公开(公告)号：CN110660668B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN201910828209.X

申请日：2019-09-03

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 高明超 ,  金锐 ,  王耀华 ,  刘江 ,  温家良 ,  潘艳 ,  吴军民 ,  冷国庆 ,  赵哿

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739

摘要： 本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在衬底的背面形成第一导电类型半导体层，在衬底的正面形成MOS结构；在第一导电类型半导体层上形成间隔设置的沟槽；在沟槽中形成第一部分第二导电类型集电区；在第一导电类型半导体层和沟槽中形成第二部分第二导电类型集电区，第一部分第二导电类型集电区和第二部分第二导电类型集电区构成第二导电类型集电区。通过实施本发明，在IGBT的集电区增加沟槽式设计，该沟槽结构可以使得该IGBT在工作时保持有源区具有足够的载流子浓度，降低终端区载流子浓度，从而优化集电区注入效率，提高器件的反偏安全工作区。该沟槽结构更有利于金属的粘附，可以优化背面集电极表面金属结构。

公开(公告)号：CN111368464B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202010340549.0

申请日：2020-04-26

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 林仲康 ,  潘艳 ,  韩荣刚 ,  唐新灵 ,  吴军民 ,  金锐 ,  张朋 ,  李现兵 ,  王亮

IPC分类号： G06F30/20 ,  G06F115/12

摘要： 本发明公开一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置，所述方法包括：将所述功率半导体器件划分为多个芯片位置；获取所述功率半导体器件中每个所述芯片位置对应的综合应力数据，所述综合应力数据包括电气应力数据、热应力数据和压力应力数据；获取多个候选芯片中每个所述候选芯片的综合极限数据，所述综合极限数据包括电气极限数据、热极限数据和压力极限数据；将多个目标芯片随机与所述多个芯片位置相匹配，所述目标芯片是综合极限数据大于对应芯片位置处的综合应力数据的候选芯片；计算所述多个目标芯片的综合极限数据和所述多个芯片位置对应的综合应力数据的误差；随机更换所述多个目标芯片，以确定使所述误差最小的最佳目标芯片。

公开(公告)号：CN106816463B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN201710029590.4

申请日：2017-01-16

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 崔磊 ,  温家良 ,  金锐 ,  徐哲 ,  王耀华 ,  高明超 ,  赵哿 ,  刘江 ,  朱涛 ,  和峰 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/40

摘要： 本发明提供了一种终端结构、半导体器件及其制备方法，所述终端结构包括正面终端结构，其设置在衬底的正面；正面终端结构包括多个具有第一导电类型的第一场环、多个具有第二导电类型的第二场环和多个场板；背面终端结构，其设置在衬底的背面；背面终端结构包括多个具有第一导电类型的第三场环和多个具有第二导电类型的第四场环。与现有技术相比，本发明提供的一种终端结构、半导体器件及其制备方法，可以在不改变半导体器件的芯片面积的情况下提高终端结构的击穿电压耐受能力。

公开(公告)号：CN113725293A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110792613.3

申请日：2021-07-14

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 高明超 ,  金锐 ,  王耀华

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供一种功率半导体器件终端、终端的制备方法及功率半导体器件，终端具有第一导电类型的第一半导体层；具有第一导电类型的第二半导体层，所述第二半导体层位于第一半导体层下表面，且第二半导体层掺杂浓度高于第一半导体层；具有第二导电类型的第三半导体层，所述第三半导体层位于第二半导体层下方；具有第一导电类型的至少一个半导体区域，所述半导体区域掺杂浓度高于第二半导体层。本发明中的半导体区域可减少终端区从第二电极向第一电极的载流子注入，而不影响有源区从第二电极向第一电极的载流子注入。

公开(公告)号：CN113675256A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202010409949.2

申请日：2020-05-15

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 ,  电子科技大学

发明人： 金锐 ,  刘江 ,  吴军民 ,  高明超 ,  张金平 ,  张波

IPC分类号： H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种高压功率半导体器件复合终端，包括：元胞结构和位于所述元胞结构边缘的终端结构，所述终端结构包括多个沟槽结构和多个半导体层(9)，所述沟槽结构底部具有场限环结构，所述多个半导体层(9)相间设置于所述沟槽结构间，所述元胞结构包括沟槽栅结构，所述沟槽栅结构位于所述多个沟槽结构的一侧，所述沟槽栅结构与所述沟槽结构通过同步工艺制作，本发明有效解决了传统浮空场限环终端结构长时间的热推结过程造成的芯片翘曲，从而使得芯片制造简单，制造成本低。

公开(公告)号：CN111524796A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010238731.5

