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公开(公告)号：CN118610247A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410759164.6
申请日：2024-06-13
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/16
Abstract: 一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法，解决了现有石墨烯晶体管饱和电流低等难题。本发明的石墨烯场效应晶体管，包含：衬底；从下至上依次生长在衬底上的极化材料一、石墨烯、极化材料二和介电层，且极化材料一和极化材料二具有不同的极化强度或极化方向，极化材料二和介电层的尺寸均小于石墨烯，石墨烯顶面的两端裸露在外；分别固定在石墨烯顶面裸露的两端上的源金属电极和漏金属电极；以及，固定在介电层顶面上的栅金属电极。该石墨烯场效应晶体管优化了石墨烯晶体管的可操控性；提高了石墨烯的电流饱和度，改善了器件的最大电压增益和震荡频率，其制备方法保证了本征石墨烯的高载流子迁移率特性，为制备高性能石墨烯基器件奠定了重要基础。
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公开(公告)号：CN113948604B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202111211405.6
申请日：2021-10-18
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种三维结构高增益AlGaN日盲紫外探测器，紫外探测技术领域，包括衬底，在衬底上依次生长的缓冲层、n‑AlGaN层、i‑AlGaN层、p‑AlGaN层；i‑AlGaN层和p‑AlGaN层位于器件的有源区之间的区域均被刻蚀掉，形成被分隔开的两部分p型有源区；还包括2个p型欧姆接触电极上电极，分别位于两部分p型有源区的p‑AlGaN层的上方，上电极与p‑AlGaN层形成欧姆接触；n‑AlGaN层作为基极连接两部分pin结构，形成p‑i‑n‑i‑p结构，光照下电子在所述n‑AlGaN层聚集，降低了所述n‑AlGaN层基极与p‑AlGaN层之间的势垒，引起空穴在p‑AlGaN层发射，产生增益。本发明还提供一种上述探测器的制备方法。本发明的探测器在具有高增益的同时，具有响应速度快的特性，性能优异、结构简单、制备方法简单、应用前景广泛。
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公开(公告)号：CN117881195A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311778817.7
申请日：2023-12-21
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种光读取存储器及其制备方法、存储器件。本发明的光读取存储器，利用稀土离子掺杂的BaTiO3薄膜层作为铁电功能层，利用施加在器件上的电压来实现不同的极化，在铁电极化过程中，先施加一个正电压的预极化，在需要写入“1”的区域施加大于矫顽场的正向电压；需要写入“0”的位置施加反向矫顽场电压，亮(黑)色区域分别表示铁电极化向上(没有极化)，不同极化状态下的器件发光不同，照片会呈现与之相对应的明暗区域，从而得到对应的两种存储状态。通过外加电场的调控，每个单元的存储状态都是“0”、“1”可调的，实现可擦写，进而实现信息存储，其在可逆非易失的光学器件、信息存储等领域的应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN116685194A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310834481.5
申请日：2023-07-07
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本申请提供的AlScN/nGaN异质结忆阻器及其制备方法，包括自下至上依次设置的衬底、氮化物成核层、氮化物外延层、n型氮化物底电极、AlScN铁电层及顶电极，以及与所述n型氮化物底电极接触的金属电极，AlScN作为一种新型氮化物铁电材料，兼具优异的铁电性能以及宽禁带半导体特性，结合AlScN材料的铁电极化对铁电/半导体异质结界面势垒的调控以及氮化物半导体中陷阱辅助的导电机制，在不改变AlScN铁电极化方向的基础上实现忆阻功能，实现非破坏性读取，并通过调控铁电极化的大小实现多级存储，且该忆阻器具有典型的双极性阻抗开关特性，开关比大于103，符合忆阻器的应用需求。该两端器件结构制备方法简单、性能稳定、且与主流的CMOS工艺具有更大的兼容性。
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公开(公告)号：CN116130541A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310064034.6
申请日：2023-01-14
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供的多色探测器及制备方法，包括：导电衬底、置于导电衬底上表面的宽禁带半导体雪崩放大光电探测结构层、置于宽禁带半导体雪崩放大光电探测结构层上表面的可见‑红外吸收层、置于可见‑红外吸收层上的透明电极及置于导电衬底下表面的底电极层，本申请提供的多色探测器，将宽禁带半导体的载流子雪崩性能与二维材料的可见和红外吸收相结合，利用二维材料作为吸收层，再通过外电场使得在二维材料中产生的光生载流子输运到宽禁带半导体中，实现倍增，获得高响应度可见‑红外探测；且在一个探测单元通过宽禁带半导体自身的雪崩倍增效应实现紫外倍增探测，利用二维材料结合宽禁带半导体倍增效应实现可见‑红外倍增探测，得到高性能多色探测器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112103305B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202010991401.3
