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公开(公告)号：CN110415974B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910645580.2
申请日：2019-07-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米叠层结构金属氧化物柔性电容器及其制备方法，属于微纳电子技术－高密度电容器领域，利用低温PEALD方法制备基于Al‑Hf‑Sn‑Ti‑Al‑O纳米叠层结构超薄金属氧化物的柔性电容器，制备的电容器既具有较高的电容密度，同时又具有较低的漏电流密度和电压线性度，而且可根据实际需要选择不同的制备条件可得到不同性能的柔性电容器。本发明利用低温PEALD制备方法，在80℃生长工艺下，通过调控金属前驱体脉冲序列循环比和循环数，获得了介质层厚度为20‑30纳米厚的Al‑Hf‑Sn‑Ti‑Al‑O纳米叠层结构电容器，所述电容器既具有较高的电容密度3~10 fF/μm2，同时又具有较低的漏电流密度10‑7~10‑8 A/cm2和电压线性度
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公开(公告)号：CN112505107A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011472415.0
申请日：2020-12-14
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/12 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/40 , C23C14/35 , C23C14/20 , C23C28/00 , C23C14/22 , C23C14/14
Abstract: 本发明公开了一种柔性超高灵敏度宽量程氢气传感器及其制备方法，属于氢气传感器领域，解决了氢气传感器的灵敏度低、检测量程窄、选择性差、工作温度高等缺点。本发明的传感器包括从上到下依次为导电电极层、敏感层、柔性衬底层；所述敏感层为MOx薄膜和Pd纳米粒子，所述Pd纳米粒子覆盖在MOx薄膜上；在柔性聚合物基底上利用原子层沉积和团簇束流沉积技术，将传统金属氧化物型氢气传感器和基于量子电导型氢气传感器结合起来，获得了一种柔性超高灵敏度宽量程、可低温工作的氢气传感器。
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公开(公告)号：CN110983288A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911220311.8
申请日：2019-12-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于原子层沉积方法的层间剥离方法及其在纳米复合材料制备上的应用，属于纳米功能复合材料制备领域，可以同时实现层状材料的层间剥离和纳米复合粉末材料的制备，获得的材料比表面积明显改善。本发明选用层状材料粉末作为担体；在所述担体上利用原子层沉积（ALD）技术沉积包覆层，得到复合粉末样品；将ALD沉积获得的复合粉末样品进行热处理退火，所述包覆层结晶把层状材料层间撑开剥离，获得高比表面的复合层状纳米材料；重复步骤上述步骤实现基于ALD技术对层状材料的多次层间剥离，进一步增加复合层状纳米粉末材料的比表面积。
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公开(公告)号：CN108342714B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201810120748.3
申请日：2018-02-07
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/01 , C23C16/56
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸柔性三维多孔碳结构的制备方法，属于微纳结构与功能材料制备领域，该制备方法工艺简单，易于实施，且能大规模生产。本发明应用分子层沉积技术（MLD）在适宜的三维模板表面沉积无机‑有机杂化物作为前驱体，通过高温热处理将杂化物转化为碳‑金属氧化物的复合物，最后通过化学腐蚀的方法去除模板与金属氧化物，以此来制备大尺寸的柔性三维多孔碳结构材料。由于三维模板的尺寸、结构可根据需要进行选择，而丰富有机官能团、多变的碳链长度，使得设计与调谐多孔碳的分级微结构与对碳掺杂成为可能，为大尺寸柔性多孔碳材料的制备提供了一种可行的途径。
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公开(公告)号：CN110415974A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910645580.2
申请日：2019-07-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米叠层结构金属氧化物柔性电容器及其制备方法，属于微纳电子技术－高密度电容器领域，利用低温PEALD方法制备基于Al-Hf-Sn-Ti-Al-O纳米叠层结构超薄金属氧化物的柔性电容器，制备的电容器既具有较高的电容密度，同时又具有较低的漏电流密度和电压线性度，而且可根据实际需要选择不同的制备条件可得到不同性能的柔性电容器。本发明利用低温PEALD制备方法，在80℃生长工艺下，通过调控金属前驱体脉冲序列循环比和循环数，获得了介质层厚度为20-30纳米厚的Al-Hf-Sn-Ti-Al-O纳米叠层m度2结，
