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公开(公告)号：CN112103305B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202010991401.3
申请日：2020-09-21
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供了基于微图案化石墨烯的Micro‑LED阵列及其制备方法、显示装置，该阵列包括：衬底；图案化石墨烯层，其阵列分布在衬底一侧；电子注入层，位于衬底靠近图案化石墨烯层一侧，电子注入层在衬底上投影位于相邻图案化石墨烯层之间；多量子阱层，位于电子注入层远离衬底一侧；空穴注入层，位于多量子阱层远离衬底一侧；n型接触电极，位于图案化石墨烯层远离衬底一侧；p型接触电极，位于空穴注入层远离衬底一侧。本发明Micro‑LED阵列，石墨烯良好的导电性还能够直接作为Micro‑LED的底电极，图案化石墨烯层与电子注入层之间接触形成良好的导电通路，实现电子由图案化石墨烯层到Micro‑LED的有效注入。
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公开(公告)号：CN114395805A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210025979.2
申请日：2022-01-11
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种反应腔系统，其包括反应腔本体，旋转系统，激光系统以及控制系统。旋转系统，激光系统以及控制系统可相互配合，控制系统接收旋转系统转速信息，并通过激光控制模组控制所述激光器及第一扫描器和第二扫描器，使所述工件在特定区域曝光。通过该系统可实现在工件平面内存在人为设置温度差异的功能，进而实现在平面内AlGaN材料组分调制。本发明还公开了一种上述反应腔系统来实现AlGaN组分调制的方法。
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公开(公告)号：CN112822351B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202011579584.4
申请日：2020-12-28
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于DMD与AlGaN基多元紫外探测器的成像装置，属于半导体技术领域，包括紫外光学透镜、DMD、DMD控制模块、AlGaN基多元紫外探测器、信号处理模块、数据采集模块、图像重建模块；所述DMD控制模块与所述DMD、所述信号处理模块、所述数据采集模块电性连接，所述数据采集模块还与所述图像重建模块电性连接。本发明还提供一种基于DMD与AlGaN基多元紫外探测器的成像方法。本发明的基于DMD与AlGaN基多元紫外探测器的成像装置及成像方法，利用DMD与多元AlGaN基紫外探测器结合使用实现高分辨率紫外成像，利用DMD成像机理，解决了传统AlGaN面阵高分辨率成像盲元率高的问题，并且利用多元AlGaN探测器，解决了单管高分辨率成像中成像时间长的问题。
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公开(公告)号：CN113948535A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111211399.4
申请日：2021-10-18
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L27/15 , H01L31/0352 , H01L33/06 , H01L33/38 , H01L33/46
Abstract: 本发明提供了一种紫外LED和探测器同质集成芯片及其制备方法，该同质集成芯片，包括：衬底；缓冲层；LED器件，其为圆环状或圆弧状；探测器，位于LED器件内侧；本发明的集成芯片，采用圆环状或圆弧状的LED器件以及位于LED器件内侧的探测器，从方向上提高了LED出光的利用率，在有源区面积一定的情况下提高了LED和探测器侧壁的交互面积，便于探测器收集。本发明的集成芯片，在LED器件外周面设置金属反射层，同质集成芯片中LED器件的光提取效率和电光转换效率大幅提高，探测器接收的入射光通量增大，灵敏度提高，集成芯片的光耗散有效减少，从而达到提高紫外LED和探测器同质集成芯片信号转换效率和传输速度的目的。
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公开(公告)号：CN112822351A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011579584.4
申请日：2020-12-28
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于DMD与AlGaN基多元紫外探测器的成像装置，属于半导体技术领域，包括紫外光学透镜、DMD、DMD控制模块、AlGaN基多元紫外探测器、信号处理模块、数据采集模块、图像重建模块；所述DMD控制模块与所述DMD、所述信号处理模块、所述数据采集模块电性连接，所述数据采集模块还与所述图像重建模块电性连接。本发明还提供一种基于DMD与AlGaN基多元紫外探测器的成像方法。本发明的基于DMD与AlGaN基多元紫外探测器的成像装置及成像方法，利用DMD与多元AlGaN基紫外探测器结合使用实现高分辨率紫外成像，利用DMD成像机理，解决了传统AlGaN面阵高分辨率成像盲元率高的问题，并且利用多元AlGaN探测器，解决了单管高分辨率成像中成像时间长的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112786751A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110068061.1
