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公开(公告)号：CN1490844A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN02145890.1
申请日：2002-10-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明提出了一种氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法，先在衬底蓝宝石(0001)或硅(111)或碳化硅(0001)晶面上采用金属有机物化学气相沉积或分子束外延或氢化物气相外延生长一层本征氮化硅，随后其上沉积一层氮化硅或二氧化硅或氮氧化硅作为掩模区，利用光刻和湿法刻蚀或干法刻蚀技术在掩模区上刻出图形，掩模区的图形设计成相邻窗口边沿氮化镓的[10－10]晶向，夹角为60度或120度的三角形或平行四边形或菱形或六角形或以上图形的组合图形结构，最后再采用金属有机物化学气相沉积或分子束外延或氢化物气相外延进行氮化镓及其化合物的二次外延生长，即横向外延。
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公开(公告)号：CN103887326A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410089597.1
申请日：2014-03-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/205 , H01L21/335
CPC classification number: C30B25/14 , C30B25/20 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262
Abstract: 一种高阻低位错GaN薄膜，包括：一衬底；一GaN低温成核层，其制作在衬底上；一GaN合并层，其制作在GaN低温成核层上；一GaN高阻层，其制作在GaN合并层上。本发明是通过控制反应室压强，实现非故意可控碳掺杂，从而达到既补偿背景载流子，提高材料电阻率的目的。通过控制生长初期的氨气流量，引入合并层，延长晶体三维生长到二维生长的过度时间，从而达到在保证材料高电阻率的前提下降低外延膜的位错密度，提高晶体质量的目的。
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公开(公告)号：CN102832272A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210319268.2
申请日：2012-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种InGaN太阳能电池及其制作方法，包括：一衬底；一GaN缓冲层制作在衬底上；一N型GaN欧姆接触层制作在GaN缓冲层上；一本征InGaN吸收层制作在N型GaN欧姆接触层上面的一侧，N型GaN欧姆接触层的另一侧形成一台面；一GaN保护层制作在本征InGaN吸收层上；一P型GaN层制作在低温GaN保护层上；一P型GaN欧姆接触层制作在P型GaN层上；一电流扩展层制作在P型GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极制作在电流扩展层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在N型GaN欧姆接触层的台面上。本发明具有提高InGaN太阳能电池效率的优点。
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公开(公告)号：CN101922015B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010263078.4
申请日：2010-08-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E60/366
Abstract: 本发明公开了一种InGaN半导体光电极的制作方法，该方法包括：步骤1：取一衬底(21)；步骤2：在该衬底(21)上外延生长InGaN层(22)；步骤3：在该InGaN层(22)上制作形成纳米微结构层(31)；步骤4：在该InGaN纳米微结构层(31)上，外延生长或沉积n型或p型表面层(41)。利用本发明，将纳米结构引入到半导体光电极表面，大大降低了电极表面对光的反射，提高了电极与电解液的有效接触面积，增加了电化学反应效率，最大程度地提高了半导体光电极对太阳光的转换效率。
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公开(公告)号：CN101814537B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200910077383.1
申请日：2009-02-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法，其中该氮化镓基雪崩型探测器包括：一衬底；一N型掺杂的GaN欧姆接触层制作在衬底上；一非故意掺杂GaN吸收层制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上，该非故意掺杂GaN吸收层的面积小于N型掺杂的GaN欧姆接触层的面积；一N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层制作在非故意掺杂的GaN吸收层上；一非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层制作在N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层上；一P型掺杂的AlGaN欧姆接触层制作在非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层上；一N型欧姆接触电极制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极制作在P型掺杂的AlGaN欧姆接触层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102074894A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200910241546.5
