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公开(公告)号：CN106504983A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201510561401.9
申请日：2015-09-06
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/28
摘要： 一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上的ILD中形成栅极开口；在栅极开口中以及ILD上形成栅极堆叠；回刻去除部分栅极堆叠，留下的栅极堆叠顶部高于ILD；在ILD上形成覆盖层；平坦化覆盖层和留下的栅极堆叠，直至暴露ILD。依照本发明的半导体制造方法，回刻露出部分栅极堆叠之后利用额外的覆盖层保护栅极堆叠，避免了后续平坦化对金属栅极的损伤，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN106477606A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610892000.6
申请日：2016-10-12
申请人： 北京矿冶研究总院
摘要： 本发明提供了一种基于硫酸熟化从粉煤灰中提取氧化铝的方法，属于粉煤灰综合利用技术领域。将浓硫酸与粉煤灰拌合均匀后熟化得到硫酸化熟料，用沉铝母液或水浸出熟料得到硫酸铝溶液和高硅渣，将钾、钠或铵的硫酸盐加入硫酸铝溶液中混合搅拌，铝以复盐形式沉淀析出，过滤得到明矾和沉铝母液，明矾经干燥脱水得到脱水明矾，将脱水明矾还原焙烧得到还原焙砂，焙砂用水洗涤后，经碱浸、种分、煅烧工序生产冶金级氧化铝。该方法通过硫酸熟化强化了粉煤灰中铝硅酸盐矿物的分解、利用复盐沉淀铝替代浓缩结晶析出铝和采用还原焙烧降低硫酸铝分解温度，具有能耗低、铝回收率高、设备材质易解决、氧化铝产品质量高等优点。
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公开(公告)号：CN106381388A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610818496.2
申请日：2016-09-12
申请人： 北京矿冶研究总院
摘要： 本发明公开了一种从硫酸锌溶液中脱除氟氯的方法，属于锌冶金净化领域。涉及一种以针铁矿法从含铁溶液中同时脱除氟氯的方法，有稀释法和还原氧化法两种实施方式。稀释法是将除铁前液加入到底液中，氟氯随除铁过程去除，前液含三价铁3～50g/L，反应温度70～100℃，pH2.5～4.5，前液加入速度2～9.2mL/min。还原氧化法是向除铁前液通空气或富氧空气，氟氯随二价铁氧化沉淀而除去，前液含二价铁3～50g/L，空气或富氧空气流量为5～50L/min，反应温度70～100℃，pH2.5～4.5，反应时间为2～8h。本方法能同时脱氟氯，依托工艺必须的除铁工序，不用增加专门氟氯脱除工序，无需额外投入。
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公开(公告)号：CN106319246A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610712820.2
申请日：2016-08-24
申请人： 北京矿冶研究总院
摘要： 本发明提供了一种细粒级富钛料造粒方法，属于富钛料生产技术领域，具体是将适量的氢氧化钠或氢氧化钾用适量的水调制成粘结剂，然后将细粒级富钛料加入团聚造粒或流化造粒机中，同时将调制的粘结剂均匀的喷洒在富钛料中进行造粒，造粒产品于50～100℃干燥后再在500～1200℃煅烧固化得到符合沸腾氯化工艺粒度要求的颗粒富钛料产品。本发明的造粒方法具有粘结剂来源易得、造粒成本低，获得的富钛料粒度适中、颗粒抗压强度与耐热性能好、氯化反应活性高，适合于由钛铁矿、钛精矿或钛渣经浸出除杂得到的细粒级富钛料进行制粒，特别是对于利用含钙镁高的钛精矿生产适合沸腾氯化工艺的优质富钛料。
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公开(公告)号：CN104313301B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410602098.8
申请日：2014-10-30
申请人： 北京矿冶研究总院
摘要： 本发明公开了一种从地开石、明矾石混合矿中酸碱联合提取提取铝、钾的方法。将含地开石、明矾石的混合精矿与适量浓硫酸混合均匀、熟化后，与还原剂在一定温度下进行高温快速还原焙烧脱硫，含硫烟气通过制酸实现硫酸再生循环利用，还原焙砂采用水浸提钾和碱浸生产氧化铝，并对镓进行富集回收。本发明的方法利用浓硫酸酸化强化了矿石中地开石等物相的分解，可以处理含地开石和明矾石的混合精矿，避免了复杂、低效的选矿分离，提高氧化铝的回收率，结合了传统碱法和酸法提取氧化铝的优点。本发明产出的氧化铝产品质量好，回收率高，能耗低，设备腐蚀小，易于实现大规模工业化。
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公开(公告)号：CN103964364B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310035425.1
