一种压接型IGBT热阻检测方法及装置

    公开(公告)号:CN111751697A

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN202010643033.3

    申请日:2020-07-06

    Abstract: 本申请提供的一种压接型IGBT热阻检测方法及装置,该方法包括:根据发射极散热器的进水口温度和出水口温度,以及集电极散热器的进水口温度和出水口温度,计算IGBT的发射极与集电极的散热比例;根据IGBT的电流和IGBT发射极与集电极之间的压降,确定IGBT的发热功率;根据IGBT的发射极与集电极的散热比例、IGBT的发热功率、发射极壳温及结温,确定IGBT的发射极侧热阻;根据IGBT的发射极与集电极的散热比例、IGBT的发热功率、集电极壳温及结温,确定IGBT的集电极侧热阻。无需对芯片进行直接接触,解决了无法对压接型IGBT进行热阻检测的技术问题,为判断压接型IGBT器件的可靠性奠定了基础。

    一种IGBT器件测试装置及测试方法

    公开(公告)号:CN111751695A

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN202010633478.3

    申请日:2020-07-02

    Abstract: 本发明公开了一种IGBT器件测试装置及测试方法,装置包括:可变温度湿度试验箱,用于控制测试环境温度及湿度;每个测试工位均置于所述可变温度湿度试验箱内部,每个测试工位用于固定一个IGBT,并对IGBT进行散热;测试与控制模块,用于对IGBT进行周期测试,在每次周期测试中依次对IGBT进行高压测试及静态参数测试;测试电源,与IGBT的栅极连接,用于输出测试脉冲信号,所述脉冲信号用于控制IGBT的通断状态;多条电源引线,用于将外接电源与IGBT连接,并采集IGBT的漏电流。本发明利用可变温度湿度试验箱将测试温度保持高温度高湿度环境状态下,对IGBT进行高压测试之后,利用测量电源对IGBT进行静态参数测试,从而解决了无法了解失效器件的退化过程和其他参数变化规律。

    一种功率半导体器件大电流关断能力检测电路及方法

    公开(公告)号:CN110865291A

    公开(公告)日:2020-03-06

    申请号:CN201911136076.6

    申请日:2019-11-19

    Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件大电流关断能力检测电路及方法,所述电路包括:三相不控整流模块、变流器模块、辅助换流器件、被测功率半导体器件和续流吸收回路;三相不控整流模块的正极端子连接所述变流器模块的前级输入正极端子,三相不控整流模块的负极端子连接所述变流器模块的前级输入负极端子;变流器模块的后级输出正极端子分别连接所述辅助换流器件的集电极、被测功率半导体器件的集电极和续流吸收回路的正极端子;变流器模块的后级输出负极端子分别连接所述辅助换流器件的发射极、被测功率半导体器件的发射极和续流吸收回路的负极端子。本发明提供的检测电路提高了检测系统的扩展性和灵活性,检测方法保证检测结果的准确。

    一种用于压接型IGBT的绝缘框架结构

    公开(公告)号:CN110416194A

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201910501701.6

    申请日:2019-06-11

    Abstract: 本发明提供一种用于压接型IGBT的绝缘框架结构,其包括内凹槽、E极立柱、G极立柱、导向隔板和伞裙;导向隔板和伞裙分别位于内凹槽的下侧和外侧,E极立柱和G极立柱均竖直设置在内凹槽内部;伞裙包括至少两层依次排列的L型伞裙片。本发明提供的绝缘框架结构体积小,通用性和稳定性强,易加工,定位简单,可有效解决不同高电压等级下的绝缘配合问题,满足器件内部多芯片并联结构的固定定位要求。本发明采用改性塑料开模注塑成型,可实现批量加工,电气绝缘强度高,抗爬电,机械性能优良,灌胶口和排气孔有利于灌注硅凝胶并排除空气,降低气泡引起的局部放电和受热膨胀带来的不利影响。

