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公开(公告)号：CN117845324A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311594825.6
申请日：2023-11-27
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: C30B25/12 , C30B25/08 , C30B25/16 , C23C16/458 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供了一种MOCVD用托盘组件、反应腔、晶圆温度调控方法。本发明通过设置多个加热件，每个加热件可独立加热以控制托盘本体沿半径方向具有不同的温度分布，通过控制托盘本体的转速，进而使得晶圆在凹槽内朝沿靠近或远离托盘本体中心轴线方向移动，当晶圆在凹槽内移动到托盘本体不同半径处的位置，该半径位置的托盘本体处于设定的温度，此时该位置的托盘本体与晶圆进行热交换，由于晶圆质量小，该半径位置托盘本体已经处于设定温度，当晶圆移动到凹槽其它位置处，同样与该半径位置的托盘本体与晶圆进行热交换，因此可快速改变晶圆温度；本发明的托盘组件结构简单，操作方便，兼容目前主流MOCVD设备，具备广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117845187A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311686632.3
申请日：2023-12-08
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: C23C16/18 , C23C14/35 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供了一种用于观测流场的反应腔、观测流场的方法。本发明的用于观测流场的反应腔，包括喷淋头延伸杆、导气管、流场观测组件，利用喷淋头向反应腔体内通入第一惰性气体，利用导气管向反应腔体内通入第二惰性气体，由于第一惰性气体、第二惰性气体折射率不同，当平行光经过第一通气孔时，会使原本的光路发生偏折，经过凹面镜反射后不能汇聚到焦点处，而被挡板遮挡，在光学接收元件处形成纹影图像，利用该纹影图像即可以观测第一通气孔所喷淋气流的流场分布；本发明的反应腔，利用不同气体折射率差异导致光路偏折原理，可直观观测、模拟、调控半导体材料外延生长腔室气流分布，有利于半导体材料外延生长均匀性调控。
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公开(公告)号：CN117364060A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311316209.4
申请日：2023-10-11
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明提供了一种MOCVD反应腔、生长AlGaN薄膜的方法。本发明的MOCVD反应腔，包括气体喷淋头、托盘、电压源；电压源的分别与气体喷淋头、托盘电连接，通过电压源控制气体喷淋头、托盘之间的电压；在生长AlGaN薄膜过程中，利用电压源在气体喷淋头、托盘之间产生强电场，这个电场穿过晶圆从而改变AlGaN薄膜表面电极性，使Al原子更不容易被N原子吸附，进而提升Al原子迁移率。本发明可以在不大幅改变生长条件情况下快速改变AlGaN的生长模式，使AlGaN薄膜的表面更平整，位错密度更低，晶体质量更高；本发明的MOCVD反应腔，结构简单，操作方便，具有低成本高性能的优点，具备广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114395805B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202210025979.2
申请日：2022-01-11
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种反应腔系统，其包括反应腔本体，旋转系统，激光系统以及控制系统。旋转系统，激光系统以及控制系统可相互配合，控制系统接收旋转系统转速信息，并通过激光控制模组控制所述激光器及第一扫描器和第二扫描器，使所述工件在特定区域曝光。通过该系统可实现在工件平面内存在人为设置温度差异的功能，进而实现在平面内AlGaN材料组分调制。本发明还公开了一种上述反应腔系统来实现AlGaN组分调制的方法。
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公开(公告)号：CN116096208A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310064004.5
申请日：2023-01-14
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种长程铁磁性GaN材料及其制备方法和应用。本发明的制备方法，方波脉冲温度对应的低温为500～700℃，在低温沉积时在衬底形成堆垛失配闪锌矿GaN结构层，方波脉冲温度对应的高温为800～1000℃，在高温沉积时在堆垛失配闪锌矿GaN结构层上沉积形成纤锌矿结构的GaN层，并掩埋堆垛失配闪锌矿GaN结构层。本发明通过控制温度呈周期性方波脉冲变化，在GaN中形成具有长程铁磁序的堆垛失配晶界，不引入其它磁性杂质，对反应腔室不存在污染；对堆垛失配闪锌矿GaN结构的能带进行模拟，确认自旋极化性质存在，在此基础上，根据平均场近似，预测居里温度，确认在温度高于室温条件下，长程磁序仍能保持。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112242469B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202011137818.X
