公开(公告)号：CN118562403A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410206526.9

申请日：2024-02-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 长束尚辉 ,  田中俊平

IPC: C09J7/29 ,  H01L33/56 ,  H01L33/52 ,  H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08

Abstract: 本发明提供能够制作即使是在高温高湿环境下美观也良好的显示体的光半导体元件密封用片和显示体。光半导体元件密封用片是用于将配置于基板上的1个以上的光半导体元件密封的片。光半导体元件密封用片具备基材部和设置于基材部的至少一侧的面的密封用树脂层。密封用树脂层包括着色粘合剂层。将室温下的尺寸是纵10cm×横10cm的光半导体元件密封用片的密封用树脂层的面粘贴于玻璃板，将在85℃且80％RH的环境下进行了保管时的光半导体元件密封用片的1边的膨胀量设为x[μm]，将基材部与密封用树脂层之间的室温下的锚固力设为y[N/20mm]，此时，‑40≤x≤80，在‑40≤x≤0的情况下满足y≥8.9，在0＜x≤80的情况下满足y≥x/10+8.9。

公开(公告)号：CN117882203A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202280054676.1

申请日：2022-08-02

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福富秀平 ,  田中俊平 ,  植野大树 ,  浅井量子 ,  仲野武史

IPC: H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  B32B7/023 ,  G02B1/11 ,  G02B5/00 ,  G02B5/02

Abstract: 本发明的目的在于提供光半导体元件密封用片，其适合于制造防止金属布线反射的功能、对比度得以提高且偏色得以降低的迷你/微型LED显示装置等自发光型显示装置。本发明的光半导体元件密封用片10具备扩散层1和防反射层2。扩散层1的总透光率T1和防反射层2的总透光率T2满足T1>T2，扩散层1的雾度值H1和防反射层2的雾度值H2满足H1>H2。

公开(公告)号：CN116805641A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310287803.9

申请日：2023-03-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 植野大树 ,  仲野武史 ,  浅井量子 ,  田中俊平 ,  长束尚辉

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  G09F9/33

Abstract: 本发明提供防止基板表面的反射的防反射性优异且亮度较高的显示体。显示体(1)具备基板(2)、配置在基板上的多个光半导体元件(3a～3c)、以及将多个光半导体元件密封的密封树脂层(4)。密封树脂层包含着色层(42)和非着色层(43)，将通过光半导体元件(3a)的重心(GA)的相对于基板的表面而言的垂线设为垂线(PA)，将通过光半导体元件(3a)的重心(GA)与同光半导体元件(3a)在同一像素(3)内相邻的光半导体元件(3b)的重心(GB)之间的中点(C)的、相对于基板的表面而言的垂线设为垂线(PC)，此时，垂线(PA)上的着色层的总厚度(HA)和垂线(PC)上的着色层的总厚度(HC)满足下述式子(1)，HA＜HC(1)。

公开(公告)号：CN116805640A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310287798.1

申请日：2023-03-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 植野大树 ,  仲野武史 ,  浅井量子 ,  田中俊平 ,  长束尚辉

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  G09F9/33

Abstract: 本发明提供不易产生亮度不均且亮度较高的显示体。显示体具备基板、配置在基板上的多个光半导体元件及将多个光半导体元件密封的密封树脂层。密封树脂层包含着色层和非着色层。将从基板表面起到光半导体元件的比重心靠正面侧的端部TA为止的距离设为LA，将从基板表面起到通过光半导体元件的重心与同光半导体元件在同一像素内相邻的光半导体元件的重心之间的中点的、相对于基板表面而言的垂线上的着色层的正面侧的端部TC为止的距离设为LC，将从通过端部TA的相对于基板表面而言的垂线起到通过端部TC的相对于基板表面而言的垂线为止的距离设为LA－C，将从端部向垂线观察时的仰角的角度设为θ°，此时，显示体满足下述式子(1)，LC≤LA+LA－Ctanθ(1)。

公开(公告)号：CN116249620A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202280005981.1

申请日：2022-08-02

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福富秀平 ,  田中俊平 ,  植野大树 ,  浅井量子 ,  仲野武史

IPC: B32B27/20

Abstract: 本发明的目的在于提供光半导体元件密封用片，其适合于制造提高了防止金属布线的反射的功能、对比度并且降低了偏色的迷你/微型LED显示装置等自发光型显示装置。本发明的光半导体元件密封用片(10)具备扩散层(1)和防反射层(2)。扩散层(1)为树脂层，防反射层(2)为树脂层。扩散层(1)含有光扩散性微粒，防反射层(2)含有着色剂。

公开(公告)号：CN114763455A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202111576736.X

