公开(公告)号：CN108385165B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201810338698.6

申请日：2018-04-16

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 刘彬文 ,  郭国聪 ,  姜小明 ,  曾卉一 ,  徐忠宁 ,  王观娥

IPC: G02F1/355 ,  C30B29/10 ,  C30B1/10

Abstract: 本申请公开了一种二阶非线性光学材料，其特征在于，具有化学式：ABaxX1+2x‑mGamS2m；其中，A选自碱金属中的至少一种，X选自卤族元素中的至少一种；x为1、2或3；m为1、2、3、4或5中的任一正整数；所述二阶非线性光学材料，在红外波段的至少一个波长处满足相位匹配。该材料的倍频系数是商用AgGaS2的0.5～10倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的1～50倍，性能有很大的提高，是潜在的红外非线性光学材料。

公开(公告)号：CN104532352B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201410738573.4

申请日：2014-12-05

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 张明建 ,  郭国聪 ,  曾卉一 ,  刘彬文 ,  刘勇 ,  李丙轩

IPC: G02F1/355 ,  C30B29/46 ,  C30B1/10 ,  G01V8/10 ,  H01S3/16

Abstract: 本申请公开了一种非线性光学晶体材料、制备方法及其应用。该材料具有优良的红外非线性光学性能，倍频强度可达同粒度AgGaS2的9.3倍，且满足I类相位匹配。该材料的粉末激光损伤阈值可达同粒度AgGaS2的7.5倍。在中远红外波段激光倍频、和频、差频、光参量振荡等变频器件方面，具有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN106757303A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611092241.9

申请日：2012-12-10

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 张明建 ,  郭国聪 ,  曾卉一 ,  姜小明 ,  范玉航 ,  刘彬文

IPC: C30B1/10 ,  C30B29/46 ,  G02F1/355 ,  G02F1/37

CPC classification number: G02F1/3551 ,  C01G15/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/84 ,  G02F1/355 ,  G02F1/37 ,  G02F1/39

Abstract: 本发明提供一种单斜相Ga2S3晶体作为红外波段二阶非线性晶体材料的应用。所述单斜相Ga2S6晶体的空间群为Cc，单胞参数为α＝90°，β＝121.15(9)°，γ＝90°，Z＝4。该晶体具有大的非线性光学系数，倍频信号约为KTP的0.7倍，且在1910nm处相位匹配，在1064nm下激光损伤阈值为174MW/cm2，高于AGS和LIS，可作为良好的非线性光学晶体材料。

公开(公告)号：CN105129753B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201510381418.6

申请日：2015-07-02

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 刘彬文 ,  郭国聪 ,  徐忠宁 ,  曾卉一

IPC: C01B25/14

Abstract: 本发明提供一种化合物及其合成方法与应用。该化合物含有[Ga3PQ8]n2n-阴离子基团，其中Q＝S或Se，n＝1或2或3或4。合成方法为将镓、磷、Q(Q＝S或Se)、AX(A＝Na或K或Rb或Cs；X＝F或Cl或Br或I)的原料配料并混合均匀后，装入石英管中，抽真空后封管，放入马弗炉中缓慢加热至600-900℃，保温不少于1小时后关掉马弗炉自然冷却至室温，得到所述化合物。该化合物为无色或者黄色晶体或粉末，具有优异的红外非线性光学性能和很高的激光损伤阈值。合成方法步骤简单，所得产品纯度高、收率高，适合商业化生产。

公开(公告)号：CN105755542A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610316492.4

申请日：2016-05-12

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 刘彬文 ,  郭国聪 ,  曾卉一 ,  姜小明 ,  徐忠宁 ,  李淑芳

IPC: C30B29/46 ,  C30B1/10 ,  G02F1/355 ,  H01S3/16

CPC classification number: C30B29/46 ,  C30B1/10 ,  G02F1/3551 ,  H01S3/163

Abstract: 本申请公开了一种晶体材料、其制备方法及作为红外非线性光学晶体材料的应用。所述晶体的化学式是AGexQy；其中，A选自Na、K、Rb、Cs中的至少一种；Q选自S或Se；x＝1～2，y＝3～5。所述晶体材料具有优异的红外非线性光学性能。实验测定其非线性效应是商用AgGaS2的1～15倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的1～20倍。与目前商用的红外非线性晶体相比，本申请所述晶体材料的非线性光学性能有很大的提高，在大功率激光器领域具有重要商业应用价值。

公开(公告)号：CN104532352A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410738573.4

申请日：2014-12-05

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 张明建 ,  郭国聪 ,  曾卉一 ,  刘彬文 ,  刘勇 ,  李丙轩

IPC: C30B29/46 ,  C30B1/10 ,  G01V8/10 ,  H01S3/16

CPC classification number: C30B29/46 ,  C30B1/10

Abstract: 本申请公开了一种非线性光学晶体材料、制备方法及其应用。该材料具有优良的红外非线性光学性能，倍频强度可达同粒度AgGaS2的9.3倍，且满足I类相位匹配。该材料的粉末激光损伤阈值可达同粒度AgGaS2的7.5倍。在中远红外波段激光倍频、和频、差频、光参量振荡等变频器件方面，具有重要的应用价值。