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公开(公告)号：CN106757365B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201611108475.8
申请日：2016-12-06
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料、其制备方法、包含其的非线性光学晶体材料及其在激光器中的应用。所述晶体材料化学式为[A2M4Q7]n或[AM3Q5]n；A代表Na、K、Rb、Cs中的至少一种；M代表Ga和/或In；Q代表S和/或Se；1≤n≤4。该晶体材料具有优良的红外非线性光学性能，倍频强度可达同粒度商用AgGaS2的7.0倍，激光损伤阈值可达商用AgGaS2(可简写为AGS)的11倍。在中远红外波段激光倍频、和频、差频、光参量振荡等变频器件方面，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN104532351B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410736800.X
申请日：2014-12-05
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种非线性光学晶体材料、制备方法及其应用。该材料具有优良的红外非线性光学性能，倍频强度(粒度50‑100微米)可达同粒度AgGaS2的1～3倍。该材料的粉末激光损伤阈值可达同粒度AgGaS2的100～260倍，同粒度KTiOPO4(KTP)的1～3倍。
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公开(公告)号：CN105951181B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201610331499.3
申请日：2016-05-18
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料，其特征在于，化学式为：BaCdSnS4；所述晶体材料属于正交晶系的Fdd2空间群，Z＝16。该晶体材料作为非线性光学晶体使用，其非线性效应是商用AgGaS2的1～5倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的1～8倍，是同时具有大非线性系数和高激光损伤阈值的新型中远红外非线性晶体材料。
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公开(公告)号：CN109402740B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201811624256.4
申请日：2016-12-06
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料、其制备方法、包含其的非线性光学晶体材料及其在激光器中的应用。所述晶体材料化学式为[AM3Q5]n；A代表Na、K、Rb、Cs中的至少一种；M代表Ga和/或In；Q代表S和/或Se；1≤n≤4。该晶体材料具有优良的红外非线性光学性能，倍频强度可达同粒度商用AgGaS2的7.0倍，激光损伤阈值可达商用AgGaS2(可简写为AGS)的11倍。在中远红外波段激光倍频、和频、差频、光参量振荡等变频器件方面，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN109402740A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811624256.4
申请日：2016-12-06
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料、其制备方法、包含其的非线性光学晶体材料及其在激光器中的应用。所述晶体材料化学式为[AM3Q5]n；A代表Na、K、Rb、Cs中的至少一种；M代表Ga和/或In；Q代表S和/或Se；1≤n≤4。该晶体材料具有优良的红外非线性光学性能，倍频强度可达同粒度商用AgGaS2的7.0倍，激光损伤阈值可达商用AgGaS2(可简写为AGS)的11倍。在中远红外波段激光倍频、和频、差频、光参量振荡等变频器件方面，具有重要的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106757366A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611108990.6
申请日：2016-12-06
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C30B29/46 , C30B1/10 , G02F1/3551
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料、其制备方法及在非线性光学晶体材料中的应用。该晶体材料化学式为Na2Ga2MQ6，M代表Ge和/或Sn，Q代表S和/或Se；可采用高温固相法制备得到。该晶体材料具有优良的红外非线性光学性能，非线性效应可达商用AgGaS2的1.5倍，激光损伤阈值可达商用AgGaS2(可简写为AGS)的81.5倍。在中远红外波段激光倍频、和频、差频、光参量振荡等变频器件方面，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN106757365A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611108475.8
申请日：2016-12-06
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C30B29/46 , C30B1/10 , G02F1/3551
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料、其制备方法、包含其的非线性光学晶体材料及其在激光器中的应用。所述晶体材料化学式为[A2M4Q7]n或[AM3Q5]n；A代表Na、K、Rb、Cs中的至少一种；M代表Ga和/或In；Q代表S和/或Se；1≤n≤4。该晶体材料具有优良的红外非线性光学性能，倍频强度可达同粒度商用AgGaS2的7.0倍，激光损伤阈值可达商用AgGaS2(可简写为AGS)的11倍。在中远红外波段激光倍频、和频、差频、光参量振荡等变频器件方面，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN105755542B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201610316492.4
申请日：2016-05-12
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料、其制备方法及作为红外非线性光学晶体材料的应用。所述晶体的化学式是AGexQy；其中，A选自Na、K、Rb、Cs中的至少一种；Q选自S或Se；x＝1～2，y＝3～5。所述晶体材料具有优异的红外非线性光学性能。实验测定其非线性效应是商用AgGaS2的1～15倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的1～20倍。与目前商用的红外非线性晶体相比，本申请所述晶体材料的非线性光学性能有很大的提高，在大功率激光器领域具有重要商业应用价值。
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公开(公告)号：CN105951181A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610331499.3
申请日：2016-05-18
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C30B29/46 , C30B1/10 , G02F1/3551
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料，其特征在于，化学式为：BaCdSnS4；所述晶体材料属于正交晶系的Fdd2空间群，Z＝16。该晶体材料作为非线性光学晶体使用，其非线性效应是商用AgGaS2的1～5倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的1～8倍，是同时具有大非线性系数和高激光损伤阈值的新型中远红外非线性晶体材料。
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公开(公告)号：CN105755542A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610316492.4
申请日：2016-05-12
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C30B29/46 , C30B1/10 , G02F1/3551 , H01S3/163
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料、其制备方法及作为红外非线性光学晶体材料的应用。所述晶体的化学式是AGexQy；其中，A选自Na、K、Rb、Cs中的至少一种；Q选自S或Se；x＝1～2，y＝3～5。所述晶体材料具有优异的红外非线性光学性能。实验测定其非线性效应是商用AgGaS2的1～15倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的1～20倍。与目前商用的红外非线性晶体相比，本申请所述晶体材料的非线性光学性能有很大的提高，在大功率激光器领域具有重要商业应用价值。
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