申请日：2020-03-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网北京市电力公司

发明人： 张红丹 ,  焦倩倩 ,  刘瑞 ,  吴昊 ,  李玲 ,  赛朝阳 ,  吴军民 ,  金锐 ,  汤广福

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L21/265 ,  H01L21/311

摘要： 本发明提供一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其的处理方法，在所述碳化硅外延片正面和背面分别淀积介质层；对碳化硅外延片正面的介质层进行刻蚀，之后去除碳化硅外延片背面的介质层；对刻蚀完的碳化硅外延片正面进行离子注入。本发明大大减小了碳化硅外延片的翘曲度，且降低了拒片率，提高了光刻工艺精度和离子注入加工精度，降低了离子注入的拒片率和碎片率，大大提高了碳化硅外延片的精度和合格率；在碳化硅外延片正面和背面分步形成各自的介质层，抵消了碳化硅外延片正面直接淀积介质层带来的材料应力，为碳化硅外延片的翘曲度的改善提供基础；成本低，效率高，适用于多种规格的碳化硅外延片。

公开(公告)号：CN111505018A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN202010322087.X

申请日：2020-04-22

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 汤广福 ,  潘艳 ,  吴军民 ,  金锐 ,  吴昊 ,  李嘉琳 ,  张红丹 ,  李玲 ,  阎海亮

IPC分类号： G01N21/95 ,  G01N21/88 ,  H01L21/66

摘要： 本发明公开一种半导体晶圆的检测设备，包括：底座；支撑杆，从所述底座垂直向上延伸；真空吸笔台，垂直于所述支撑杆设置，所述真空吸笔台上横向分布有多个真空吸笔，所述真空吸笔的端部包括用于放置待测晶圆的吸附盘；真空发生器，与所述真空吸笔台相连，用于为所述多个真空吸笔提供真空负压；LED灯，设置在所述支撑杆上方，用于为放置在所述多个真空吸笔上的待测晶圆提供照明。可以一次性同时放置多枚晶圆，从而辅助检测人员快速进行晶圆检测的切换，提高检测效率。本发明的检测设备中还包括LED灯，可以在环境光线不佳的情况下提供补充光源，从而提高晶圆检测的质量。

公开(公告)号：CN111487520A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010345768.8

申请日：2020-04-27

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  华北电力大学

发明人： 孙帅 ,  张喆 ,  吴军民 ,  金锐 ,  韩荣刚 ,  杜玉杰 ,  张西子 ,  王亮 ,  赵志斌 ,  李学宝

IPC分类号： G01R31/28

摘要： 本发明涉及电力电子器件技术领域，具体涉及一种IGBT模块的测试方法、装置及电子设备。其中，方法包括：获取IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值；调用IGBT模块中每一个IGBT芯片的稳态电流的计算函数，每个计算函数用于表示对应的IGBT芯片的稳态电流与所有IGBT芯片的开启电压、饱和电压、额定电流以及所有IGBT芯片上承受的压力之间的数值关系；利用IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值，按照计算函数计算得到IGBT模块中每个IGBT芯片的稳态电流值。本发明通过计算函数计算得到各个IGBT芯片的稳态电流，解决了IGBT模块中各个IGBT芯片稳态电流测试难度大的问题。

公开(公告)号：CN111368464A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN202010340549.0

申请日：2020-04-26

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 林仲康 ,  潘艳 ,  韩荣刚 ,  唐新灵 ,  吴军民 ,  金锐 ,  张朋 ,  李现兵 ,  王亮

IPC分类号： G06F30/20 ,  G06F115/12

摘要： 本发明公开一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置，所述方法包括：将所述功率半导体器件划分为多个芯片位置；获取所述功率半导体器件中每个所述芯片位置对应的综合应力数据，所述综合应力数据包括电气应力数据、热应力数据和压力应力数据；获取多个候选芯片中每个所述候选芯片的综合极限数据，所述综合极限数据包括电气极限数据、热极限数据和压力极限数据；将多个目标芯片随机与所述多个芯片位置相匹配，所述目标芯片是综合极限数据大于对应芯片位置处的综合应力数据的候选芯片；计算所述多个目标芯片的综合极限数据和所述多个芯片位置对应的综合应力数据的误差；随机更换所述多个目标芯片，以确定使所述误差最小的最佳目标芯片。

公开(公告)号：CN108520870B

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201810338518.4

申请日：2018-04-16

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 崔磊 ,  张璧君 ,  吴鹏飞 ,  金锐 ,  潘艳 ,  温家良 ,  吴军民 ,  田丽欣

IPC分类号： H01L23/48

摘要： 本发明公开了一种功率器件封装结构，该封装结构包括上电极板、功率半导体器件芯片、下电极板，所述功率半导体器件芯片位于所述上电极板和下电极板之间，其特征在于，所述封装结构还包括第一弹性电极片和/或第二弹性电极片，所述第一弹性电极片位于所述上电极板与所述功率半导体器件芯片之间，所述第二弹性电极片位于所述下电极板与所述功率半导体器件芯片之间。该封装结构有效缓解了零部件加工公差带来的应力集中问题，在保证导电良好的前提下能够减小封装结构中芯片的受力，有效提高功率器件封装的可靠性；同时由于该弹性电极片是由弹性导电擦了或其他具有良好弹性和导电性的材料制成，还能提高对芯片的导热作用。