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公开(公告)号：CN101776849A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010120161.6
申请日：2010-03-08
Applicant: 东南大学
Abstract: 厚胶紫外光斜入射背面光刻工艺的光强分布模拟方法解决目前传统的基于标量衍射理论的光强分布模拟方法无法模拟SU-8胶紫外光斜入射背面光刻工艺的光强分布的问题。a、基于光学标量衍射理论的菲涅耳-基尔霍夫衍射积分方程，利用紫外光斜入射的旁轴近似技术来处理这个积分方程，推出了适合SU-8胶紫外光斜入射背面光刻工艺的光强计算模型；b、背面斜入射紫外光的光强计算模型中，综合考虑了背面斜入射紫外光在空气/掩模版、掩模版/SU-8胶界面的反射与折射，以及背面斜入射紫外光在SU-8胶内的衰减等因素，高精度地模拟SU-8胶紫外光斜入射背面光刻工艺的光强分布；满足以上两个条件的方法即该视为该SU-8胶紫外光斜入射背面光刻工艺的光强分布模拟方法。
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公开(公告)号：CN100478646C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200510039283.1
申请日：2005-05-13
Applicant: 东南大学
Abstract: 多晶硅薄膜残余应变的在线检测结构是基于表面加工工艺的多晶硅薄膜残余应变的在线检测结构，该测试结构由三个多晶硅弯梁即第一弯梁(101)、第二弯梁(102)、第三弯梁(103)和四个压焊块即第一压焊块(105)、第二压焊块(106)、第三压焊块(107)、第四压焊块(104)组成；这三个多晶硅弯梁平行排列，在这三个多晶硅弯梁的中间点的两面分别设有触点，各触点之间的间距相等；第一弯梁的两端分别接第一压焊块和第四压焊块，第二弯梁的两端分别接第二压焊块和第四压焊块，第三弯梁的两端分别接第三压焊块和第四压焊块。测试速度快，且对测量设备的要求较低；所施加和检测的测试信号都是电学量，可实现在线检测。
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公开(公告)号：CN100339947C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200510038643.6
申请日：2005-04-01
Applicant: 东南大学
Abstract: 薄膜边界和淀积速率计算的元胞自动机耦合方法是一种用于薄膜淀积过程模拟的薄膜边界和淀积速率计算的元胞自动机耦合方法，其方法是a、采用元胞自动机方法计算表面元胞的淀积速率，将淀积速率的计算简化为对一系列直线上的元胞单元材料性质的测试：b、薄膜淀积过程模拟过程中，采用元胞自动机方法进行薄膜边界计算与淀积速率计算，实现薄膜边界计算与淀积速率计算方法的完全耦合：满足以上两个条件的方法即视为该薄膜淀积过程模拟的薄膜边界、淀积速率计算的元胞自动机耦合方法。统一采用元胞自动方法完成薄膜边界计算和淀积速率的计算，可以快速、精确地模拟薄膜淀积过程。
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公开(公告)号：CN1314130C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200410013805.6
申请日：2004-01-05
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 纵向多面栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管及其制造方法是一种利用侧壁栅形式实现载流子纵向迁移和多面栅MOSFET的结构，该晶体管利用侧壁栅的形式实现载流子的纵向迁移，自上而下分别为上源/漏区(1)、多晶硅栅(4)、下漏/源区(3)的MOS三层结构，多晶硅栅的位置位于纵向结构上的P型硅衬底(2)侧面刻蚀出的侧壁表面；即总体结构为在源/漏的外面设有氧化层(11)，在源/漏极和下漏/源区之间为P型硅衬底，在P型硅衬底的侧面为栅氧化层(21)，在栅氧化层外侧为多晶硅栅，P型硅衬底的下部是下漏/源区，在下漏/源区的下部是衬底(5)。它解决了原先实现多面栅MOSFET结构在材料、工艺、可靠性、可重复性和生产成本等诸多方面的问题。
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公开(公告)号：CN1255675C
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200410065788.0
申请日：2004-11-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 微电子机械系统多层膜应力和杨氏模量的测量结构及方法，该测量结构由n层等长不等宽的被测膜材料重叠设置、两端固定，构成多层两端固定的支梁(1)，支梁的两端分别设有加固的锚区(301)，在锚区的两边为支边(302)，在两个支边之间形成空洞，在支梁的下方为一层绝缘体(201)，绝缘体的下方为下电极(2)。该测量方法为：制备被测支梁结构；在支梁与下电极之间加电压，使之构成两个电极；当外加电压增加到临界电压时，停止增加电压，记录下吸合电压VPI；把测量出的k个吸合电压值分别代入计算应力与杨氏模量数学模型可计算出多层膜应力和杨氏模量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1634759A