    一种芯片及器件设计的联合仿真方法和系统

    公开(公告)号:CN108897916A

    公开(公告)日:2018-11-27

    申请号:CN201810547519.X

    申请日:2018-05-31

    Abstract: 本发明提供了一种芯片及器件设计的联合仿真方法和系统,包括根据元胞参数和半导体层级设计图,建立多下级单位并联等效电路模型;根据多下级单位并联等效电路模型,进行半导体层级内下级单位并联的电压、电流、热和力的耦合仿真,得到半导体层级内电压、电流、热和力场分布;将耦合仿真得到的下级单位电流和电压输入电磁场仿真模块,进行仿真得到半导体层级内电磁场分布。与现有技术相比,涵盖从功率开关器件的半导体工艺设计和封装设计等环节领域,保证在硅设计的初期,就可以将功率半导体器件的电压、电流、热、电磁和力场等特征提取出来,建立芯片、器件联合仿真模型,反复优化各层级设计参数,实现芯片与器件整体性能最优,提高器件研发效率。

    一种高温反偏测试系统及方法

    公开(公告)号:CN107861041A

    公开(公告)日:2018-03-30

    申请号:CN201710859428.5

    申请日:2017-09-21

    CPC classification number: G01R31/26

    Abstract: 本发明提供了一种高温反偏测试系统及方法,其中,该系统包括:待测样品区(1),用于放置至少一个待测样品(2);散热片(3),散热片(3)通过一根或者多根热管(4)连接至待测样品(2);散热片(3)配置有风扇(5);风道(6),散热片(3)位于风道(6)中;电流采集器(7),连接至待测样品(2),用于采集待测样品(2)的漏电流;温度控制系统(8),连接至电流采集器(7),用于根据漏电流控制风扇(5)的风量。在采用恒温箱进行高温反偏测试时,待测样品配置有散热片和风扇,并配合温度控制系统控制来保证待测样品结温的稳定,具有散热效果好、温度控制简单的优点。

    一种多仿真器协同的仿真方法、仿真主控平台和仿真系统

    公开(公告)号:CN108664751B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN201810498282.0

    申请日:2018-05-23

    Abstract: 本发明提供了一种多仿真器协同的仿真方法、仿真主控平台和仿真系统,包括:确定协同仿真步长;预测仿真步长比协同仿真步长长的仿真器的仿真数值,作为仿真器在协同仿真步长对应时间的仿真数值;各仿真器将自身的仿真数值发送给其他仿真器,并接收其他仿真器发送的各仿真器对应的仿真数值,每个仿真器根据所有仿真器的仿真数值,进行协同仿真计算。与最接近的现有技术相比,本发明提供的协同仿真技术,能够针对相同或不同仿真器的不同步长,采取协同仿真步长,以实现协同验证的效率最优;在仿真器需要而协同仿真数据总线无法提供数据的时刻,动态预测并插入信号数据值,有效提高协同验证效率,确保协同验证协同的精度和稳定性。

    一种IGBT模块的动态参数测试装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116466203A

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN202210032116.8

    申请日:2022-01-12

    Abstract: 本发明提供的一种IGBT模块的动态参数测试装置,包括电源模块、切换模块及上位机,其中,电源模块的第一端分别与第二待测器件的第一端及切换模块的第一端连接,电源模块的第二端与第一待测器件的第二端连接;切换模块的第二端与第一待测器件的第二端连接,切换模块的第三端与上位机连接,切换模块的第四端分别与第二待测器件的第二端及第一待测器件的第一端连接;上位机还分别与第一待测器件的控制端及第二待测器件的控制端连接。通过设置两条测试回路,使得两个待测器件互为陪测,当对其中一个待测器件测试结束后,通过切换模块,继续选定下一个待测器件接入测试回路进行动态参数测试,避免了人为替换测试器件,从而提高了测试效率。

    一种评估柔性直流输电MMC换流阀可靠性的方法及系统

    公开(公告)号:CN110137996B

    公开(公告)日:2022-08-09

    申请号:CN201810107497.5

    申请日:2018-02-02

    Abstract: 本发明涉及一种评估柔性直流输电MMC换流阀可靠性的方法及系统,包括:基于柔性直流输电MMC换流阀的拓扑结构,建立MMC换流阀故障树;基于MMC换流阀故障树,确定MMC换流阀故障树的最小割集;基于MMC换流阀故障树的最小割集,确定MMC换流阀的可靠性评估指标。本发明通过建立MMC换流阀故障树及对故障树的定性分析得到MMC换流阀可靠性评估指标表达式,更加清晰明确的展现了各部件的可靠性关系,有利于进一步研究换流阀的薄弱环节。

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