公开(公告)号：CN103703573A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201280034301.5

申请日：2012-07-11

申请人： 新成像技术公司

发明人： Y·倪

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/103 ,  H01L31/042

CPC分类号： H01L27/14654 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/1465 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14694 ,  H01L31/1035 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及InGaAs光电二极管阵列（101）并且涉及用于制造InGaAs光电二极管阵列（101）的方法，其中所述阵列包括：阴极，所述阴极包括至少一个磷化铟衬底层（4）和有源铟镓砷化物层（5）；以及多个阳极（3），所述多个阳极（3）通过扩散P型掺杂剂至少部分地形成于所述有源铟镓砷化物层中，阳极（3）和阴极之间的相互作用形成光电二极管。根据所述方法，在形成所述阳极（3）的P型掺杂剂的扩散之前在有源层上设置磷化铟钝化层（6），以及执行第一选择性蚀刻以在其整个厚度上去除钝化层（6）的包围每个阳极（3）的区域（10）。

公开(公告)号：CN102856429A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210219570.0

申请日：2012-06-27

申请人： 法国红外探测器公司 ,  国家科学研究中心

发明人： 克里斯托夫·波泰 ,  阿诺·埃切伯里 ,  亚历山大·考西耶 ,  伊莎贝尔·热拉尔

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L27/1465 ,  H01L27/14696 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/1832 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50

摘要： 一种用于移除电磁辐射探测电路的生长衬底的方法，所述电磁辐射特别是在红外范围或可见光范围内的电磁辐射，所述探测电路包括由通过液相外延或气相外延或通过分子束外延而获得的Hg(1-x)CdxTe制成的探测所述辐射的层，所述探测电路混接在读取电路上。该方法包括：使生长衬底经受机械抛光或化学-机械抛光步骤或化学蚀刻步骤以减小其厚度，直至探测电路的材料与生长衬底之间的界面区域；以及使由此获得的界面经受碘处理。

公开(公告)号：CN1407619A

公开(公告)日：2003-04-02

申请号：CN02127289.1

申请日：2002-07-31

申请人： 艾格瑞系统监控公司

发明人： 保罗·A·雷曼 ,  约翰·R·麦克马根

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L27/1465 ,  H01L24/81 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00

摘要： 一种把第一集成电路制备结构上的间距紧密的多个电气元件和第二集成电路制备结构上的工作电路相连的互连结构。在一个实施例中，第一集成电路制备结构包括多个光敏器件。第一集成电路制备结构上的导电互连元件提供单个光敏器件和第二集成电路制备结构上的工作电路之间的电连接。

公开(公告)号：CN102714212B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201080058034.6

申请日：2010-12-22

申请人： 佳能株式会社

发明人： 远藤信之 ,  板野哲也 ,  山崎和男 ,  渡边杏平 ,  市川武史

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/1465

摘要： 本发明涉及固态图像拾取装置。所述装置包括：第一衬底，包括光电转换元件和被配置为从所述光电转换元件传输电荷的传输栅电极；第二衬底，具有外围电路部分，所述外围电路部分包括被配置为读取基于所述光电转换元件中产生的电荷的信号的电路；所述第一衬底和所述第二衬底被层叠。所述装置进一步包括布置在所述第一衬底上的包括铝互连的多层互连结构和布置在所述第二衬底上的包括铜互连的多层互连结构。

公开(公告)号：CN102656693B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201080056461.0

申请日：2010-12-13

申请人： 佳能株式会社

发明人： 山崎和男 ,  板野哲也 ,  远藤信之 ,  渡边杏平

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14609 ,  H01L27/1465

摘要： 固态图像拾取装置包括包含光电转换单元、FD和传送晶体管的像素区域、复位晶体管、放大器晶体管和用于将基准电压供给至光电转换单元的基准电压供给线。在所述装置中，像素区域和基准电压供给线被设置在第一半导体基板上，并且，至少复位晶体管或放大器晶体管被设置在第二半导体基板上。并且，用于将电压供给至基准电压供给线的电源线被设置在第二半导体基板上。所述装置还包括电连接基准电压供给线与电源线的第二电连接单元。第一电连接单元被设置在像素区域中，而第二电连接单元被设置在像素区域之外。