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN200410066051.0
申请日：2004-12-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 薄膜二维淀积过程模拟的边界元胞自动机方法提供了一种用于薄膜二维淀积过程模拟的边界元胞自动机方法，该方法采用二维的摩尔邻域，在一个薄膜的淀积过程中，根据薄膜淀积过程中不断变化的衬底表面形貌确定各个时间步长时对应的淀积速率，并采用次级时间步长值确定圆形惠更斯波的产生过程；将一个元胞在某一时间步长内被完全淀积后的剩余时间加到下一时间步长用于淀积其相邻元胞，并确定这个元胞的所有邻域内元胞的状态与该元胞的剩余时间值的关系。解决已有薄膜二维淀积过程模拟边界方法难以同时达到初始条件简单、精度高、速度快的要求的问题。可以快速、高精度地模拟薄膜淀积过程，并可以方便地描述由于工艺缺陷产生的复杂边界条件。
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公开(公告)号：CN1605940A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410065791.2
申请日：2004-11-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 光刻胶三维刻蚀过程模拟的动态元胞自动机方法，采用三维的摩尔邻域，计算某一个元胞的刻蚀过程时，考虑6个相邻元胞和12个对角邻元胞对其刻蚀过程的影响，忽略8个点相邻元胞对其刻蚀过程的影响，制定规则确定模拟运算过程中不断更新的表面元胞，使得模拟过程中只需要计算表面元胞的刻蚀过程；一个元胞在某一时间步长内被完全刻蚀后，这一时间步长还可能有剩余时间，不忽略这些剩余时间，将这一剩余时间加到下一时间步长用于刻蚀其相邻元胞，且在计算表面元胞的剩余时间值时考虑该表面元胞的所有邻域内元胞的状态；本发明解决已有光刻胶刻三维刻蚀过程模拟方法难以同时达到稳定性、模拟速度和精度要求的问题。
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公开(公告)号：CN1222680A
公开(公告)日：1999-07-14
申请号：CN98111625.6
申请日：1998-12-21
Applicant: 东南大学
IPC: G01S13/91
Abstract: 电子地理信息定位方法及装置是一种用于给城市中的移动目标指明其所在的地理位置并提供其它交通信息的方法及装置,其方法是采用多台小功率信息发射机和纵横结构的网络布局对地面区域进行网格划分,在被划分的网格内设置一台信息发射机,不断地发射信息代码对该信息发射机所处的地理位置进行定标,接收机在某一个网格内接收该网格内信息发射机发射的信息,获得该信息接收机所处网格地理位置的X和Y坐标及各种提示并显示在显示器上。
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公开(公告)号：CN1112704A
公开(公告)日：1995-11-29
申请号：CN95110994.4
申请日：1995-04-03
Applicant: 东南大学
IPC: G08B25/00
Abstract: 城市汽车动态定点定位监测系统是一种用于汽车防盗防劫持和跟踪设备，它主要包括安装在车辆上的车载发射机、安装在道路上的定点接收器、安装在中心监测室的中心数据处理器和区域地图显示器，发射机功率比较小，一般在200米范围内，定点接收器与中心数据处理器之间由城市电话线路相连接，用双音频传输方式传输信号，一旦车载发射机发出载有该车颜色、车型、牌号等特征的信号，定点接收器就可以收到并传给中心数据处理器，最后由区域地图显示出报警车辆的准确位置。
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公开(公告)号：CN114348952B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202210255118.3
申请日：2022-03-16
Applicant: 东南大学
IPC: H01L23/28
Abstract: 本发明公开了一种MEMS压力传感器封装结构，在外壳的内侧壁上贴合有一组相对设置的金属极板，金属极板在通入电压后会形成电场，根据介电分离效应，在该电场的作用下，渗入密封腔体的外界污物向着金属极板运动和聚集，并在重力作用下落入金属极板的底端的污物收集槽内，解决现有技术中封装气密性随传感器工作时间的增长逐渐下降，导致外界污物进入封装腔体后下沉到MEMS压力传感器芯片表面，从而造成传感器性能下降的问题。此外，盖状波纹膜片及其连接方式能有效提高密封胶装配的封装气密性，减小波纹膜片上的预应力和热应力；波纹膜片采用高韧性陶瓷材料，有助于抑制恶劣工作环境对波纹膜片的腐蚀和破坏。
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