申请日：2021-12-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 植野大树 ,  水野浩二 ,  田中俊平 ,  林美希

IPC: C09J7/38 ,  C09J7/29 ,  C09J133/08 ,  C09J9/02 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种半导体元件保护用压敏粘合片，其适当地保护半导体晶片而不会减少收率。半导体元件保护用压敏粘合片包括：压敏粘合剂层；和基材。该压敏粘合剂层的表面电阻率为1.0×1011Ω/□以下。在半导体元件保护用压敏粘合片的压敏粘合剂层和硅晶片彼此贴合、在50℃下静置24小时、并且剥离半导体元件保护用压敏粘合片之后，相对于硅晶片的贴合至该压敏粘合剂层的表面的全部元素含量，卤素元素比例为0.3原子％以下。

公开(公告)号：CN108148516A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711250272.7

申请日：2017-12-01

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田中俊平 ,  高桥智一

IPC: C09J7/10 ,  C09J7/30 ,  C09D4/06 ,  C09D4/02 ,  C09D133/08

CPC classification number: C09J7/00 ,  C09D4/06 ,  C09D133/066

Abstract: [课题]本发明涉及一种遮蔽材料，提供能良好地追随被遮蔽面的凹凸形状、并且供于切割工序时不易产生切削屑的遮蔽材料。[解决方案]本发明的遮蔽材料在将具有形成有凸部的面且该面被遮蔽起来的电子部件供于切割工序时使用，该遮蔽材料具备：通过活性能量射线的照射可固化的第1粘合剂层、和配置于该第1粘合剂层的单侧的通过活性能量射线的照射可固化的第2粘合剂层，该第1粘合剂层和该第2粘合剂层各自由活性能量射线固化型丙烯酸类粘合剂构成。

公开(公告)号：CN104040697B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201380004827.3

申请日：2013-01-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田中俊平 ,  宍户雄一郎 ,  大西谦司 ,  浅井文辉

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/00 ,  C09J11/04 ,  C09J133/04 ,  C09J161/06 ,  C09J163/00 ,  H01L21/52

Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高胶粘薄膜的切断可靠性并且能够抑制由胶粘薄膜造成的碎片污染的半导体装置的制造方法。本发明提供一种半导体装置的制造方法，其具有如下工序：在半导体晶片(4)的表面形成槽(4S)后，粘贴保护用粘合薄膜(44)，进行半导体晶片的背面磨削，使槽从背面露出的工序；在半导体晶片的背面粘贴胶粘薄膜，然后将保护用粘合薄膜剥离的工序；和沿着露出胶粘薄膜的槽照射波长355nm的激光，将胶粘薄膜切断的工序；胶粘薄膜的(a)波长355nm下的吸光系数为40cm‑1以上、(b)50℃下的拉伸储能弹性模量为0.5MPa以上且20MPa以下、并且(c)120℃下的拉伸储能弹性模量为0.3MPa以上且7MPa以下、或者120℃下的熔融粘度为2000Pa·s以上。

公开(公告)号：CN103165544A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210520357.3

申请日：2012-12-06

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 千岁裕之 ,  田中俊平 ,  水野浩二

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: C09J7/0207 ,  B23B3/30 ,  B32B3/30 ,  C09J7/20 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/606 ,  C09J2201/61 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/15787 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/31511 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供能够防止发生树脂组合物层的胶粘力的降低、电气可靠性的降低并且在切割后能够从多个半导体元件同时剥离背磨带的层叠片。该层叠片具有背磨带和树脂组合物层，所述背磨带具有在基材上形成有粘合剂层的构成，所述树脂组合物层被设置在背磨带的粘合剂层上，所述粘合剂层的拉伸弹性模量在23℃下为0.1～5.0MPa，所述粘合剂层与树脂组合物层之间的T剥离强度在23℃、300mm/分钟的条件下为0.1～5N/20mm。

公开(公告)号：CN115397870B

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202180025748.5

申请日：2021-03-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田中俊平 ,  浅井量子 ,  花冈稔

IPC: C08F20/18 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H10H20/852 ,  G09F9/00 ,  G02F1/13357

Abstract: 提供处理容易、能够以简易的工序且短时间对光半导体元件进行密封的光半导体元件密封用片。光半导体元件密封用片1为用于对配置于基板上的1个以上的光半导体元件进行密封的片，所述光半导体元件密封用片1具备：用于对前述光半导体元件进行密封的密封树脂层10、和贴附于密封树脂层10的剥离片20，密封树脂层10含有丙烯酸系树脂。光半导体元件密封用片1可以在密封树脂层10的与贴附有剥离片20的面10a相反侧的面10b具备基材层30。