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公开(公告)号：CN119521885A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411652085.1
申请日：2024-11-19
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H10H20/831 , H10H20/857 , H10H20/814 , H10H20/01
Abstract: 一种掩埋电极的深紫外LED器件及其制备方法，包括：衬底、AlN模板、第一n‑Alx1Ga1‑x1N层、量子阱层、电子阻挡层、p‑Aly1Ga1‑y1N层、p‑AlyGa1‑yN接触层、n型电极接触层、n型电极pad层、p型电极接触层、p型电极pad层、钝化层、掩埋金属电极和第二n‑Alx1Ga1‑x1N层。该器件通过在第一n‑Alx1Ga1‑x1N层和第二n‑Alx1Ga1‑x1N层中掩埋金属电极，充当n型电极接触层与台面之间的电流高速传输通道，增加电流分布的均匀性，提高光效，并对多晶状n‑Alx1Ga1‑x1N进行处理，形成多孔结构作为DBR反射镜，增加光提取，进一步提高光效。
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公开(公告)号：CN119451250A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411639911.9
申请日：2024-11-18
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H10F30/298 , H10F77/14 , H10F77/122 , H10F77/1226 , H10F71/00
Abstract: 本发明涉及辐射探测器技术领域，尤其涉及一种碳化硅/半导体型石墨烯探测‑放大一体化辐射探测器。包括：由下至上紧密堆叠的底电极、碳化硅衬底、本征碳化硅外延层和半导体型石墨烯外延层，以及位于半导体型石墨烯外延层背向碳化硅衬底一侧表面的源漏电极和顶栅调控层；所述半导体型石墨烯外延层为沟道结构；所述源漏电极和所述顶栅调控层分别位于所述半导体型石墨烯外延层沟道表面的两端和中间区域。优点在于：将辐射产生的信号作为栅压通过石墨烯的FET结构进行信号放大，实现探测‑放大一体化功能；通过底电极偏压增加辐射产生的电荷向石墨烯沟道移动以提高信号响应。
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公开(公告)号：CN118360585A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410357208.2
申请日：2024-03-27
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 本发明提出一种用于AlGaN外延MOCVD反应腔结构及其控制方法，具体涉及于半导体材料制备技术领域,用于AlGaN外延MOCVD反应腔结构包括反应腔和承载部，其中：承载部位于反应腔底部一侧，承载部表面用于承载衬底；反应腔顶部设有上盖，上盖为中空设置，上盖顶部设有第一进气口、第二进气口和第三进气口，下盖底部设有多个第一出气口，第一出气口与第一进气口和第三进气口连通，上盖底部还设有第一连接管，第一连接管顶部穿过下盖并对准第二进气口，第一连接管底部密封并对准靠近承载部上表面中心近处，本发明通过避免TMAl气体与其他气体在空气中接触，隔绝NH3气体与TMAl气体的预反应，从而避免生成ALN颗粒，能够降低位错并提高外延质量。
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公开(公告)号：CN117821938A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410014165.8
申请日：2024-01-04
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: C23C16/44
Abstract: 本发明提出一种实现多种二维材料异质结的生长设备，具体涉及于化学气相沉积技术领域,实现多种二维材料异质结的生长设备包括样品台、驱动装置、固定架和容纳组件，容纳组件包括第一内管、第二内管和第三内管，容纳组件还包括容纳管，容纳管内部设有容纳腔，第一内管、第二内管和第三内管位于容纳腔内部；样品台位于第一内管内侧，驱动装置分别带动第一内管、第二内管和第三内管进行移动至样品台一侧，随后样品台上的衬底分别在第一内管、第二内管和第三内管完成二维材料生长，通过第一内管、第二内管和第三内管内分别完成不同的二维材料生长，同一设备内完成多种二维材料生长的同时，又能避免对其他生长管壁造成污染导致杂质吸附。
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公开(公告)号：CN117712175A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410014524.X
申请日：2024-01-04
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/51
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域。本发明提供了一种基于AlScN铁电调控的GaN基场效应晶体管及其制备方法。本发明的场效应晶体管，介质层为AlScN铁电介质层，AlScN做为首个氮化物铁电材料，介电常数比传统氧化物绝缘栅高1个数量级，可以在低偏压下获得高的极化电场强度；并且其剩余极化强度高达80～150μC/cm2，是传统氧化物及铪基铁电材料的2～6倍，强剩余极化特性可在外加电场为零时对二维电子气的自旋输运性质进行非易失调控；此外较低的生长温度及与GaN较为匹配的晶格常数使得其与GaN基异质结具有良好的兼容性，避免了氧化物铁电材料与氮化物半导体集成过程失配度较大导致的性能退化问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115341275B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202210965708.5