申请日：2020-09-21
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供了基于微图案化石墨烯的Micro‑LED阵列及其制备方法、显示装置，该阵列包括：衬底；图案化石墨烯层，其阵列分布在衬底一侧；电子注入层，位于衬底靠近图案化石墨烯层一侧，电子注入层在衬底上投影位于相邻图案化石墨烯层之间；多量子阱层，位于电子注入层远离衬底一侧；空穴注入层，位于多量子阱层远离衬底一侧；n型接触电极，位于图案化石墨烯层远离衬底一侧；p型接触电极，位于空穴注入层远离衬底一侧。本发明Micro‑LED阵列，石墨烯良好的导电性还能够直接作为Micro‑LED的底电极，图案化石墨烯层与电子注入层之间接触形成良好的导电通路，实现电子由图案化石墨烯层到Micro‑LED的有效注入。
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公开(公告)号：CN112822351B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202011579584.4
申请日：2020-12-28
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于DMD与AlGaN基多元紫外探测器的成像装置，属于半导体技术领域，包括紫外光学透镜、DMD、DMD控制模块、AlGaN基多元紫外探测器、信号处理模块、数据采集模块、图像重建模块；所述DMD控制模块与所述DMD、所述信号处理模块、所述数据采集模块电性连接，所述数据采集模块还与所述图像重建模块电性连接。本发明还提供一种基于DMD与AlGaN基多元紫外探测器的成像方法。本发明的基于DMD与AlGaN基多元紫外探测器的成像装置及成像方法，利用DMD与多元AlGaN基紫外探测器结合使用实现高分辨率紫外成像，利用DMD成像机理，解决了传统AlGaN面阵高分辨率成像盲元率高的问题，并且利用多元AlGaN探测器，解决了单管高分辨率成像中成像时间长的问题。
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公开(公告)号：CN112822351A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011579584.4
申请日：2020-12-28
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于DMD与AlGaN基多元紫外探测器的成像装置，属于半导体技术领域，包括紫外光学透镜、DMD、DMD控制模块、AlGaN基多元紫外探测器、信号处理模块、数据采集模块、图像重建模块；所述DMD控制模块与所述DMD、所述信号处理模块、所述数据采集模块电性连接，所述数据采集模块还与所述图像重建模块电性连接。本发明还提供一种基于DMD与AlGaN基多元紫外探测器的成像方法。本发明的基于DMD与AlGaN基多元紫外探测器的成像装置及成像方法，利用DMD与多元AlGaN基紫外探测器结合使用实现高分辨率紫外成像，利用DMD成像机理，解决了传统AlGaN面阵高分辨率成像盲元率高的问题，并且利用多元AlGaN探测器，解决了单管高分辨率成像中成像时间长的问题。
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公开(公告)号：CN110993737B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201911273385.8
申请日：2019-12-12
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/153 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供一种AlGaN基同质集成光电子芯片的制备方法，包括：选择C面具有斜切角的图形化衬底，所述斜切角的角度大于0.1°且小于90°；在图形化衬底上外延生长AlN模板；在AlN模板上生长AlGaN基器件结构；对图形化衬底上外延生长的AlGaN材料翼区以及台面区进行定位；在相应区域制备光探测器件、发光器件以及光波导结构，得到AlGaN基同质集成光电子芯片。上述方法可以提高电子芯片的工作效率。
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公开(公告)号：CN112599620A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011472265.3
申请日：2020-12-14
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/0312 , H01L31/118 , H01L31/18 , G01T3/08
Abstract: 本发明提供一种中子辐射探测器，器件结构包括：导电碳化硅衬底、制备于导电碳化硅衬底上的非掺SiC本征外延层、制备于SiC本征外延层上的肖特基电极、制备于肖特基电极上的BN层以及制备于导电碳化硅衬底下表面的欧姆电极；所述BN层为中子转换层，中子与BN层中的B的同位素10B发生反应形成Alpha粒子；所述非掺SiC本征外延层为Alpha粒子探测层，Alpha粒子在所述非掺SiC本征外延层中产生电子‑空穴对，在外加偏压下形成信号电流，最终实现中子探测。利用BN为中子转化层，实现中子向Alpha粒子的转换。再利用碳化硅对Alpha粒子的高分辨能力，最终实现中子的有效探测。
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