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公开(公告)号：CN116805639A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310287795.8
申请日：2023-03-23
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供不易产生色偏且亮度较高的显示体。显示体(1)具备基板(2)、配置在基板(2)上的多个光半导体元件(3a～3f)、以及将多个光半导体元件(3a～3f)密封的密封树脂层(4)。针对每个包含有多个光半导体元件的像素而配置有多个光半导体元件。密封树脂层(4)从光半导体元件(3a～3f)侧起依次具有非着色层(41)和着色层(42)。在通过第一像素(3)中的位于末端的第一光半导体元件(3c)的重心和位于第二像素(3’)的第二光半导体元件(3d)的重心的、相对于基板(2)的表面而言的垂直面剖面中，将线1与线4的交点处的角度设为θ1，将线2与线5的交点处的角度设为θ2，此时，θ1和θ2满足90°≤θ1＜180°、90°＜θ2＜180°和θ1＜θ2。
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公开(公告)号：CN116031351A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310112192.4
申请日：2023-02-14
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L33/56 , H01L33/54 , H01L25/075 , H01L27/15
Abstract: 本发明涉及光半导体元件密封用片和显示体，提供通过对光半导体元件进行密封从而能够制作防反射性优异、亮度高的显示体的光半导体元件密封用片。光半导体元件密封用片(1)为用于对配置在基板(5)上的1个以上的光半导体元件(6)进行密封的片。光半导体元件密封用片(1)具备至少包含着色层(22)和非着色层(23)的密封用树脂层(2)。将非着色层(23)的硬度设为A、将着色层(22)的硬度设为B时，满足A>B。
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公开(公告)号：CN115863522A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211665044.7
申请日：2022-12-23
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L33/56 , H01L33/58 , H01L25/075
Abstract: 提供光扩散性优异、且光取出效率优异的光半导体元件密封用片。光半导体元件密封用片(1)为用于对配置在基板(5)上的1个以上的光半导体元件(6)进行密封的片，其具备具有光扩散层和防反射层的密封部(2)。光半导体元件密封用片(1)在将功能层层叠于片(1)的单面的状态下，从前述功能层侧进行测定时的L*a*b*(SCE)中的L*1、a*1、b*1、从片(1)侧进行测定时的L*a*b*(SCE)中的L*2、a*2、b*2分别为满足下述式(1)～(3)的值。‑5
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公开(公告)号：CN113539926A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110382887.5
申请日：2021-04-09
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/683 , C09J133/08 , C09J11/06
Abstract: 本发明的切割芯片接合薄膜具备：在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、和在前述切割带的粘合剂层上层叠的芯片接合层，前述粘合剂层包含光聚合引发剂，在对固化前的前述粘合剂层进行GPC测定而得到的分子量分布曲线中，在最高分子量侧出现的峰的重均分子量Mw相对于在最高分子量侧出现的峰的数均分子量Mn的比、即多分散度Mw/Mn为1.3以上。
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公开(公告)号：CN112011287A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010453505.9
申请日：2020-05-26
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/30 , C09J7/24 , C09J133/08 , C09J163/00 , C09J11/04 , C08F220/18 , C08F220/20 , C08F8/30 , H01L21/683 , B32B7/12 , B32B27/30 , B32B27/08 , B32B27/06
Abstract: 提供切割带及切割芯片接合薄膜。提供切割带等，所述切割带具备基材层、和与该基材层重叠的粘合剂层，前述粘合剂层包含丙烯酸类聚合物，前述丙烯酸类聚合物包含(甲基)丙烯酸C9～C11烷基酯的构成单元和含羟基(甲基)丙烯酸酯的构成单元，前述丙烯酸类聚合物包含前述(甲基)丙烯酸C9～C11烷基酯的构成单元40mol％以上且85mol％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105694749B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201510900517.0
申请日：2015-12-09
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/38 , C09J133/14 , C08F220/28 , C08F220/18 , C08F220/14 , C08F226/06
Abstract: 本发明涉及用于半导体的制造中的压敏粘合片。提供一种压敏粘合片，其即使在半导体的制造方法中也能够维持期望的压敏粘合特性，所述制造方法包括例如，支承材料的剥离步骤。所述压敏粘合片包括基材层和压敏粘合剂层，其中压敏粘合剂层的水接触角为80°至105°。所述压敏粘合片用于半导体的制造方法中，所述制造方法包括使压敏粘合剂层与在20℃下在水中的溶解度为1g/100mL以下的溶剂接触的步骤。
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公开(公告)号：CN110157343A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910114020.4
申请日：2019-02-14
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种遮蔽材料，其可良好地追随被遮蔽面的凹凸形状，且在供于切割工序时不易产生切削屑、并且在切割时不易剥离但在切割后可容易剥离。本发明的遮蔽材料具备粘合剂层，该粘合剂层包含活性能量射线固化型粘合剂，该活性能量射线固化型粘合剂包含基础聚合物和自由基捕捉剂，该自由基捕捉剂的含有比例相对于基础聚合物100重量份为2.5重量份以上且不足25重量份。
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公开(公告)号：CN107731788A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710682387.7
申请日：2017-08-10
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/28
Abstract: 本发明提供一种为了对半导体封装中的预定的区域精密地进行以电磁屏蔽处理为例的特定的处理而能够精密地遮蔽除了该预定的区域以外的部分的半导体封装的遮蔽方法。使具备由分隔壁(63)划分开的凹部(61)的保持用夹具(J)吸附保持于多孔台(11)，将各半导体封装(P)配置于各凹部(61)。将遮蔽带(T)粘贴于稳定保持到凹部(61)的内部的状态下的半导体封装(P)而完全地覆盖凸块(59)。通过对预定的区域被覆盖了的半导体封装(P)进行电磁屏蔽处理等，能够对除了被遮蔽带覆盖着的部位之外的区域精密地执行电磁屏蔽处理、激光打标处理等各种处理。
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公开(公告)号：CN104449442A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410479693.7
申请日：2014-09-18
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供凹凸追随性、耐热性和耐化学药品性均优异，可以在半导体晶圆的加工的多个工序中使用的粘合片。本发明的粘合片具备基材层以及含有紫外线固化型粘合剂的粘合剂层，该粘合剂层在22℃下的储能模量G'为30kPa以上，该粘合剂层在85℃下的储能模量G'为30kPa以下，用高压汞灯以照射累积光量300mJ/cm2照射特性波长365nm的紫外线而使该粘合剂层固化时的、该粘合剂层在22℃下的拉伸模量为0.1MPa～54MPa。
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公开(公告)号：CN103811301A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310551934.X
申请日：2013-11-07
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/02005 , H01L21/02057 , H01L21/6836
Abstract: 本发明提供晶圆的加工方法及通过该晶圆的加工方法得到的晶圆，该晶圆的加工方法在进行任意适当的加工工序前包括溶剂清洗工序，在该加工工序中，可适当地保持晶圆，并防止粘合片剥离后的残胶。本发明的晶圆的加工方法包括：粘合片粘贴工序，在具有包含辐射线固化型粘合剂的粘合剂层和基材的晶圆加工用粘合片上粘贴晶圆；辐射线照射工序，对该晶圆加工用粘合片的粘合剂层照射辐射线；清洗工序，用溶剂清洗该晶圆；以及加工工序，加工该晶圆。本发明的晶圆的加工方法中，在该清洗工序前进行该辐射线照射工序。
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