申请日：2013-01-29
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种微纳尺度静电力开关，包括：衬底，包括绝缘层与背电极；源电极与漏电极，位于衬底上，沿第一方向排列；支撑电极，位于衬底上，沿第二方向排列；石墨烯层，位于支撑电极上并与其电连接；源漏电极连接层，沿第一方向延伸，与源电极和漏电极电连接。依照本发明的微纳尺度静电力开关及其制造方法，采用石墨烯这种单晶薄层导电材料作为膜桥材料，利用电极和支撑电极之间的偏压产生静电力从而将膜桥下拉、形变之后通过金属层将源漏电极连接起来形成开关，开启电压小，不需要较大的驱动电路，能够缩小微纳机械开关的尺寸并与CMOS兼容。
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公开(公告)号：CN103545213B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201210246830.3
申请日：2012-07-16
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/08 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7833 , H01L29/1045 , H01L29/165 , H01L29/6659 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7848
摘要： 本发明提供了一种具有外延LDD和Halo区域的晶体管器件及其制造方法。采用了外延与自对准各向异性刻蚀相结合的工艺，避免了现有的采用的离子注入以及退火工艺形成Halo和LDD区域制造方法中的问题，在不增加光刻掩膜数量和复杂性的基础上，彻底消除了离子注入造成的源漏区域凹槽表面处晶体结构的破坏，从而避免影响到后续源漏材料外的延生长，同时，本发明也不会因常规的离子注入而导致外延源漏的应力释放，从而保持了源漏应力及其抑制SCE和DIBL效应的效果。
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公开(公告)号：CN106160196A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610676768.X
申请日：2016-08-17
IPC分类号： H02J9/06
CPC分类号： Y02B10/72
摘要： 本发明公开了一种配电变压器间断供电集中器的不间断电源系统，属于电气设备技术领域。包括太阳能电池板、蓄电池、逆变器、动力电电源板、电源控制板及其上的接线端子和控制电路、继电器、延时继电器、电线端子排、入线和出线，能够兼容动力电和太阳能电池，配电变压器工作时采用动力电为集中器供电和为蓄电池充电，在配电变压器不工作时采用太阳能电池为蓄电池充电，将蓄电池的直流电通过逆变器转换为交流电为集中器供电，实现集中器的不间断供电，确保配电变压器间断供电集中器的常年使用。
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公开(公告)号：CN106086487A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610720087.9
申请日：2016-08-24
申请人： 北京矿冶研究总院
摘要： 本发明公开了一种低品位钼镍矿脱硫脱砷‑焙砂熔炼钼镍铁合金的方法。将细磨后的钼镍矿或选矿得到的钼镍精矿，与适量氯化钙、氯化钠等氯化剂混合后，通过粉料直接焙烧或制粒后焙烧，将钼镍矿中的砷高效挥发除去，焙烧采用弱氧化焙烧，得到含硫≤3％、含砷≤0.1％的脱硫脱砷焙砂，然后将焙砂进行还原熔炼得到含砷≤0.05％的钼镍铁合金。本发明以氯化剂作为焙烧脱砷助剂，在促进砷深度挥发的同时，利用氯化剂中的钙、钠等阳离子与氧化产生的氧化钼结合生成稳定的钼酸钙/钼酸钠等钼酸盐，从而大大降低氧化钼挥发的损失，具有工艺简单、砷脱除率高、钼镍铁合金质量好、钼回收率高等优点。
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公开(公告)号：CN103545212B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201210246706.7
申请日：2012-07-16
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/26506 , H01L21/30608 , H01L21/3065 , H01L29/66477 , H01L29/66636 , H01L29/7848
摘要： 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极堆叠结构；刻蚀栅极堆叠结构两侧的衬底，形成C型源漏凹槽；湿法腐蚀C型源漏凹槽，形成∑型源漏凹槽。依照本发明的半导体器件制造方法，通过刻蚀C型源漏凹槽并且进一步湿法腐蚀而形成∑型源漏凹槽，有效增大了沟道区应力并且精确控制了源漏凹槽深度、减小了缺陷，降低凹槽的侧壁和底部的粗糙度，提高了器件性能。
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