A/D转换器和固态成像装置
    51.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103001642B

    公开(公告)日:2015-12-02

    申请号:CN201210334942.4

    申请日:2012-09-11

    CPC classification number: H04N5/378 G02F7/00 H04N5/37455

    Abstract: 本公开涉及A/D转换器和固态成像装置。具体提供了一种A/D转换器,该A/D转换器包括:输入端子;用于供给随时间改变的基准信号的基准信号线;比较器;与比较器的反相输入端子连接的校正电容器;和输出与输入到输入端子的模拟信号对应的数字数据的输出电路。在其中在第一模拟信号和比较器的偏移电压的总电压保持在校正电容器中的第一状态中,被输入到输入端子的第二模拟信号被供给到比较器的非反相输入端子,并且第二模拟信号或总电压通过使用基准信号改变,由此从输出电路输出数字数据。

    固态成像设备和成像系统
    52.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104796633A

    公开(公告)日:2015-07-22

    申请号:CN201510016332.3

    申请日:2015-01-13

    Abstract: 本发明涉及固态成像设备和成像系统。一种固态成像设备包括:用于产生像素信号的矩阵形式的像素;以及A/D转换单元,与所述矩阵的列对应,以便将像素信号转换成n比特数字值。A/D转换单元包括用于逐个比特地存储n比特数字值的第一存储单元(150),以及与第一存储单元对应的第二存储单元(160),以便保持从第一存储单元传送的数字值。在多个像素的每一列中,与其对应地布置的是,第一存储单元和第二存储单元形成n个对。包括第一存储单元和第二存储单元的每一对保持同一个比特的数字值。以矩阵的形式排列所述n个对。

    固态成像装置及其驱动方法

    公开(公告)号:CN102984470A

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN201210318902.0

    申请日:2012-08-31

    CPC classification number: H04N5/378 H04N5/3598

    Abstract: 一种固态成像装置及其驱动方法。该固态成像装置包括:被二维地布置为矩阵的多个像素,适于生成斜坡信号的基准信号生成电路,适于根据斜坡信号的输出执行计数操作的计数器电路,被以列为基础布置并适于把从像素读出的信号与斜坡信号相比较的比较器,以及被以列为基础布置并适于存储数字数据的存储器,其中如果比较器的输出在AD转换时段期间不改变,那么预定值的数字数据被存储到存储器中。该固态成像装置使用简化的电路配置来实现溢出处理。

    光电转换设备和使用光电转换设备的图像拾取系统

    公开(公告)号:CN101119447B

    公开(公告)日:2011-06-01

    申请号:CN200710138382.4

    申请日:2007-08-01

    CPC classification number: H04N5/3741 H04N5/3658 H04N5/3698

    Abstract: 本发明涉及一种光电转换设备和使用光电转换设备的图像拾取系统。该光电转换设备包括光电转换区域,该光电转换区域包括被二维布置的下列组成元件:多个光电转换元件被布置为将入射光转换为电荷,多个放大单元被布置为读取基于相应光电转换元件的电荷的信号,并将该信号提供给输出线路,多个传送单元被布置为将该相应光电转换元件的电荷传送给相应放大单元的输入单元,并且多个电压供给单元被布置为将用于将相应输入单元设定为至少具有第一和第二电位的电压提供给所述相应输入单元,并且该光电转换设备还包括多个电压供给控制电路,其被布置为将电压提供给多个电压供给单元中的相应电压供给单元。

    光电转换器件的制造方法
    57.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101609813A

    公开(公告)日:2009-12-23

    申请号:CN200910151873.1

    申请日:2007-08-02

    Abstract: 本发明公开光电转换器件的制造方法,该器件包括:光电转换区域,具有多个光电转换元件和响应每个光电转换元件的电荷读取信号的第一MOS晶体管;外围电路区域,具有驱动第一MOS晶体管和/或放大从光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管,光电转换区域和外围电路区域位于同一半导体衬底上。该方法包括:形成第一和第二MOS晶体管的栅电极;用栅电极作为掩模注入第一导电类型杂质离子;形成绝缘膜以覆盖光电转换区域和外围电路区域;在通过掩模保护光电转换区域上的绝缘膜时,通过回蚀刻去除外围电路区域上的绝缘膜,并形成第二MOS晶体管的侧面间隔件;用光电转换区域上的绝缘膜和侧面间隔件作为掩模,注入第一导电类型杂质离子。

    半导体器件和固体摄象器件的制造方法

    公开(公告)号:CN1495855A

    公开(公告)日:2004-05-12

    申请号:CN03158585.X

    申请日:2003-09-19

    CPC classification number: G03F7/70425 G03F7/70466 H01L27/146

    Abstract: 在存在着具有跨越和不跨越连接位置的区域的布线层的半导体器件中,由于在用连接曝光形成具有跨越连接位置的区域的布线层时,考虑对准裕度进行图形形成,故比起用成批曝光工艺形成的情况来,在布线宽度、布线间间隔方面是不利的。在具有多个布线层的半导体器件的制造方法中,其特征在于:第1布线层,采用把所希望的图形分割成多个,把上述分割后的图形彼此连接起来进行曝光的办法进行图形形成,第2布线层,采用用成批曝光工艺的办法进行图形形成。

    光电转换装置、A/D转换器和装备
    59.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114866708A

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202210096943.3

    申请日:2022-01-27

    Abstract: 本公开涉及光电转换装置、A/D转换器和装备。光电转换装置包括被配置为将光转换成电信号的光接收电路、被配置为读出与电信号对应的模拟信号的读出电路、被配置为将模拟信号转换成数字信号的ΔΣA/D转换器,以及被配置为根据光电转换装置的驱动模式的改变来改变光电转换装置的增益的控制电路。由读出电路读出的模拟信号为模拟电流信号。读出电路包括用于向ΔΣA/D转换器供应模拟电流信号的信号路径上的可变电阻器。控制电路通过改变可变电阻器的电阻值来改变光电转换装置的增益。

    图像拾取设备、图像捕获系统和可移动体

    公开(公告)号:CN108243314B

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN201711438490.3

    申请日:2017-12-27

    Abstract: 一种图像拾取设备、图像捕获系统和可移动体。根据实施例的图像拾取设备包括:像素,每个像素被配置为输出基于在光电转换单元中产生的电荷的模拟信号;以及控制单元,被配置为根据模拟信号的信号值将施加到模拟信号的增益控制为至少第一增益和大于第一增益的第二增益。每个像素输出基于在第一曝光时段和短于第一曝光时段的第二曝光时段中在光电转换单元中产生的电荷的第一信号和第二信号作为模拟信号。控制单元通过对于第一信号和第二信号中的至少一个根据信号值从第一增益和第二增益中选择一个来控制施加到模拟信号的增益。

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