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公开(公告)号：CN101319400B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810024894.2
申请日：2008-05-19
Applicant: 南京大学
Abstract: Fe掺杂生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料合成方法是：采用MOCVD生长方法，(1)在蓝宝石衬底上高温氮化处理衬底材料，在MOCVD生长系统中通入H2、N2或H2和N2气体对蓝宝石衬底进行1000-1100℃温度下衬底表面处理，(2)生长低温GaN缓冲层，(3)生长高温GaN缓冲层，低温和高温GaN缓冲层的厚度均为0.5um-2um；(4)在GaN高温缓冲层上通过Fe掺杂控制合成生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料，在900-1150℃温度下通入流量范围分别为0.1-5slm、1-10sccm和15-200sccm的氨气、三甲基镓和二茂铁(CP2Fe)，生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料；生长腔压力保持5-500Torr。
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公开(公告)号：CN101519773B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200910030913.7
申请日：2009-04-20
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455
Abstract: CVD材料生长设备气路的U形管道连接方法，气路中两个卡套式管接头之间的金属管道均采用U形管道，即通过气路空间走向的管路的设计来实现所有连接处均以U形状管道进行连接；且这两个卡套式管接头的开口方向向相同的平行方向。CVD材料生长设备配气装置中气路及元件之间的连接，采用双卡套式管连接，连接管道外形呈U形状；U形的结构还包括各种在U形管上进行延伸角度的管路，U形管的两平行金属管的长度也可有长有短，便于连接应用，亦可在两平行管端部再接出平行的弯管，用以解决两个接头体位置固定后难以实现其间气路管道气密性连接的便捷装卸问题。
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公开(公告)号：CN101307485B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200810018876.3
申请日：2008-01-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 用于半导体材料气相淀积生长系统的氮源离化方法，在CVD、MOCVD、HVPE以及MBE等半导体材料生长系统中采用外加射频场的方式对氮源进行离化。采用高频电流加到电容或电感线圈的电极上，通过平行电容板间或电感线圈对其包围的气路进行高频电场的施加；加速电子，离化气体分子，从而产生等离子体。装置包括金属法兰(1)、冷却水管路(2)、石英外罩(3)、石英整流罩(5)、金属盖(6)、平等板电容器(7)、热电偶(8)、石墨(9)、抽气孔(10)、射频匹配器(11)、射频功率源(12)、进气口的(13)构成，金属法兰(1)和金属盖(6)装在石英外罩(3)的两端，在包围进气口(13)气路上或生长平台的气路上设有电容或电感耦合元件。
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公开(公告)号：CN101714603A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910212662.4
申请日：2009-11-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种GaN基量子阱红光LED结构的生长方法，利用金属有机物化学汽相外延MOCVD生长系统，得到GaN基GaN/InGaN量子阱红光LED结构材料，其中量子阱中InxGa1-xN材料In组份控制组份x在0.1到0.5之间。本发明实现了III族氮化物的红光长波长发光，针对高In组份InGaN材料生长困难的问题，本发明通过在MOCVD系统中，对有机镓源和铟源的流量，生长温度、时间，氨气流量，N与Ga之摩尔比等条件的控制和调整，解决了这一问题。本发明整个生长过程中，通过对温度和反应物流量比等条件的严格控制，确定量子阱的发光波长，实现长波长发光，得到GaN基GaN/InGaN量子阱红光LED结构。
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公开(公告)号：CN101519772A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910030912.2
申请日：2009-04-20
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455
Abstract: CVD材料生长设备的反应源进气分配的方法，让分解温度相差较大的反应气源经各自的输运通道单独地进入反应腔体，并对分解温度较高的源气体进行加热预分解后再让其与分解温度较低的反应源气体充分混合后，在合适的温度下进行反应以外延生长薄膜材料。对于分解温度较高的反应源气体，在输运至石墨反应腔进气端前需对其进行加热而使其预分解，这个过程是通过在导引气体的细石英管周围配置石墨管感应件、经射频加热的方法来实现的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101319400A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810024894.2
申请日：2008-05-19