公开(公告)号：CN1757116A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200480006149.5

申请日：2004-03-03

申请人： 原子能委员会

发明人： 希里尔·圭得贾 ,  诺贝特·穆西

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01L27/1465 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/022408

摘要： 本发明涉及检测像素矩阵以及光电检测器，该光电检测器包括检测像素矩阵和由该矩阵的检测像素检测的负载的读取电路(17)。该检测像素包括具有第一表面和第二表面的光敏半导体区(22)，其中所述第一表面由第一电极(26)覆盖，所述第二表面位于所述第一表面的相对端且由第二电极(20；21)覆盖；所述第一电极(26)包括能够收集由检测像素产生的电负载的金属图样。本发明例如被应用来形成在扫描仪、光电装置和数码相机中使用的传感器。

公开(公告)号：CN106575629A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580035431.4

申请日：2015-07-06

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 川上信之 ,  林和志 ,  钉宫敏洋 ,  越智元隆

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L22/12 ,  G01R31/2656 ,  H01L22/14 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/1465 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明提供对氧化物半导体薄膜及在该氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质、以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法能够准确且简便地进行评价的方法。本发明涉及的氧化物半导体薄膜及在上述氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质评价方法具有：第1步骤，在基板上形成氧化物半导体薄膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜的膜中缺陷引起的不良；和第2步骤，在利用基于上述评价确定的条件进行处理后的氧化物半导体薄膜的表面上形成保护膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜与上述保护膜的界面缺陷引起的不良。

公开(公告)号：CN106471798A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201580036072.4

申请日：2015-11-23

申请人： 谷歌公司

发明人： 温宗晋 ,  B.福勒

IPC分类号： H04N5/355 ,  H04N5/3745 ,  H04N9/04 ,  H04N13/02 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/1465 ,  G01S7/4816 ,  G01S7/4914 ,  G01S17/89 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14641 ,  H04N5/33 ,  H04N5/332 ,  H04N5/35572 ,  H04N5/3742 ,  H04N5/37457 ,  H04N5/378 ,  H04N9/045 ,  H04N13/271

摘要： 描述了一种图像传感器。图像传感器包括具有包括可见光光电二极管和红外光电二极管的单元信元的像素阵列。可见光光电二极管和红外光电二极管联接到像素阵列的特定列。单元信元具有联接到可见光光电二极管的第一电容器，以存储来自每个可见光光电二极管的电荷。单元信元具有读出电路以在特定列上提供第一电容器的电压。单元信元具有第二电容器，其通过传输门晶体管联接到红外光电二极管，以在飞行时间曝光期间从红外光电二极管接收电荷。单元信元具有联接到红外光电二极管的背漏晶体管。

公开(公告)号：CN102446936B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201110301665.2

申请日：2011-09-27

申请人： 索尼公司

发明人： 坂野赖人

IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/374

CPC分类号： H01L27/14649 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/1465 ,  H01L27/14683 ,  H01L31/108 ,  H01L31/1085

摘要： 本发明公开一种固态成像装置及其制造方法以及电子设备。该固态成像装置包括：半导体层，包括接收入射光且产生信号电荷的光电转换部分；以及光吸收部分，用于吸收透过所述光电转换部分且波长长于所述光电转换部分吸收的光的波长的透射光，该透射光包括在所述入射光中，该光吸收部分设置在该半导体层的一个表面相反侧的该半导体层的另一个表面侧，所述入射光入射在该半导体层的该一个表面上。

公开(公告)号：CN101471370A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810188812.8

申请日：2008-12-26

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 沈喜成 ,  金升炫 ,  黄俊 ,  金光洙 ,  韩镇洙

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L27/14692 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1465

摘要： 本发明的实施例涉及图像传感器及其制造方法。根据实施例，图像传感器包括：电路、第一衬底、光电二极管、金属互联件以及电学结区域。电路和金属互联件可以在第一衬底上面和/或上方形成。光电二极管可以与金属互联件接触，并可以在第一衬底上面和/或上方形成。电路可以包括在第一衬底上面和/或上方的电学结区域，以及在电学结区域上面和/或上方并与金属互联件相连接的第一传导型区域。根据实施例，图像传感器及其制造方法可以提供电路和光电二极管的竖直结合。