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公开(公告)号：CN1538424B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200410031796.3
申请日：2004-03-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1625 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种多层信息记录介质，即使长期作档案记录后也具有良好的复制性能和良好的记录和重写性能及良好的重复重写性能。信息记录介质(22)至少有在结晶相和非晶相之间能够产生可逆相变的第一记录层(104)和第二记录层(204)，第一记录层(104)含有Ge、Te和Bi，而第二记录层(204)含有Sb和一种或多种选自V、Mn、Ga、Ge、Se、Ag、In、Sn、Te、Pb、Bi和Au的元素M1。
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公开(公告)号：CN101678693A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880019786.4
申请日：2008-06-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2433 , G11B7/259 , G11B2007/24304 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , G11B2007/2432 , G11B2007/24322 , G11B2007/24324 , G11B2007/24328 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明公开一种信息记录介质(100)，能够利用光的照射或电能的施加而记录信息，其中，至少备有能够产生相变化的记录层(115)。记录层包含锑(Sb)、碳(C)、原子量小于33的轻元素(L)。优选为，轻元素(L)是从B、N、O、Mg、Al以及S中选择的至少一种元素。例如，记录层(115)由用式(1)所表示，且由x和y满足x+y≤50的材料构成，Sb 100-x-y C x L y (1)；其中，下标100-x-y、x以及y，表示由原子％表示的Sb、C以及L的组成比。
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公开(公告)号：CN100570722C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200680000195.3
申请日：2006-04-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , C04B35/01 , C04B35/16 , C04B35/42 , C04B35/486 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/547 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , G11B7/00454 , G11B7/2403 , G11B7/24038 , G11B7/257 , G11B7/266 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种记录信息时的记录灵敏度高、且反复改写性能优越、信号保存性良好的信息记录介质。为此，在信息记录介质(15)中，至少具备一个具有发生相变的记录层(104)的信息层(16)，信息层(16)中的至少一个具有：与记录层(104)的一方的面接触、含有Cr和O的Cr含有层；和与上述记录层的另一方的面接触、含有In和O的In含有层。
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公开(公告)号：CN100470646C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200410083508.9
申请日：2004-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/00454 , G11B7/2403 , G11B7/24038 , G11B7/24067 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10S430/146
Abstract: 本发明的信息记录媒体(15)，其特征在于包括：衬底(14)和设置在衬底(14)上的信息层(16)，上述信息层(16)包括：记录层(104)，其通过照射激光束或施加电能量，而能够在晶相和非晶相之间产生相变化；含Cr层(103或105)，其中至少含有Cr和O，该层布置成与上述记录层(104)的第1面相连接；以及含Ga层(105或103)，其中至少含有Ga和O，该层布置成与上述记录层的第2面相连接。
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公开(公告)号：CN101322190A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200680045254.9
申请日：2006-11-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B11/002 , G11B7/243 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C13/04 , G11C2013/0092 , G11C2213/77 , Y10T428/21
Abstract: 一种信息记录介质，其是能够利用光的照射或电能的施加记录信息的信息记录介质15，在第一及第二电介质层102及106、及第一及反入射侧界面层103及105中，至少一层是含有Si、In、M1(M1是选自Zr及Hf的至少一种元素)、和氧(O)，且含有1原子％以上的Si的Si－In－Zr/Hf－O系材料层。该介质的记录信息时的记录灵敏度高，反复擦写性能优越，且显示高的信号强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101223591A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200680026165.X
申请日：2006-07-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/266 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种信息记录介质及其制造方法，在构成单面具有多个信息层(1、2)的信息记录介质的至少两个信息层中，一个信息层(1)中所含的记录层(7)及与之邻接设置的电介质层(6、8)的组成与另一个信息层中所含的这些层(12、11、13)的组成相同，由此，可不进行靶更换地在相同的溅射成膜室分别形成两个信息层(1、2)的记录层(7、12)及电介质层(6、11)(8、13)，从而可减少生产时的损耗时间而制造单面多层结构的介质。
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公开(公告)号：CN1328714C
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200510052930.2
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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公开(公告)号：CN1324570C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200510052929.X
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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公开(公告)号：CN1922673A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005490.3
申请日：2005-09-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B9/04 , G11B7/00454 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2534 , G11B7/254 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/266 , G11C13/0004 , G11C2213/77 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种记录信息时的记录灵敏度高、并且重复重写性能优异的信息记录介质。为此，在基板(14)上至少具备通过照射激光束或外加电流而可记录及/或再生信息的记录层(104)、和第2电介质层(106)的信息记录介质(15)中，第2电介质层(106)含有M1(其中，M1为从Sc、Y、La、Gd、Dy及Yb中选择的至少一种元素)和O。
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公开(公告)号：CN1255792C
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN02155784.5
申请日：2002-12-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2403 , G11B7/00454 , G11B7/24038 , G11B7/252 , G11B7/256 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , G11B2007/25718 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供在高密度记录中不设界面层还能获得可靠性与重复改写性能两者兼优的信息记录介质，其解决手段是在基板上至少装备记录层(4)和反射层(8)，记录层通过光学手段或电学手段在晶相和非晶相之间引起相变，在基板上还装备由表记为(ZrO2)X-(Zn-S)100-X(摩尔%)、且X处于50≤X≤80范围内的材料构成的介电体层(2)、(6)。
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