Applicant: 南京大学
Abstract: Fe掺杂生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料合成方法是：采用MOCVD生长方法，(1)在蓝宝石衬底上高温氮化处理衬底材料，在MOCVD生长系统中通入H2、N2或H2和N2气体对蓝宝石衬底进行1000－1100℃温度下衬底表面处理，(2)生长低温GaN缓冲层，(3)生长高温GaN缓冲层，低温和高温GaN缓冲层的厚度均为0.5um－2um；(4)在GaN高温缓冲层上通过Fe掺杂控制合成生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料，在900－1150℃温度下通入流量范围分别为0.1－5slm、1－10sccm和15－200sccm的氨气、三甲基镓和二茂铁(CP2Fe)，生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料；生长腔压力保持5－500Torr。
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公开(公告)号：CN101298693A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810019300.9
申请日：2008-01-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 用于MOCVD系统的双层气流石英整流罩反应室装置，包括卧式石英管，石英管两端设有金属法兰将石英管两端密封，石英管内设置长方形石英整流罩和基座，基座放置衬底的斜面设置在石英整流罩内，石英整流罩及基座斜面的设置符合MOCVD化学气相反应的流体动力学理想模型。本发明利用圆柱型石英管设计简单、承压能力好以及密封配合方便的特点及长方形整流罩反应室的整流作用，联合其它MOCVD技术设备形成双层气流石英整流罩反应室MOCVD系统，结构简单，制造成本低，材料生长均匀；方便拆卸和安装的石英整流罩便于反应室的清理，减少了晶体生长的污染，可获得高质量的晶体材料；本发明还可用于Si、GaAs、InP以及GaN等其它半导体材料生长的CVD、MOCVD以及HVPE等卧式反应系统中。
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公开(公告)号：CN100395373C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200610039236.1
申请日：2006-03-31
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/44
Abstract: 化学气相淀积的生长设备，采用射频感应加热，射频感应加热器中间设有石墨反应腔，石墨反应腔置于真空石英管(1)内，在石英管与被感应加热的石墨反应腔(3)之间设有耐高温的热解BN套管(2)组。BN套管组为2-6只套管，套管壁间距、套管壁与石英管壁间距是1mm-10mm。利用多层BN套管组作为辐射蔽罩、有效地降低热辐射所致的能量损失。BN材料导热率低，可实现100℃/mm以上的温度梯度，具有良好的保温效果。石英管内维持较高真空，BN套管之间、BN套管与石英管之间为真空，有助于减少热量损失。
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公开(公告)号：CN1913178A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610086105.9
申请日：2006-08-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: AlGaN基共振增强单色紫外探测器结构：在蓝宝石衬底上设有厚度在50－2000nm的低温和高温GaN材料，GaN材料上分别设有15－80nm和15－100nm的5－50个周期的AlN/AlGaN多层结构的分布布拉格反射镜为底镜；在上述底镜上设有n－AlxGal－xN/i－GaN/p－AlxGal－xN结构的谐振腔：即设有20－80nm厚的高温n－AlxGal－xN，5－30nm厚的高温i－GaN吸收层，20－80nm厚的高温p－AlxGal－xN，Al组分x≥0.3作为探测器的谐振腔；最后是层厚分别为15－80nm和15－100nm的0－30个周期的AlN/AlGaN多层结构的分布布拉格反射镜即顶镜完成RCE紫外探测器结构。
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公开(公告)号：CN1900745A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610088286.9
申请日：2006-07-07
Applicant: 南京大学
IPC: G02B5/08 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/18 , H01L33/00 , H01L51/00 , H01S5/125 , H01S5/187
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 用于紫外探测器的高反射率分布布拉格反射镜结构：从基底到上部的结构为，5－50nm厚的低温LT－GaN、50－2000nm厚的高温HT－GaN和或加入一层厚度为5－100nm的高温HT－AlN；最后为10－50周期的15－80nm高温AlN/15－100nm高温AlxGal－xN，其中Al组分x≥0.3。对反射波长小于360nm的紫外射线的DBR结构；该结构包括：5－50nm厚的低温LT－GaN/50－2000nm厚的高温HT－GaN/和或包括加入一层厚度为5－100nm的高温HT－AlN/最后为10－50周期的15－80nm高温AlN/15－100nm高温AlxGal－xN结构。
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