-
公开(公告)号：CN1327486C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200410041443.1
申请日：2004-07-21
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C30B25/02 , C30B29/40
Abstract: 利用氢化物气相外延法和低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量GaN薄膜，在HVPE生长系统或MOCVD系统中，先在较低的400-800℃温度条件下在Si衬底上，以氨气和HCl为气源，生长一层GaN，然后在高温下如1000-1100℃持续生长GaN。低温下生长的GaN层，阻止了氨气对Si衬底的氮化以及高温下Si和HCl的反应，从而使得后续生长的GaN具有较高的质量。
-
公开(公告)号：CN1177335C
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN02113088.4
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01F1/40 , H01F41/00 , H01L21/265
Abstract: 离子注入法制备AlN基稀释磁性半导体薄膜材料的方法，将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入AlN半导体薄膜中，即用离子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性离子，然后在850-900℃、NH3气氛条件下退火处理。DMS离子注入法是通过离子注入，将Fe、Mn、Co或Ni等磁性离子注入AlN基半导体材料中来制备磁性半导体的方法。与其他直接生长方法相比，能够实现较高的离子掺杂浓度，因而可以制备出高居里温度的磁性半导体材料。
-
公开(公告)号：CN1174470C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN02113084.1
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/365 , C23C16/34
Abstract: 横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法，用MOCVD、MBE或其他方法生长GaN籽晶层；在GaN籽晶层上沉积SiO2、Si3N4、W等薄膜，利用光刻方法蚀刻出一定的图形，对于平行长条状，掩摸区宽度2-20μm，GaN窗口区宽度0.2-20μm，平行长条状的开口方向是沿GaN的[1T00]取向；对于正六边形的开口，使GaN的[1T00]取向垂直于正六边形的边，然后用MOCVD或HVPE方法外延生长GaN，直至掩模层被GaN铺满，继续生长得到低位错密度氮化镓薄膜。HVPE生长速率很快。由于在远离界面处位错密度比较低，所以在横向外延薄膜上HVPE厚膜外延，可得到位错密度更低的GaN薄膜。
-
公开(公告)号：CN1172353C
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN02113083.3
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 利用溶胶—凝胶(Sol-Gel)法制备p型ZnO薄膜，先制备Ga或N共掺杂的ZnO胶体溶液，在预先清洗好的Si片或其他衬底(石英玻璃、蓝宝石等)上滴加胶体溶液，以旋转衬底的方式使胶体溶液均匀涂覆，然后将薄膜在室温～100℃下放置一段时间再经过240-300℃的热处理，尔后在500～900℃，氨气气氛下热处理1～5小时。溶胶-凝胶法制备薄膜材料具有技术简单，低耗费，易于获得大面积的薄膜等优点。
-
公开(公告)号：CN1140930C
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN02113005.1
申请日：2002-05-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 基于AlxGa1-xN/GaN异质结的铁电体/半导体存贮器结构及其制法，在蓝宝石衬底上首先用MOCVD技术生长AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构，然后在AlxGa1-xN上用PLD技术生长PZT铁电薄膜，最后用电子束蒸发技术分别在AlxGa1-xN层上淀积Ti/Al欧姆接触电极和在PZT层上淀积Al电极。这种结构利用了PZT/AlxGa1-xN界面的高温稳定性，避免了普通的铁电体/Si MFS结构的界面互扩散和界面反应问题。同时，这种结构以AlxGa1-xN/GaN异质界面高浓度、高迁移率的二维电子气为沟道载流子，有利于提高存贮器结构的响应速度等性质。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1140915C
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN02113080.9
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/00
Abstract: 获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法，首先在蓝宝石衬底上横向外延获得低位错密度GaN薄膜；然后在ELO GaN薄膜上进行氢化物气相外延，获得大面积、低位错密度的GaN厚膜；采用激光扫描辐照剥离技术，将GaN厚膜从蓝宝石衬底上剥离下来，再进行表面抛光处理，就可以获得高质量GaN自支撑衬底。本发明结合了三种不同技术的优点：获得高质量的位错密度的GaN薄膜；可以快速生长大面积GaN厚膜；可以快速地无损伤的将GaN薄膜从蓝宝石衬底上分离开来。
-
公开(公告)号：CN1388567A
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：CN02113083.3
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 利用溶胶－凝胶(Sol－Gel)法制备p型ZnO薄膜,先制备Ga或N共掺杂的ZnO胶体溶液,在预先清洗好的Si片或其他衬底(石英玻璃、蓝宝石等)上滴加胶体溶液,以旋转衬底的方式使胶体溶液均匀涂覆,然后将薄膜在室温～100℃下放置一段时间再经过240－300℃的热处理,尔后在500～900℃,氨气气氛下热处理1～5小时。溶胶－凝胶法制备薄膜材料具有技术简单,低耗费,易于获得大面积的薄膜等优点。
-
公开(公告)号：CN1388537A
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：CN02113082.5
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01F1/40 , H01F41/00 , H01L21/265
Abstract: 离子注入法制备GaN基稀释磁性半导体薄膜的方法,将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入GaN半导体薄膜中,即用离子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性离子,然后在850－900℃、NH3气氛条件下退火处理。DMS离子注入法是通过离子注入,将Fe、Mn、Co或Ni等磁性离子注入GaN基半导体材料中来制备磁性半导体的方法。与其他直接生长方法相比,能够实现较高的离子掺杂浓度,因而可能制备出高居里温度的磁性半导体材料。
-
公开(公告)号：CN1384533A
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：CN02112514.7
申请日：2002-01-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C30B25/00
Abstract: 改进氢化物气相外延(HVPE)生长GaN材料均匀性的方法和装置,在氢化物气相外延(HVPE)生长GaN薄膜材料电炉中,将单路金属镓源－HCl－N2管道分成多路金属镓源－HCl－N2管道,改善反应物GaCl－N2的传输均匀性,并将反应物GaCl－N2输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区。两路或多路镓源传输管道使内部气流分布均匀,可以看出改进后沉积的薄膜均匀性也有很大的改善。生长的GaN薄膜面积扩大到5cm×4cm,而厚度均匀的有效薄膜面积可达到4cm×3cm甚至更大。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
101
records
(took 0.02 seconds)
