，信息层(16)中的至少一个具有：与记录层(104)的一方的面接触、含有Cr和O的Cr含有层；和与上述记录层的另一方的面接触、含有In和O的In含有层。
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