申请日：2022-08-12
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明适用于金属有机物化学气相沉积领域，公开了MOCVD反应室压力控制系统即压力控制方法，其中MOCVD反应室压力控制系统，包括压力检测单元、分析单元和执行模组，执行模组包括均与反应室连通的进气单元和尾气单元，尾气单元包括至少两组排气组件，每组排气组件均包括与反应室连通的排气管路、与排气管路连接的泵体、以及设置在排气管路与泵体之间的调节阀，压力检测单元用于检测反应室的实时压力，MOCVD反应室压力控制系统通过控制进气单元是否参与工艺运行过程以及通过控制尾气单元哪组排气组件参与工艺运行过程来使反应室的实时压力与设定压力基本保持一致，从而为反应室提供稳定的气场流，进而提高外延材料的厚度和组分均匀性。
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公开(公告)号：CN117219696A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311159778.2
申请日：2023-09-08
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供的AlGaN基pin型紫外雪崩探测器及制备方法，包括在衬底上依次生长的固定Al组分n‑AlGaN电极接触层、i‑AlGaN吸收层、p‑AlGaN层及AlScN极化电荷调控层、n型电极和p区电极，本申请引入AlScN极化电荷调控层，AlScN由于有着可随外加电场改变极化方向的特点且其剩余极化系数大，晶格常数可以与AlGaN材料体系良好匹配，通过与AlGaN基材料体系匹配的AlScN材料强界面极化电荷对探测器内部能带结构进行调控，利用AlScN与AlGaN界面的强极化电场，提高了AlScN/AlGaN界面处的势垒高度，从而使得i型区处受极化电场的作用有更大的电场强度，高势垒使得探测器的暗电流更低，更强的内建电场强度使得雪崩电压降低，更宽的耗尽区厚度使得雪崩增益增强，实现更低雪崩电压与更高雪崩增益的紫外探测。
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公开(公告)号：CN116314422A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310132444.X
申请日：2023-02-17
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种集成光放大结构的AlGaN基探测器及其制备方法。本发明提供的集成光放大结构的AlGaN基探测器，包括：n型AlGaN包层、有源层、p型AlGaN包层、第二p型GaN层、第二p型电极、第二n型电极、第一反射层、第二反射层，这些构成AlGaN基探测器的光放大结构；本发明的集成光放大结构的AlGaN基探测器，在常规探测器的基础上，增加光放大结构，AlGaN光放大结构用于入射光放大，入射光被放大后出射进入探测器吸收区，增加进入探测器吸收区的光子数，通过放大信号光的方式提升雪崩探测器的增益。本发明可兼容现有的AlGaN雪崩探测器结构，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116264779A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111508237.7
申请日：2021-12-10
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种有机铁电增强中子辐射探测器及其制备方法，该探测器包括底电极、半导体中子辐射探测器、有机铁电增强层和顶电极；本发明的有机铁电增强中子辐射探测器，突破传统聚乙烯中子转化层只能实现中子转化的固有属性，有机铁电增强层的材料为含有氢元素的有机铁电材料，不仅能实现中子转化，同时还具有铁电强极化特性，同时具备中子转化和铁电场增强的双重功能，在中子转化的同时给半导体探测器提供高的电场，在低偏压下实现高的探测效率。
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公开(公告)号：CN115841940A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211646651.9
申请日：2022-12-21
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供一种化合物半导体金属元素量子结构及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明化合物半导体金属元素量子结构的制备方法，包括：在高热稳定性衬底上依次沉积低热稳定性的含有目标金属元素的化合物半导体薄膜材料，高热稳定性化合物半导体薄膜材料；将欲在其上制备目标金属元素量子结构的薄膜覆盖于高热稳定性化合物半导体薄膜上方；在常压和保护性气体的保护下，加热使低热稳定性的含有目标金属元素的化合物半导体薄膜材料分解并挥发形成目标金属元素量子结构。本发明的方法可在常压下、不含有该元素的材料上制备相应的金属量子结构，降低了金属元素量子结构制备条件，拓宽化合物半导体中金属元素应用。
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