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公开(公告)号：CN105893701B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201610264808.X
申请日：2016-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种基于温度补偿矩阵的电磁机构动态特性的计算方法，本发明涉及电磁机构动态特性的计算方法。本发明是要解决现有技术不能同时达到效率高和精度高的问题以及无法应用于不同温度下电磁机构动态特性的分析检验的问题而提出的一种基于温度补偿矩阵的电磁机构动态特性的计算方法。该方法是通过一、获得电磁机构的关键参数；二、查找或测量磁化曲线及电阻值R；三、设定电磁机构动态特性的初始状态；四、计算得到t+△t时刻的电磁机构动态特性；五、得到t+△t时刻线圈电流；六、得到当前电磁机构的温度T下的电磁机构的动态特性；七、得到不同电磁机构的温度下电磁机构的动态特性等步骤实现的。本发明应用于电磁机构动态特性计算领域。
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公开(公告)号：CN109190245A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811015010.7
申请日：2018-08-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本发明公开了一种基于LTSPICE软件的SiC MOSFET SPICE模型的建立方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、SiC MOS建模；步骤二、体二极管建模；步骤三、PCB寄生参数建模；步骤四：通过Saber快速建模和实际测量计算寄生参数，提取建立SiC MOSFET的模型的各项参数，基于提取的参数在LTspice软件中建立SiC MOSFET SPICE模型，通过双脉冲仿真测试与厂家提供模型进行对比，验证建立模型的正确性。本发明结合Saber软件的Model Architect参数提取工具、MOSFET分部分建模及LTSPICE仿真分析等方法，建立了一种精度高、通用性强的SPICE模型。
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公开(公告)号：CN109190244A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811011865.2
申请日：2018-08-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种N沟道VDMOSFET在PBTI效应下退化模型的建立方法，所述方法如下：步骤一：基于RD模型理论分析N沟道VDMOSFET在PBTI效应下的退化机理，确定阈值电压为退化模型的敏感参数；基于TCAD仿真，向MOSFET模型中注入缺陷，验证阈值电压作为敏感参数的正确性；步骤二：结合幂律模型和阿伦尼乌斯模型提出N沟道VDMOSFET的PBTI退化模型；步骤三：以幂律模型为基础对下降段和上升段分别建模，合并上升段和下降段模型，得到电应力退化模型；步骤四：基于电应力退化模型建立PBTI效应下的关于电热应力退化模型。本发明所建立的退化模型可直接用于VDMOSFET的寿命预测和可靠性评估中。
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公开(公告)号：CN106024525B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201610422422.7
申请日：2016-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开一种双永磁非对称极面单稳态电磁机构，包括线圈、线圈骨架、转轴、衔铁、轭铁、永磁体，其中，所述轭铁包括左轭铁、右轭铁和下轭铁，所述左轭铁和右轭铁相对设置，所述线圈骨架以及所述线圈设置在所述左轭铁和所述右轭铁之间；所述下轭铁设置在所述左轭铁和所述右轭铁之间，并且位于所述线圈上方，所述下轭铁的两端分别通过永磁体与所述左轭铁和所述右轭铁相连；所述衔铁通过所述转轴可枢转地与所述下轭铁相连，位于所述下轭铁的上方，所述衔铁的两端分别具有第一极面和第二极面，用以分别和所述左轭铁以及右轭铁相接触。
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公开(公告)号：CN108612901A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810581946.X
申请日：2018-06-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F16K31/06
CPC classification number: F16K31/0675
Abstract: 本发明提供了一种密封锥面衔铁双线圈双稳态电磁机构，该电磁机构采用锥面衔铁作为核心结构，既增大了初始输出力，又增大了吸合侧保持力；采用双线圈串联结构，在吸合过程中，下面的线圈起到抵消下部永磁磁通的作用，上面的线圈起到增大上部永磁磁通的作用，在释放过程中，上面的线圈起到抵消上部永磁磁通的作用，下面的线圈起到增大下部永磁磁通的作用。本发明克服了传统电磁阀控制存在的行程短、单稳态保持、功耗大等缺点，具有体积小、输出力与保持力大、双稳态、永磁回路保持、节能等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107798186A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710994397.4