申请日：2009-11-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化镓基激光器列阵管芯的器件结构，包括：一绝缘衬底；在该绝缘衬底上依次生长第一接触层、第一光限制层、第一波导层；在该第一波导层表面的脊形上分别生长有源区；在该有源区的上面生长有第二波导层、第二光限制层、第二接触层、P型欧姆接触电极；该第一波导层上面及侧边，在有源区、第二波导层、第二光限制层、第二接触层和P型欧姆接触电极的侧边生长有绝缘层；两个N型欧姆接触电极，分别制作在第一接触层上面的两侧台面的中间；在第一接触层上面两侧暴露出的台面上生长绝缘层；一P型加厚电极，该P型加厚电极制作在第一波导层、有源区、第二波导层、第二光限制层、第二接触层、P型欧姆接触电极的绝缘层上和P型欧姆接触电极的上面。
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公开(公告)号：CN101625971B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810116414.5
申请日：2008-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/302
Abstract: 一种利用光辅助氧化湿法刻蚀III族氮化物的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：利用标准的光刻工艺在III族氮化物表面制作有图案的紫外光掩蔽层；步骤2：将表面上制作有图案的紫外光掩蔽层的III族氮化物置于高能紫外光下曝光，使具有图案的暴露的III族氮化物在紫外光辅助下发生氧化，生成金属氧化物；步骤3：去除掩蔽层；步骤4：将曝光后的III族氮化物的样品放在酸或碱性溶液中，将生成的金属氧化物完全腐蚀掉，形成带有图案的刻蚀台阶，完成湿法刻蚀III族氮化物的工艺。
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公开(公告)号：CN101894796A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200910084158.0
申请日：2009-05-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种利用激光划片解理氮化镓基激光器管芯的方法，包括如下步骤：步骤1：减薄，将制作完激光器结构的外延片从衬底背面减薄；步骤2：抛光，将减薄的衬底抛光，去除减薄研磨过程中产生的机械应力；步骤3：利用激光划片技术，将激光聚焦在抛光后的衬底背面，沿横向分割道的中间，垂直于衬底背面，划一道沟槽，沟槽两边各留20μm到200μm宽度；步骤4：将激光聚焦的位置下降至沟槽底部，在已形成的沟槽处再划一次，形成解理的导向槽，并重复多次；步骤5：用裂片机将管芯沿划好的导向槽解理成条，形成具有腔面和腔长的管芯条；步骤6：沿纵向分割道的中间，划一道沟槽，并重复步骤4，用裂片机沿划好的导向槽将管芯条分割成单个管芯，完成解理。
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公开(公告)号：CN101626025A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200810116416.4
申请日：2008-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/84
Abstract: 一种氮化镓基多波段探测器，包括：一衬底；一短波段探测单元，包括：一第一宽带隙材料层生长在衬底上面一侧的三分之一处；一对第一背靠背肖特基电极生长在第一宽带隙材料层上；一中波段探测单元，包括：一第二宽带隙材料层生长在衬底上面中间的三分之一处；一第二中间带隙材料层生长在第二宽带隙材料层上；一对第二背靠背肖特基电极生长在第二中间带隙材料层上；一长波段探测单元，包括：一第三宽带隙材料层生长在衬底上面另一侧的三分之一处；一第三中间带隙材料层生长在第三宽带隙材料层上；一第三窄带隙材料层生长在第三中间带隙材料层上；一对第三背靠背肖特基电极生长在第三窄带隙材料层上。
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公开(公告)号：CN101625971A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200810116414.5
申请日：2008-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/302
Abstract: 一种利用光辅助氧化湿法刻蚀III族氮化物的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：利用标准的光刻工艺在III族氮化物表面制作有图案的紫外光掩蔽层；步骤2：将表面上制作有图案的紫外光掩蔽层的III族氮化物置于高能紫外光下曝光，使具有图案的暴露的III族氮化物在紫外光辅助下发生氧化，生成金属氧化物；步骤3：去除掩蔽层；步骤4：将曝光后的III族氮化物的样品放在酸或碱性溶液中，将生成的金属氧化物完全腐蚀掉，形成带有图案的刻蚀台阶，完成湿法刻蚀III族氮化物的工艺。
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