申请日：2021-01-19
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种N极性氮化物模板、N极性氮化物器件及其制备方法，N极性氮化物模板包括：衬底；插入层；氮化物层；其中，插入层的材料为过渡金属二硫属化合物。本申请的氮化物模板，包括过渡金属二硫属化合物，其具有二维的层状结构，由上下两层S原子中间夹一层过渡金属原子构成，这种材料具有较好的热稳定性及化学稳定性，适用于氮化物材料外延生长过程的高温条件和气体氛围，对于传统的蓝宝石衬底，通过插入薄层的过渡金属二硫属化合物可以有效调控氮化物材料的原子吸附能，同时过渡金属二硫属化合物在大尺寸范围提供连续、稳定的S原子终端，能够遏制部分极性反转的问题，实现高度均一性的N极性氮化物材料及其微电子/光电子器件结构。
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公开(公告)号：CN110993737B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201911273385.8
申请日：2019-12-12
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/153 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供一种AlGaN基同质集成光电子芯片的制备方法，包括：选择C面具有斜切角的图形化衬底，所述斜切角的角度大于0.1°且小于90°；在图形化衬底上外延生长AlN模板；在AlN模板上生长AlGaN基器件结构；对图形化衬底上外延生长的AlGaN材料翼区以及台面区进行定位；在相应区域制备光探测器件、发光器件以及光波导结构，得到AlGaN基同质集成光电子芯片。上述方法可以提高电子芯片的工作效率。
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公开(公告)号：CN112599620A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011472265.3
申请日：2020-12-14
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/0312 , H01L31/118 , H01L31/18 , G01T3/08
Abstract: 本发明提供一种中子辐射探测器，器件结构包括：导电碳化硅衬底、制备于导电碳化硅衬底上的非掺SiC本征外延层、制备于SiC本征外延层上的肖特基电极、制备于肖特基电极上的BN层以及制备于导电碳化硅衬底下表面的欧姆电极；所述BN层为中子转换层，中子与BN层中的B的同位素10B发生反应形成Alpha粒子；所述非掺SiC本征外延层为Alpha粒子探测层，Alpha粒子在所述非掺SiC本征外延层中产生电子‑空穴对，在外加偏压下形成信号电流，最终实现中子探测。利用BN为中子转化层，实现中子向Alpha粒子的转换。再利用碳化硅对Alpha粒子的高分辨能力，最终实现中子的有效探测。
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公开(公告)号：CN112563381A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011594065.5
申请日：2020-12-29
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种低欧姆接触电阻的深紫外发光二极管及其制备方法，由下而上依次包括衬底、缓冲层、n型AlxGa1‑xN层、n型AlyGa1‑yN层、AlGaN多量子阱层、p型AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和p型GaN层，n型AlyGa1‑yN层设有通孔结构，n电极通过通孔结构与n型AlxGa1‑xN层直接接触，p型GaN层上制备有p电极。本发明在传统AlGaN基深紫外LED的基础上，设计了AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN(y＞x)异质结的n型欧姆接触，利用其极化效应，有效提高电子浓度，降低欧姆接触电阻，提高电流注入，从而降低LED器件的接触电阻和正向电压，提高功率转换效率。
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公开(公告)号：CN110797429B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201911084903.1
申请日：2019-11-08
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 应力调控氮化镓基红外‑紫外双色光探测器及制备方法，属于半导体领域。本发明包括GaN单晶体材料；在GaN单晶体材料上，由左至右依次设置第一紫外光探测器电极、缓冲层、第二应力层和第二紫外光探测器电极；第二应力层两端分别与缓冲层和第二紫外光探测器电极侧面接触；设置在缓冲层上的二维氮化物薄膜层；在二维氮化物薄膜层上，由左至右依次设置第一应力层和红外光探测器电极；第一应力层两端分别与第一紫外光探测器电极和红外光探测器电极侧面接触。本发明解决了因晶格不匹配带来的红外‑紫外光敏材料或探测系统集成困难、集成器件后红外探测系统的探测性能弱及双色集成探测器结构复杂的问题，本发明工艺流程简单、可操作性强、效果明显。
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