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104746049B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201510089462.X
申请日：2015-04-07
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/56 , G01N21/65
Abstract: 本发明公开一种利用ALD制备金属纳米间隙的表面增强拉曼散射基底的方法，具体如下：（a）清洗衬底；（b）在衬底表面生成生成金属纳米颗粒；（c）在衬底表面沉积一层氧化物薄膜；（d）衬底表面再次沉积金属纳米颗粒；（e）将衬底置于酸性溶液或碱性溶液中腐蚀，即获得金属纳米间隙的表面增强拉曼散射基底；本发明利用ALD在金属颗粒之间引入均一的纳米级厚度的氧化物，再通过化学腐蚀的方法去除部分氧化物，以此来制备纳米级的金属间隙，并用来作为表面增强拉曼散射基底，该方法步骤简单、重复性好、成本低廉，所得基底具有优异的表面增强拉曼散射性能。
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公开(公告)号：CN105244173A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510739934.1
申请日：2015-11-04
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种制备过程简便、成本低廉、具有特定微结构的超级电容器过渡金属硫化物电极材料的制备方法，将裁剪好的泡沫金属清洗干净，真空干燥；之后放入管式退火炉中，在硫化氢气体持续稳定通入的过程中开始升温退火，升温时间40-50min，退火温度400~500℃，退火时间30~90min；退火完成后继续通入硫化氢气体直至自然冷却到室温；即得到具有特定微结构的过渡金属硫化物电极材料。本发明是用H2S气体作为硫源，将泡沫金属在高温下退火反应直接得到具有特定微结构的过渡金属硫化物电极材料。该方法工艺简单，耗时少，成本低；具有特定微结构的电极材料导电性好，比电容高，倍率性能优良，同时具有良好的循环性能。
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公开(公告)号：CN103337250A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310276651.9
申请日：2013-07-03
Applicant: 南京大学
IPC: G11C11/22
Abstract: 本发明公开了一种非挥发阻变存储器，其核心为以超薄铁电薄膜为势垒层的金属/铁电体/半导体铁电隧道结。本发明借鉴铁电场效应器件的工作机制，采用半导体材料作为电极，提出基于金属/铁电体/半导体铁电隧道结的非挥发阻变存储方案。这一结构中，自发极化翻转调制了铁电体/半导体界面上半导体表面多数载流子浓度，从而实现对结势垒高度和宽度的同时调制。通过电翻转超薄BaTiO3势垒层中铁电极化，成功调制了结电阻，并获得了104以上的ON/OFF阻态比，比当前在金属/铁电体/半导体隧道结中报道的结果高了1-2个数量级。
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公开(公告)号：CN102194685B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110087697.7
申请日：2011-04-08
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/285 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种调控Ge衬底与TixAlyO薄膜间能带补偿的方法，首先对锗衬底进行清洗，吹干。接着放入ALD反应室中，沉积以Al2O3为开始层，交替Al2O3和TiO2的沉积循环，且最终沉积的薄膜中Al/Ti的摩尔比率为Al：Ti=1：1.2-4.5；将沉积薄膜后的锗衬底进行退火，即得到成品。本方法中，当Al/Ti的摩尔比率减小时，积累态电容增大；漏电流上升。而且，随着Al/Ti比率增大，Al2O3/TiO2在Ge上的价带和导带补偿以及带隙都会同时增大。这些结果说明：ALDAl2O3/TiO2纳米叠层结构能够有效地调节栅介质与Ge之间的界面质量和能带结构，从而改善MOS器件的工作性能。表明此方法在Ge基MOSFET制备中具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN102024707B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010530165.1
申请日：2010-11-03
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/283
Abstract: 本发明公开了一种GaAs基MOS器件的制备方法，首先对衬底进行清洗，之后用8~40%体积比的(NH4)2S水溶液浸泡10~40分钟进行钝化。然后用MOCVD沉积薄层Gd2O3控制层，最后用ALD沉积高k栅介质层。本发明通过引入薄层Gd2O3控制层，能够有效抑制界面处As氧化物和Ga氧化物的形成，改善了栅介质与GaAs衬底之间的界面质量，并且有效地调节了n-GaAs和栅介质薄膜之间的能带补偿，改进了栅介质薄膜的电学性能，GaAs基MOS器件表现出较高的积累态电容、较小的电容回滞和较低的漏电流密度。此方法工艺简单，在GaAs基MOSFET器件的制备上具有重要的应用前景。
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