公开(公告)号：CN110488172B

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN201910628381.0

申请日：2019-07-12

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 张雷 ,  李尧圣 ,  杜玉杰 ,  李金元 ,  杨晓亮 ,  刘颖含 ,  张祎慧 ,  张西子

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明公开了一种大功率IGBT结温检测电路、系统及方法，结温检测电路包括：阻断漏电流‑结温检测电路和导通压降‑结温检测电路，阻断漏电流‑结温检测电路用于进行不同温度下被测IGBT器件的阻断漏电流‑结温检测标定；导通压降‑结温检测电路用于进行不同温度下被测IGBT器件导通压降‑结温检测标定，本发明提供的大功率IGBT结温检测电路、系统及方法，可以作为大功率IGBT器件开关全工况的阻断漏电流‑结温检测或导通压降‑结温检测，也可以对两种不同的检测方式进行对比测试，其过程不需改变安装条件，可自动完成测试，简单易行高效。

公开(公告)号：CN107765160B

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201710756098.7

申请日：2017-08-29

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 王鹏 ,  李金元 ,  李尧圣 ,  崔梅婷 ,  吴鹏飞 ,  陈中圆 ,  张雷

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明提供了一种IGBT器件的测试电路及测试方法，其中，测试电路包括电流源(1)、电感(2)、第一开关(3)、第一电压源(4)、待测IGBT器件(5)、第一吸收电路(6)和过电压限制装置(7)，其中：电流源(1)的正极通过电感(2)连接第一开关(3)的一端，第一开关(3)另一端连接待测IGBT器件(5)的集电极；第一电压源(4)的正极连接待测IGBT器件(5)的栅极，第一电压源(4)的负极连接电流源(1)的负极；待测IGBT器件(5)的发射极连接电流源(1)的负极；第一吸收电路(6)与过电压限制装置(7)并联在待测IGBT器件(5)的集电极和发射极之间。这种IGBT器件的测试电路所需要的测试设备成本低、体积小及测试操作可靠性高。

公开(公告)号：CN111081642A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201911064150.8

申请日：2019-11-04

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  华北电力大学

发明人： 杨霏 ,  孙鹏 ,  张文婷 ,  田丽欣 ,  杜玉杰 ,  李金元 ,  赵志斌

IPC分类号： H01L23/02 ,  H01L23/04 ,  H01L23/16 ,  H01L23/367

摘要： 本发明提供一种压接型功率器件封装结构和封装方法，封装结构包括分体式管壳和位于分体式管壳内部的压接型功率器件；分体式管壳包括上封接件(2)和下封接件(1)，所述上封接件(2)和下封接件(1)之间形成密闭腔体；压接型功率器件(5)下表面与下封接件(1)的底部固定，其上表面上封接件(2)的底部固定；分体式管壳内充斥绝缘介质。本发明采用绝缘油或者绝缘气体作为绝缘介质，能够通过绝缘介质提高了功率器件的耐压能力；上封接件和下封接件通过冷压焊接形式固定，在管壳内部形成了密封腔体，大大提高了分体式管壳的密封性能和绝缘可靠性；本发明还提高了封装结构的散热性能和散热效率。

公开(公告)号：CN110828433A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910941745.0

申请日：2019-09-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 杜玉杰 ,  李金元 ,  张雷 ,  任慧鹏 ,  陈中圆

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L23/14 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488

摘要： 本发明提供一种弹性压接封装结构，包括子单元(1)、外壳(2)、栅极电路板(3)和发射极铜板(4)；子单元(1)位于外壳(2)的内部，所述栅极电路板(3)位于子单元(1)底部，外壳(2)和栅极电路板(3)均固定在发射极铜板(4)上；子单元(1)包括半导体功率器件(6)和定位框架(12)，所述定位框架(12)位于半导体功率器件(6)外侧，不仅可靠性高，且能够满足高电压等级封装需求。本发明利用对半导体功率器件的双面焊接或烧结技术配合绝缘介质完成对半导体功率器件的灌封保护，通过爬电距离和电气间隙的设计满足弹性压接封装结构20kV绝缘配合，能够根据电流等级选择子单元个数，设计灵活性高，通用性好且易于加工。

公开(公告)号：CN109473422A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811153245.2

申请日：2018-09-29

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 李金元 ,  吴鹏飞 ,  李尧圣 ,  王鹏 ,  崔梅婷

IPC分类号： H01L23/64 ,  G01R19/00

摘要： 本发明涉及压接器件技术领域，具体公开了一种压接器件的封装结构和电流测试方法，封装结构包括设置于电路板上的若干压接芯片，所述电路板的外围设置有若干错位过孔，导电线沿错位方向依次绕制于各所述错位过孔形成罗氏线圈。一方面，可以通过罗氏线圈对电路板上的压接芯片进行电流检测；另一方面，罗氏线圈相当于直接设置于电路板内部，减小了罗氏线圈所占用的空间，无需扩大整个压接器件的封装结构的尺寸，仍然能够保证压接器件整体的高功率密度。另外，由于罗氏线圈是直接设置于电路板内部的，因此无需对罗氏线圈进行装配，使用非常方便。

