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公开(公告)号：CN1606081B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200410085725.1
申请日：2004-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/2403 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B2007/0013 , Y10T428/265
Abstract: 提供了一种其中可以利用激光束来记录和再现信息的光信息记录介质。所述光信息记录介质包括：在具有引导槽的衬底上至少形成有包括第一金属层、阻挡层和第二金属层(按照所提到的顺序沉积在衬底上)的多层膜、或者至少包括金属层和记录层(按照所提到的顺序沉积在衬底上)的单层金属膜。所述第二金属层和所述单层金属膜的所述金属层包含Al和金属元素(添加剂)作为主要成分的材料。
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公开(公告)号：CN101322190B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200680045254.9
申请日：2006-11-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B11/002 , G11B7/243 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C13/04 , G11C2013/0092 , G11C2213/77 , Y10T428/21
Abstract: 一种信息记录介质，其是能够利用光的照射或电能的施加记录信息的信息记录介质15，在第一及第二电介质层102及106、及第一及反入射侧界面层103及105中，至少一层是含有Si、In、M1(M1是选自Zr及Hf的至少一种元素)、和氧(O)，且含有1原子％以上的Si的Si-In-Zr/Hf-O系材料层。该介质的记录信息时的记录灵敏度高，反复擦写性能优越，且显示高的信号强度。
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公开(公告)号：CN101336453A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200680052095.5
申请日：2006-12-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24038 , G11B7/259 , G11B7/266 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种信息记录介质，包含：能够使用光学的途径或电气的途径引起可以检测的相变的记录层(19、26)、与记录层(19、26)相接的作为氧化物层的界面层(18、20、25、27)。记录层(19)含有以式子：GeαBiβTeγM100－α－β－γ(原子％)(M表示选自Al、Ga、In及Mn中的至少一种元素，α、β及γ满足25≤α≤60、0＜β≤18、35≤γ≤55、82≤α+β+γ＜100。)表示的Ge－Bi－Te－M系材料。界面层(18、20、25、27)含有至少一种记录层(19、26)中所含的元素M的氧化物。
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公开(公告)号：CN100401384C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200510052932.1
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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公开(公告)号：CN1316484C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN01132834.7
申请日：2001-07-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/00454 , G11B7/0052 , G11B7/007 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/2542 , G11B7/256 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/259 , G11B7/26 , G11B2007/0013 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明的信息记录介质具有第1衬底(11)，相对第1衬底(11)配置的第2衬底(12)，在第1衬底(11)与第2衬底(12)之间配置的第1信息层(13)，在第1信息层(13)与第2衬底(12)之间配置的第2信息层(14)，在第1信息层(13)与第2信息层(14)之间配置的中间层(15)。第1信息层(13)包括在激光束(35)的作用下，在晶体相与非晶相之间产生可逆相变反应的第1记录层(18)，第2信息层(14)包括在激光束(35)的作用下，在晶体相与非晶相之间产生可逆相变反应的第2记录层(27)。第1记录层18含有Ge、Sn、Sb、Te，并且其厚度在9nm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1877720A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610100582.6
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/253 , G11B7/0045 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21 , Y10T428/24942
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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公开(公告)号：CN1764550A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200480007888.6
申请日：2004-03-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24038 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24316 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21
Abstract: 一种信息记录介质，包括：可以利用光学装置或电装置在结晶相与非晶相之间可逆相变的记录层，其中记录层至少包括Ge，Te，M1(M1是从Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb和Lu组成的组中选择的至少一种元素)、M2(M2是从Sb和Bi组成的组中选择的至少一种元素)和M3(M3是从Te和Bi组成的组中选择的至少一种元素)。
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公开(公告)号：CN1670828A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510052929.X
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/253 , G11B7/0045 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21 , Y10T428/24942
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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公开(公告)号：CN1203550C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN01135992.7
申请日：2001-10-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 一种存储器，包括：第一和第二记录层，用于利用晶相和非晶相之间的可逆相变来记录信息，该相变是因施加电流脉冲引起的温度升高而产生的。第一和第二记录层的结晶化温度TX1和TX2具有关系TX1＜TX2。第一和第二记录层的结晶化时间tx1和tx2具有关系tx1＞tx2。Ra1+Ra2、Ra1+Rc2、Rc1+Ra2和Rc1+Rc2彼此不同，其中，非晶相中第一记录层的电阻值为Ra1，晶相中第一记录层的电阻值为Rc1，非晶相中第二记录层的电阻值为Ra2，晶相中第二记录层的电阻值为Rc2。
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公开(公告)号：CN1606073A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410085724.7
申请日：2004-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/00 , G11B7/0045 , G11B7/24 , G11B20/10
CPC classification number: G11B7/00454 , G11B7/00736 , G11B7/2403 , G11B7/24038 , G11B7/24094 , G11B7/268 , G11B2007/0013
Abstract: 由于用于记录标识数据的条件根据如单层或多层结构等不同介质结构而发生变化，稳定的数据记录已经成为难题。为了解决该问题，用于在单层光盘5和双层光盘6上记录标识数据的激光束的入射侧是衬底1上记录了用户数据的位置相反侧。根据该结构，即使在双层光盘6中，该记录也不会受到第二层12b等记录层的影响。因此，在双层光盘6中，可以在与单层光盘5相同的条件下记录介质的标识数据。
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