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公开(公告)号：CN108169256B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201611121287.9
申请日：2016-12-07
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于利用多能谱X射线成像系统识别物品的方法和一种用于识别物品的多能谱X射线成像系统，所述方法包括：识别所述物品的应用场景和/或先验信息；根据所识别的应用场景和/或先验信息从所述多能谱X射线成像系统中存储的多个参数模式中选择适合于所述物品的参数模式；以及利用所选择的参数模式来识别所述物品；其中，所述多个参数模式是通过针对各种物品使用训练样本库在特定条件下对所述多能谱X射线成像系统的系统参数进行优化而获得的。本发明提出的多能谱X射线成像系统使得多能谱成像系统能够适应各种不同的应用场景并且实现系统性能与开销之间的平衡。
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公开(公告)号：CN108181327B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201611159161.0
申请日：2016-12-07
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01N23/04
Abstract: 本发明公开了一种用于利用多能谱X射线成像系统对待测物品进行物质识别的方法，包括：获得所述待测物品在N个能区中的透明度值组成的透明度相关向量，其中N大于2；利用非线性降维算法将所述透明度相关向量和所述系统中存储的多种物品在多种厚度的情况下在所述N个能区中的N个透明度均值组成的透明度相关向量映射到二维平面上，以分别得到所述待测物品的透明度相关向量在所述二维平面上的映射点和所述多种物品的透明度相关向量在所述二维平面上的映射点集合；确定所述映射点集合中与所述映射点最近的点；以及将所述待测物品识别为所述多种物品中与所述最近的点相对应的物品。
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公开(公告)号：CN108181326B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201611159090.4
申请日：2016-12-07
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01N23/04
Abstract: 本发明公开了一种用于利用多能谱X射线成像系统对待测物品进行物质识别的方法，包括：获得所述待测物品在N个能区中的透明度值组成的透明度相关向量，其中N大于2；计算所述透明度相关向量与所述系统中存储的多种物品在多种厚度的情况下在所述N个能区中的N个透明度均值组成的透明度相关向量之间的距离；以及将所述待测物品识别为与最小距离相对应的物品。本发明基于多能谱X射线成像系统，通过对多能谱物质识别问题的分析，提出了一种物质识别的方法。相对传统双能X射线系统，多能谱成像理论上可以显著提高系统的物质识别能力，特别是在安检应用领域，物质识别能力的提升对于毒品爆炸物等违禁品的查验具有重要意义。
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公开(公告)号：CN105448945B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201511010038.8
申请日：2015-12-29
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种同面电极光电二极管阵列及其制作方法。在低电阻率衬底，高电阻率外延类型的外延硅片的顶侧，形成第一导电类型重掺杂区域和第二导电类型掺杂区域，分别为光电二极管的阴极和阳极。该结构包括在阳极和阴极之间形成的沟槽结构，该沟槽结构可由空隙、绝缘材料、传导结构、反射材料和离子注入构成；也可以包括在阳极和阴极下方形成第一导电类型重掺杂区域、绝缘隔离层或带绝缘层的传导结构等。
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公开(公告)号：CN106784071B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201611121395.6
申请日：2016-12-07
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 公开了光电二极管器件、光电二极管探测器及其制造方法。根据实施例，一种光电二极管器件可以包括：在衬底的第一表面上生长外延层，其中，该外延层被第一类型轻掺杂，且在衬底中形成与该第一类型轻掺杂的外延层相接触的第一类型重掺杂区；从衬底的与第一表面相对的第二表面一侧，减薄衬底，并露出第一类型重掺杂区；从衬底的第二表面一侧，对第一类型重掺杂区进行构图，以在其中形成沟槽，该沟槽穿透第一类型重掺杂区而进入外延层中，其中，构图后的第一类型重掺杂区充当光电二极管器件的第一电极区域；以及在沟槽底部形成第二类型重掺杂的区域，该区域充当光电二极管器件的第二电极区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106324648A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610797744.X
申请日：2016-08-31
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01T1/00
CPC classification number: G01T1/247 , G01T1/241 , G01T1/2928 , H01L31/0296 , H01L31/085 , H01L31/1832
Abstract: 本发明提出了一种半导体探测器及其封装方法。所述半导体探测器包括：阳极电路板，包括读出芯片；阴极电路板，所述阴极电路板包括阴极电路板高压端顶层、阴极电路板底部连接层和填充在阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层之间的电介质，所述阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层通过过孔连接；探测器晶体，包括晶体主体、阳极和阴极，所述阳极与所述阳极电路板上的读出芯片相连，其中所述阴极电路板高压端顶层用于连接半导体探测器的输入，所述阴极电路板底部连接层与所述探测器晶体的阴极直接接触而连接所述阴极和所述阴极电路板。
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公开(公告)号：CN106249270A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610798761.5
申请日：2016-08-31
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01T1/00
CPC classification number: G01T1/24 , G01T1/241 , H01L31/022408 , H01L31/0324
Abstract: 公开了一种半导体探测器。根据实施例，该半导体探测器可以包括：半导体探测材料，包括彼此相对的第一侧面和第二侧面；设置于第一侧面上的阴极；以及设置于第二侧面上的阳极，其中，阳极包括限定半导体探测器的探测像素的像素阳极阵列以及设置于相邻的像素阳极之间的中间阳极。根据本公开的实施例，可以实现信号修正，提高探测器的能量分辨率和信噪比。
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公开(公告)号：CN106124539A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610797192.2
申请日：2016-08-31
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01N23/04
CPC classification number: G01T1/241 , G06T7/11 , G06T7/70 , G06T2207/10116
Abstract: 本发明提供一种探测器以及用于智能划分能区的探测系统和方法，其中所述探测方法可以包括：由探测器采集从探测对象透射的射线，产生探测信号，所述探测器的每一像素列包括一个A类电极和多个B类电极，且沿探测对象的移动方向依次布置所述A类电极和所述B类电极，使得从探测对象透射的射线先进入A类电极，随后进入B类电极；基于与A类电极对应的探测信号，得到探测对象的图像数据，并基于图像数据估计探测对象的物质成分；根据所估计的物质成分，调整用于能区划分的一个或多个阈值；以及根据所调整后的阈值来确定与B类电极对应的探测信号的能区，并计算在每个能区中的信号数目，得到探测器对象的图像数据，从而得到探测对象的准确成分。
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公开(公告)号：CN203071113U
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201320055928.0
申请日：2013-01-31
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/0224
Abstract: 公开了一种辐射探测器，该辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的至少一个表面上的阳极电极；以及位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的其余表面中的至少一个表面上的阴极电极，其中，阳极电极为条带形状，阴极电极平面形状，并且阴极电极与阳极电极平行地延伸大致等于阳极电极的长度尺寸。该电极结构可以提高辐射探测器的能量分辨率和探测效率。
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公开(公告)号：CN201142237Y
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200820078499.8
申请日：2008-01-11
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
Abstract: 本实用新型公开了一种准直器调节系统，包括：准直器，其包括沿其纵向方向基本水平延伸的准直缝；第一调节装置，其连接到准直器的沿其纵向的一端，并可以沿大致垂直于准直缝的方向竖直移动；以及第二调节装置，其连接到准直器的沿其纵向的另一端，并可以沿大致垂直于准直缝的方向竖直移动。通过采用上述技术方案，实现了对准直器位置的自动调节，从而免去了手动调节的繁琐和困难。另外，由于设置有两个独立的调节装置，不仅可以实现准直器的上下位置的调节，还可以实现对准直器位置的倾斜调节。由此，可以简化调节过程，并且快速、准确地确定准直器的准直缝的理想位置。
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