低复杂度的运动估计方法
    52.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101754022A

    公开(公告)日:2010-06-23

    申请号:CN200810178843.5

    申请日:2008-12-01

    Abstract: 一种运动向量估计方法,包括步骤:检测当前编码宏块的运动状态,如果是第一运动状态,则使用第一搜索方式进行运动估计;如果是第二运动状态,则使用第二搜索方式进行运动估计。本发明通过对编码宏块上下文环境的分析,针对不同运动状态的宏块使用不同搜索模式,有效的避免了静态或简单运动状态下宏块运动向量搜索过程中的冗余计算,降低了计算量。对简单运动的序列,比六边形搜索可以节约45%的计算量,对复杂运动的序列,比六边形搜索节约21%的计算量。

    抑制寄生电荷积累的非易失性存储器件及其操作方法

    公开(公告)号:CN101441893A

    公开(公告)日:2009-05-27

    申请号:CN200810177916.9

    申请日:2008-11-21

    CPC classification number: G11C16/0483 G11C16/16

    Abstract: 抑制寄生电荷积累的非易失性存储器件及其操作方法。操作电荷俘获非易失性存储器件的方法包括:通过选择性擦除第一串中第一多个非易失性存储单元以及随后选择性擦除第一串中第二多个非易失性存储单元来擦除第一串非易失性存储单元的操作,第二多个非易失性存储单元与第一多个非易失性存储单元交替。选择性擦除第一多个非易失性存储单元的操作可包括在抑制擦除第二多个非易失性存储单元的阻断条件下,在偏置第二多个非易失性存储单元的同时,擦除第一多个非易失性存储单元。选择性擦除第二多个非易失性存储单元的操作可包括在抑制擦除第一多个非易失性存储单元的阻断条件下,在偏置第一多个非易失性存储单元的同时,擦除第二多个非易失性存储单元。

    集成电路器件
    55.
    发明公开
    集成电路器件 审中-公开

    公开(公告)号:CN118335740A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202410028320.1

    申请日:2024-01-08

    Abstract: 一种集成电路器件可以包括从基板的表面突出并在第一水平方向上延伸的多个鳍型有源区、在基板上并在第一水平方向上延伸的至少一个栅极柱以及在所述多个鳍型有源区上在第二水平方向上布置的多个栅极组。所述多个栅极组中的每个可以包括在第二水平方向上彼此间隔开的多个栅极图案。所述多个栅极图案中的每个可以在第二水平方向上延伸。所述多个栅极图案可以包括在所述多个栅极组中的对应一个栅极组的在第二水平方向上的至少一端的至少一个虚设栅极图案。所述至少一个虚设栅极图案可以与所述至少一个栅极柱接触并且连接到所述至少一个栅极柱。

    用于控制电子装置的方法和装置

    公开(公告)号:CN108476232B

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN201680075898.6

    申请日:2016-12-23

    Abstract: 本公开涉及用于传感器网络、机器对机器(M2M)、机器类型通信(MTC)和物联网(IOT)的技术。本公开提供了一种用于控制电子装置的操作的方法和装置。根据本公开,一种用于通过控制装置控制电子装置的方法,所述方法包括以下步骤:由控制装置通过至少一个传感器收集感测信息;由控制装置基于收集到的感测信息确定用户的情况;基于确定的结果在多个预存储的控制模式中显示至少一个候选控制模式;接收用于从显示的所述至少一个候选控制模式中选择的一个控制模式的选择输入;以及响应于所述选择输入,发送针对在所述一个控制模式下能够被控制的至少一个电子装置的控制命令。

    垂直存储器件
    59.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104821322B

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201510055617.8

    申请日:2015-02-03

    Inventor: 李昌炫

    Abstract: 本发明公开了垂直存储器件。根据示例实施方式,一种垂直存储器件包括在下绝缘层上的低电阻层、在低电阻层上的沟道层、在沟道层上的多个垂直沟道、以及多个栅线。垂直沟道在相对于沟道层的顶表面垂直的第一方向上延伸。栅线围绕垂直沟道的外侧壁,并且在第一方向上层叠并且彼此间隔开。

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