申请日：2017-10-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009 , G06F2217/76
Abstract: 本发明提供一种电磁继电器触簧系统贮存退化表征参数的确定方法，包括如下步骤：建立电磁继电器仿真模型；对触簧系统进行贮存退化试验并建立贮存退化模型；将试验数据采集时刻代入退化模型中，得到对应的触簧系统退化状态；修改触簧系统仿真模型参数，实现触簧系统的贮存退化注入；对注入了不同贮存退化程度的电磁继电器仿真模型进行动态仿真，获取对应外特性的仿真退化数据；分别构建各外特性的贮存退化模型；选取其中有确定退化趋势的外特性；判断选定外特性的仿真退化数据与触簧系统贮存退化状态的线性相关性，确定所选定的输出特性是否为触簧系统贮存退化表征参数。本发明解决了贮存过程中无法直接监测电磁继电器触簧系统退化程度的问题。
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公开(公告)号：CN107742046A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201711092963.9
申请日：2017-11-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009
Abstract: 一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法。本发明涉及一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法。步骤一：在Simulink软件中建立待分析电路的定性模型；步骤二：根据所述定性模型及电路功能，确定由继电器类单机所控制的激励器件及执行器件；步骤三：按照继电器类单机贮存退化过程中t时刻的动作时间分布情况，通过蒙特卡洛方法随机抽样组合生成n组动作时间数据，作为激励器件的输入数据；步骤四：将所述n组动作时间数据分别输入至步骤一所建立的Simulink电路定性模型中。本发明用于考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法。
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公开(公告)号：CN107655981A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710942500.0
申请日：2017-10-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N29/24
CPC classification number: G01N29/2412
Abstract: 一种电磁超声相控阵换能器，涉及电磁超声无损检测领域，为了解决现有的电磁超声换能器检测效率较低以及操作复杂的问题。本发明所述的一种电磁超声相控阵换能器，包括永磁铁、多通道线圈、屏蔽导线和插头；所述多通道线圈固定在永磁铁的下方；所述屏蔽导线的一端与多通道线圈相连，屏蔽导线的另一端与插头相连。有益效果为极大地缩小了换能器的体积，并且降低了磁铁回波对接收回波的干扰，因此本发明结构简单、体积小，可实现相控声束控制功能，方便缺陷的检测及成像。
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公开(公告)号：CN107357955A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710418855.X
申请日：2017-06-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开一种综合考虑制造和温度噪声的电子系统参数设计方法，包括：由可控因素、第一参数噪声因素和第二参数噪声因素的基础数据，建立稳健性参数设计分析表；计算所述分析表的目标仿真结果；由内外表下的第二参数统计得到中心值及方差；归一化处理；确定第一参数噪声权重和第二参数噪声权重，得到第二参数噪声评估值；将所述第二参数噪声评估值填入内外表中，统计内表对应的信噪比和灵敏度特征值；对所述信噪比和灵敏度特征值进行方差分析，确定优化后的参数水平组合；通过模拟获得优化前后设计不同第二参数下的输出分布；如果优化方案满足要求，则停止优化；否则调整所述第一参数噪声权重和所述第二参数噪声权重，重新优化参数水平组合。
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公开(公告)号：CN107121500A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710286079.2
申请日：2017-04-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N29/34
Abstract: 一种基于扫频多通道电磁超声导波装置的导波方向控制方法，涉及一种导波方向控制方法。为了解决现有的导波方向控制方法不能在不改变线圈接线方式的情况下使用多通道电磁超声导波换能器激励和接收任意频率的单向传播超声导波的问题。本发明首先计算各线圈激励电流的初始相位，通过调节各线圈激励电流的初始相位使导波信号被抑制的一侧，在任意时刻各信号叠加后振幅为零；然后计算非抑制侧各发射线圈产生的导波信号合成后的振幅；绘制非抑制侧导波信号振幅与频率的关系曲线，不同工作频率下，选择导波信号振幅最大时所对应的激励电流初始相位；最后通过选择抑制侧和非抑制侧来实现方向控制。本发明用于金属板材、管件等的无损检测。
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