公开(公告)号：CN109412441A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811168432.8

申请日：2018-10-08

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网河北省电力公司 ,  北京交通大学

发明人： 崔梅婷 ,  李金元 ,  孙帅 ,  黄先进 ,  陈中圆 ,  杜玉杰 ,  张西子 ,  杨晓亮 ,  孙辰军

IPC分类号： H02M7/483 ,  H02M7/5387

CPC分类号： H02M7/483 ,  H02M7/5387

摘要： 本发明实施例提供了一种基于逆阻型IGBT的T型三电平拓扑的MMC控制方法，其中，MMC的子模块为基于逆阻型IGBT的T型三电平拓扑结构，该控制方法包括：根据第一三角载波和正弦调制波，生成MMC的子模块中各开关管的PWM驱动脉冲；对MMC的子模块中各开关管的PWM驱动脉冲进行分割，得到分割后的各开关管的PWM驱动脉冲；将分割后的各开关管的PWM驱动脉冲输入各MMC的子模块中，当PWM驱动脉冲为高电平时，控制开关管导通，当PWM驱动脉冲为低电平时，控制开关管关断。通过本发明实施例提供的控制方法,提高了输出电压的等效开关频率，改善了输出电压的波形，得到的输出电压的正弦度好，且谐波含量低。

公开(公告)号：CN108766941A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810325602.2

申请日：2018-04-12

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 杜玉杰 ,  崔梅婷 ,  李金元 ,  李尧圣

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/492 ,  H01L25/18 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/4924 ,  H01L29/1608

摘要： 本发明提供一种压接型SiC混合模块封装结构，设置有若干个SBD子模块，SBD子模块内部设置有采用SiC制成的第一芯片。碳化硅器件的击穿电压是硅器件的10倍，电流密度是其4倍，工作频率是其10倍，开关损耗可以降低20％‑70％，因此通过由碳化硅制成的SBD子模块，其自身反向恢复电流小，关断过程快，开关损耗小。同时，通过碳化硅制成的芯片，芯片尺寸得到了降低，从而提高了SBD子模块的功率密度。

公开(公告)号：CN107783021A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710795463.5

申请日：2017-09-06

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 张雷 ,  李金元 ,  潘艳 ,  崔梅婷

IPC分类号： G01R31/26

CPC分类号： G01R31/2619

摘要： 本发明提供一种用于压接型IGBT器件功率循环试验的测试模块，包括：测试组件，所述测试组件包括多组彼此并联设置的待测器件；循环水系统上设有多组分别与每个所述待测器件相连接的冷却水组件，每组所述冷却水路分别对与其相连接的待测器件进行冷却。多个待测器件之间并联设置，且每个待测器件上均连接有独立的冷却水组件，多个待测器件之间的冷却过程互不干扰，有效地防止了现有技术中多个待测器件的冷却水之间串联设置造成的冷却能力不足的问题发生，可有效提高测试效率。

公开(公告)号：CN106546895A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610893731.2

申请日：2016-10-13

申请人： 全球能源互联网研究院

发明人： 王鹏 ,  李金元 ,  潘艳 ,  温家良 ,  周细文 ,  谈浩楠 ,  崔梅婷

IPC分类号： G01R31/26

CPC分类号： G01R31/2632

摘要： 本发明提供了一种二极管浪涌性能测试电路及其控制方法，所述测试电路包括充电单元、RC谐振单元、整流单元和被测二极管；RC谐振单元包括串联的电容组和电感组，充电单元包括串联的电源和充电开关；RC谐振单元、整流单元和被测二极管分别并联；充电单元与电容组并联；所述方法包括：闭合充电开关，电源向电容组充电：当电容组的电压达到其预置值后断开充电开关；控制RC谐振单元向被测二极管输出浪涌电流；控制整流单元对浪涌电流整流进行浪涌测试；当浪涌测试完成后闭合反压测试开关进行耐压测试。与现有技术相比，本发明提供的一种二极管浪涌性能测试电路及其控制方法，能够向被测二极管持续输出正向浪涌电流，以测试被测二极管的重复浪涌性能。

公开(公告)号：CN108630649B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN201810712859.3

申请日：2018-06-29

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 李金元 ,  崔磊 ,  张璧君 ,  吴鹏飞 ,  金锐 ,  潘艳 ,  温家良 ,  吴军民 ,  田丽欣

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

摘要： 本发明提供了一种半导体器件封装结构及封装方法，该半导体器件封装结构，包括：第一电极片；第二电极片，与所述第一电极片相对设置；半导体器件芯片，设置在所述第一电极片和第二电极片之间；以及导电弹性部件，设置在所述半导体器件芯片与所述第一电极片之间和/或所述半导体器件芯片与所述第二电极片之间。该封装结构通过在半导体器件芯片与电极片之间设置导电弹性部件，通过该导电弹性部件缓冲并释放封装时施加在所述功率半导体器件芯片上的应力，有效保护功率半导体器件芯片不因局部受力过大而损坏，有效提高器件封装的可靠性，获得良好的封装和器件性能。