-
公开(公告)号：CN119291925A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411470570.7
申请日：2024-10-21
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明涉及空间望远镜技术领域，尤其涉及一种基于多智能体协同控制拼接式望远镜主镜的面型保持方法，在主镜中每个子镜上设置有智能体，并获取每个子镜的当前姿态信息；将每个子镜利用智能体通过无线通信与其他子镜相连，并将每个子镜的当前姿态信息实时共享给与之相连的连接子镜，进而得到每个子镜的当前共享姿态信息；根据每个子镜的当前姿态信息及其当前共享姿态信息，确定每个子镜的当前动力学模型，进而得到每个子镜的下一时刻姿态信息；重复上述内容，直至每个子镜的当前姿态信息收敛到每个子镜的理想姿态信息，以此实现了子镜之间的信息共享和与连接子镜间的协同决策，提高了动态适应能力，满足子镜姿态和主镜面形的适应实时调整的需求。
-
公开(公告)号：CN118068877B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410230425.5
申请日：2024-02-29
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: G05D19/02
Abstract: 本发明涉及振动主动控制技术领域，具体提供一种基于无模型自适应的平台主动隔振方法及电子设备，通过无模型参考自适应控制，仅依赖被控系统实施的测量数据，无需对系统进行解耦。反馈控制用于抑制共振峰处振动放大，并最小化传感器噪声放大和保证鲁棒稳定性。为保证系统鲁棒性，在系统中人为增加主动阻尼降低了共振峰处峰值大小，不需要任何外在的测试信号和训练过程，避免了基于神经网络的非线性自适应控制，极大的降低了控制器成本。同时主动隔振算法结构简单利于实现，系统稳定性好，隔振效果佳，不需要辨识系统模型就可以进行调参，适用面广，利于工程应用，在振动控制领域具有较大的应用前景。
-
公开(公告)号：CN118610247A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410759164.6
申请日：2024-06-13
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/16
Abstract: 一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法，解决了现有石墨烯晶体管饱和电流低等难题。本发明的石墨烯场效应晶体管，包含：衬底；从下至上依次生长在衬底上的极化材料一、石墨烯、极化材料二和介电层，且极化材料一和极化材料二具有不同的极化强度或极化方向，极化材料二和介电层的尺寸均小于石墨烯，石墨烯顶面的两端裸露在外；分别固定在石墨烯顶面裸露的两端上的源金属电极和漏金属电极；以及，固定在介电层顶面上的栅金属电极。该石墨烯场效应晶体管优化了石墨烯晶体管的可操控性；提高了石墨烯的电流饱和度，改善了器件的最大电压增益和震荡频率，其制备方法保证了本征石墨烯的高载流子迁移率特性，为制备高性能石墨烯基器件奠定了重要基础。
-
公开(公告)号：CN118016613A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410100815.0
申请日：2024-01-24
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域。本发明提供了一种具备温度监测功能的紫外LED器件及其制备方法。本发明的紫外LED器件，其结区包括具有温度敏感特性的还原氧化石墨烯层，还原氧化石墨烯具有极好的温度敏感性，在使用时，LED器件电流随结温将实时发生变化，在标定还原石墨烯温度与电流的依赖关系后，即可根据还原石墨烯两端电极电流实时获得LED结区温度，从而提供给LED使用者安全使用LED的依据，获得更高效、更长使用寿命；本发明利用还原氧化石墨烯的温度敏感特性以及其原料丰富、成本低廉、工艺简单的优势，同时利用AlGaN宽禁带半导体制备紫外LED的优势，实现AlGaN紫外LED工作过程中实时监测有源区结温的功能。
-
公开(公告)号：CN117867467A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311789609.7
申请日：2023-12-22
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/448
Abstract: 本发明提出一种二维材料制备装置，具体涉及于半导体设备技术领域,二维材料制备装置包括供给机构和加热装置，其中：供给装置包括容纳盘，容纳盘内部设有多个反应腔，反应腔内部设有内嵌套管，内嵌套管与容纳盘固定连接，内嵌套管的顶部和底部设有导管，导管与内嵌套管连通；加热装置包括第一加热模块，第一加热模块设有两个，两个第一加热模块分别位于容纳盘的顶部和底部，本发明通过外部通入气体至内嵌管套内进行金属氧化和金属硫化反应，整个反应在容纳盘内部进行，可控性更强同时不容易出现堵塞的风险。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117739052A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410185633.8