申请日：2020-10-22
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于石墨烯电极的垂直结构深紫外LED，属于深紫外LED技术领域，由下至上依次包括支撑衬底、石墨烯导电层、外延结构、金属接触电极；石墨烯导电层为单晶、单层石墨烯材料，同时作为外延结构生长的柔性衬底以及器件的n导电电极，石墨烯导电层与顶层p接触电极在c轴生长方向上相对应。本发明还提供了上述深紫外LED的制备方法，用光刻工艺在SiO2表面制备光刻胶掩膜，结合RIE+HF组合处理方式实现SiO2的图形化掩膜，仅在裸露石墨烯位置外延生长深紫外LED器件的独立结构单元。本发明的深紫外LED，能够有效避免传统LED电子横向输运产生的“电流拥堵”效应，提高器件的光输出功率。
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公开(公告)号：CN114695603A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011610434.5
申请日：2020-12-30
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供的深紫外LEDs制备方法，以过原位生长的图案化石墨烯作为深紫外LEDs的p接触层，同时利用原位掺杂方法调控石墨烯的能级，替代传统的紫外光吸收p‑GaN接触层材料，进而提高深紫外LEDs的光取出效率，本发明提供的深紫外LEDs制备方法为制备高功率、顶出射的深紫外LEDs提供了一种简便、可行的新方案。另外，本发明还提供了一种由上述制备方法制备得到的深紫外LEDs。
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公开(公告)号：CN112945379A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110147150.5
申请日：2021-02-03
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: G01J1/44
Abstract: 一种单光子探测器死时间设置与噪声滤除的系统涉及半导体技术领域，解决了死时间设置复杂并产生微分信号噪声的问题，包括搭载有探测芯片的淬灭电路模块、用于为探测芯片提供反向偏置电压偏压模块、信号放大模块、甄别模块、单稳模块、FPGA控制模块和死时间模块；信号放大模块用于放大探测芯片产生的雪崩信号；甄别模块用于在放大雪崩模拟信号大于甄别模块上的甄别阈值时输出数字脉冲信号；单稳模块用于统一数字脉冲信号的脉冲宽度得到雪崩数字脉冲信号；FPGA控制模块用于根据雪崩数字脉冲信号输出甄别器使能信号和死时间触发信号；死时间模块能够生成死时间信号。本发明能够优化单光子探测器的后脉冲效应，实现简单且能够滤除微分信号。
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公开(公告)号：CN112242469A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202011137818.X
申请日：2020-10-22
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于石墨烯电极的垂直结构深紫外LED，属于深紫外LED技术领域，由下至上依次包括支撑衬底、石墨烯导电层、外延结构、金属接触电极；石墨烯导电层为单晶、单层石墨烯材料，同时作为外延结构生长的柔性衬底以及器件的n导电电极，石墨烯导电层与顶层p接触电极在c轴生长方向上相对应。本发明还提供了上述深紫外LED的制备方法，用光刻工艺在SiO2表面制备光刻胶掩膜，结合RIE+HF组合处理方式实现SiO2的图形化掩膜，仅在裸露石墨烯位置外延生长深紫外LED器件的独立结构单元。本发明的深紫外LED，能够有效避免传统LED电子横向输运产生的“电流拥堵”效应，提高器件的光输出功率。
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公开(公告)号：CN112071965A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010993663.3
申请日：2020-09-21
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于重结晶孔洞的紫外LED的制备方法，属于半导体材料以及器件制备技术领域，包括步骤1：利用物理气相沉积法在衬底上沉积AlN层；步骤2：热处理AlN层，形成具有重结晶孔洞的AlN层；步骤3：在具有重结晶孔洞的AlN层上外延生长紫外LED器件结构，制备得到基于重结晶孔洞的紫外LED。本发明的基于重结晶孔洞的紫外LED的制备方法，通过高温热处理采用物理气相沉积法制备的AlN层形成重结晶孔洞，不需要光刻、刻蚀、或者引入其他材料掩膜的工艺，具有工艺简单、技术门槛低、省时、引入污染少的优点，可以在有效提高紫外LED器件光提取效率的同时，降低生产成本，更适用于大规模生产。
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