申请日：2024-02-20
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明公开了内置于空间望远镜支撑桁架中的液体阻尼器，涉及空间望远镜支撑技术领域，包括设于桁架杆内部的上腔体和下腔体，上腔体和下腔体通过连接件的通孔相连，所述通孔被设置为阻尼孔，外部受到振动压迫时阻尼液能够通过阻尼孔在上腔体和下腔体中反复流动；桁架杆被配置为双层结构，且上下两端分别连接有上端盖和下端盖、共同形成支撑结构。本发明的内置于空间望远镜支撑桁架中的液体阻尼器结构简单，端盖与外管相连提供结构支撑，内置阻尼器包裹与外管以及端盖之中，阻尼器与外管并联、与端盖串联；外部振动通过端盖传递至阻尼器与外管，迫使阻尼器及外管发生伸缩运动，带动阻尼腔中的阻尼液流动，进而实现减振耗能。
-
公开(公告)号：CN116130541A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310064034.6
申请日：2023-01-14
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供的多色探测器及制备方法，包括：导电衬底、置于导电衬底上表面的宽禁带半导体雪崩放大光电探测结构层、置于宽禁带半导体雪崩放大光电探测结构层上表面的可见‑红外吸收层、置于可见‑红外吸收层上的透明电极及置于导电衬底下表面的底电极层，本申请提供的多色探测器，将宽禁带半导体的载流子雪崩性能与二维材料的可见和红外吸收相结合，利用二维材料作为吸收层，再通过外电场使得在二维材料中产生的光生载流子输运到宽禁带半导体中，实现倍增，获得高响应度可见‑红外探测；且在一个探测单元通过宽禁带半导体自身的雪崩倍增效应实现紫外倍增探测，利用二维材料结合宽禁带半导体倍增效应实现可见‑红外倍增探测，得到高性能多色探测器。
-
公开(公告)号：CN115976644A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211646481.4
申请日：2022-12-21
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供一种非晶衬底上高质量AlGaN材料的范德华外延方法，属于半导体技术领域。本发明的方法包括以下步骤：在非晶衬底上转移第一二维材料层并进行处理；在处理后的第一二维材料层上转移第二二维材料层并进行氢化钝化处理；通过范德华外延生长在第一二维材料层和第二二维材料层之间形成二维AlGaN材料预制层；通过同质范德华外延生长，采用两步法生长在第二二维材料层上形成三维AlGaN材料薄膜。本发明采用两层二维材料进一步缓解非晶衬底对外延层的影响，大幅降低应力与位错，提高晶体质量，为AlGaN基光电器件的大面积应用提供了帮助，具有工艺简单，效果显著，应用前景广阔等优点。
-
公开(公告)号：CN114678257A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210241364.3
申请日：2022-03-11
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L21/02 , C30B25/04 , C30B29/38 , H01L29/20 , H01L31/0304 , H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了一种基于金属衬底的氮化物模板，涉及半导体技术以及通信领域，包括：金属衬底、二维材料薄膜、惰性材料图形掩膜层和氮化物外延层；二维材料薄膜的表面经活化处理用于为氮化物材料的生长提供成核位点，并抑制高温外延过程的界面反应；惰性材料图形掩膜层实现氮化物材料的选区外延，进而实现横向过外延生长，降低所述氮化物外延层中的位错密度，提高外延层晶体质量。本发明还提供了上述模板的制备方法和应用，采用金属衬底/二维材料薄膜/惰性材料图形掩膜层的复合金属衬底结构，能够实现高质量、无应力氮化物材料的直接高温外延生长，使模板具有较高的可扩展性，适用于深紫外LEDs器件以及GaAs、InP等第二代半导体材料的外延与器件中。
-
公开(公告)号：CN112103305B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202010991401.3
申请日：2020-09-21
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供了基于微图案化石墨烯的Micro‑LED阵列及其制备方法、显示装置，该阵列包括：衬底；图案化石墨烯层，其阵列分布在衬底一侧；电子注入层，位于衬底靠近图案化石墨烯层一侧，电子注入层在衬底上投影位于相邻图案化石墨烯层之间；多量子阱层，位于电子注入层远离衬底一侧；空穴注入层，位于多量子阱层远离衬底一侧；n型接触电极，位于图案化石墨烯层远离衬底一侧；p型接触电极，位于空穴注入层远离衬底一侧。本发明Micro‑LED阵列，石墨烯良好的导电性还能够直接作为Micro‑LED的底电极，图案化石墨烯层与电子注入层之间接触形成良好的导电通路，实现电子由图案化石墨烯层到Micro‑LED的有效注入。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
67
records
(took 0.058 seconds)
